一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺制造技术

本申请涉及半导体加工技术领域，更具体地说，它涉及一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺，首先将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；之后由所述第一陶瓷盘向第二陶瓷盘靠近输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；再由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的加热温度、压强以及密封时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光。本申请摒弃了传统的上蜡抛光工艺方式，不仅简化了上蜡、粗抛以及精抛等多个工艺手续，减少了降温冷却时间，提高了生产效率。提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺


[0001]本申请涉及半导体加工
，更具体地说，它涉及一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺。

技术介绍

[0002]目前半导体行业对中对超薄晶片的加工都是采用上蜡抛光工艺：具体的抛光工艺流程如下：
[0003](1)用人工或上蜡贴片装置借助石蜡将待抛光的晶片粘贴在陶瓷盘上；(2) 在腔室内真空环境下借助吸蜡纸将多余的蜡吸附；(3)用酒精清洁晶片表面的蜡；(4)在专用的抛光机下用CMP方法粗抛，精抛；(4)将抛光完成的晶片在甩干桶内甩干；(5)并在专用电炉上加热陶瓷盘，使蜡熔化后，再用不锈钢铲具取下晶片；(6)晶片化蜡及清洗；该抛光工艺的缺陷；
[0004](1)晶片薄，导致在腔室真空条件下吸蜡过程中极易出现碎片；
[0005](2)上蜡、粗抛需经过多次作业，碎片率高；
[0006](3)在专用电炉上加热陶瓷盘，再取出过程中，受高温影响，很难立即取出，严重降低生产效率。

技术实现思路

[0007]针对上述现有技术的不足，本申请的目的是提供一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺，具有操作简单、简化工艺、提升良品率、缩短降温时间以及提升效率的优点。
[0008]本申请的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺，包括步骤：S1，将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；
[0009]S2，完成步骤S1的抛光砷化镓晶片，由所述第一陶瓷盘向靠近第二陶瓷盘输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；
[0010]S3，对称放置的第一陶瓷盘和第二陶瓷盘，由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；
[0011]S4，在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的加热温度、压强以及密封时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光；
[0012]S5，完成S4后的砷化镓晶片，由第一陶瓷盘将其通过输送带输送至冷却腔体内，在冷却腔体内进行降温处理，降温处理后的砷化镓晶片由第一陶瓷盘输送回S1的初始位置。
[0013]优选的，在密闭空间内通过外置气泵对其抽真空，产生负压，负压范围在0～
‑
0.99MPA之间。
[0014]优选的，所述加热温度为30～200℃。
[0015]优选的，该密闭空间在S4处理的密封时间为5～10min。
[0016]优选的，所述冷却腔体内的冷却时间为5～10min。
[0017]优选的，所述冷却腔体的降温温度为零下5～20℃。
[0018]综上所述，本申请具有的有益效果：首先将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；之后由所述第一陶瓷盘向第二陶瓷盘靠近输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；再由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的加热温度、压强以及密封时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光，由第一陶瓷盘将其通过输送带输送至冷却腔体内，在冷却腔体内进行降温处理，降温处理后的砷化镓晶片由第一陶瓷盘输送回初始位置，以此摒弃了传统的上蜡抛光工艺方式，不仅简化了上蜡、粗抛以及精抛等多个工艺手续，同时提升了晶片的良品率，减少了降温冷却时间，提高了生产效率。
具体实施方式
[0019]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0020]需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。
[0021]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0022]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0023]一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺，包括以下步骤：S1，将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；
[0024]S2，完成步骤S1的抛光砷化镓晶片，由所述第一陶瓷盘向靠近第二陶瓷盘输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；
[0025]S3，对称放置的第一陶瓷盘和第二陶瓷盘，由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；
[0026]S4，在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的加热温度、压强以及密封时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光；
[0027]S5，完成S4后的砷化镓晶片，由第一陶瓷盘将其通过输送带输送至冷却腔体内，在冷却腔体内进行降温处理，降温处理后的砷化镓晶片由第一陶瓷盘输送回S1的初始位置。
[0028]具体的，所述加热温度为30～200℃。
[0029]具体的，该密闭空间在S4处理的密封时间为5～10min。
[0030]具体的，所述冷却腔体内的冷却时间为5～10min。
[0031]具体的，所述冷却腔体的降温温度为零下5～20℃。
[0032]首先将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；完成步骤S1的抛光砷化镓晶片，由所述第一陶瓷盘向第二陶瓷盘靠近输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；再由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的加热温度、压强以及密封时间，加热温度通过加热丝加热到30℃，加热时间控制在5min，压强通过外置气泵对密闭空间抽真空至0.99MPA，对砷化镓晶片进行无蜡抛光，由第一陶瓷盘将其通过输送带输送至冷却腔体内，在冷却腔体内进行降温处理，降温处理后的砷化镓晶片由第一陶瓷盘输送回初始位置，以此摒弃了传统的上蜡抛光工艺方式，不仅简化了上蜡、粗抛以及精抛等多个工艺手续，同时提升了晶片的良品率，减少了自动降温冷却的时间，提高了生产效率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无蜡抛光吸附垫负压热贴合工艺，其特征是：包括以下步骤：S1，将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；S2，完成步骤S1的抛光砷化镓晶片，由所述第一陶瓷盘向靠近第二陶瓷盘输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；S3，对称放置的第一陶瓷盘和第二陶瓷盘，由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；S4，在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的加热温度、压强以及密封时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光；S5，完成S4后的砷化镓晶片，由第一陶瓷盘将其通过输送带输送至冷却腔体内，在冷却腔体内进行降温处理，降温处理后的砷化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄军慧，
申请(专利权)人：东莞市盈鑫半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：