半导体结构制造技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，半导体结构包括：基底，所述基底上具有阵列排布的结构单元；所述结构单元包括多个在第一方向上排列的晶体管组，所述晶体管组包括多层晶体管，所述晶体管在第二方向上延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直，且二者平行于所述基底表面；所述结构单元还包括多条在第三方向上延伸的位线，所述位线与同一所述晶体管组的多层所述晶体管电连接；所述第三方向垂直于所述基底表面；多条连接线，多条所述连接线与所述结构单元中的多条所述位线一一对应连接，且阵列排布的结构单元内的一条所述位线被同一所述连接线连接。本公开实施例至少可以减少连接线的数量。减少连接线的数量。减少连接线的数量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表其存储的一个二进制比特是1还是0。
[0003]3D堆叠式DRAM是一种在基底上堆叠多层晶体管的结构，其集成度较高，有利于降低单位面积的成本。然而3D堆叠式DRAM内一条位线所对应的晶体管数和电容数量较少。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构，至少有利于增加一条位线所对应的晶体管数和电容数量。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基底，所述基底上具有阵列排布的结构单元；所述结构单元包括多个在第一方向上排列的晶体管组，所述晶体管组包括多层晶体管，所述晶体管在第二方向上延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直，且二者平行于所述基底表面；所述结构单元还包括多条在第三方向上延伸的位线，所述位线与同一所述晶体管组的多层所述晶体管电连接；所述第三方向垂直于所述基底表面；多条连接线，多条所述连接线与所述结构单元中的多条所述位线一一对应连接，且阵列排布的所述结构单元内的一条所述位线被同一所述连接线连接。
[0006]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0007]多条连接线与结构单元中的多条所述位线一一对应连接，且阵列排布的结构单元内的一条所述位线被同一所述连接线连接。也就是说，被同一连接线所连接的位线具有相同的电位，这些相连接的位线可以视为同一条位线，从而有利于增加每条位线所对应的晶体管和电容的数量。
附图说明
[0008]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0009]图1示出了本公开一实施例提供的结构单元的俯视图；
[0010]图2示出了图1在A
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A1方向上的剖面图；
[0011]图3示出了本公开一实施例提供的一种半导体结构的俯视图；
[0012]图4示出了本公开一实施例提供的另一种半导体结构的俯视图；
[0013]图5示出了本公开一实施例提供的又一种半导体结构的俯视图；
[0014]图6
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图7分别示出了本公开一实施例提供的半导体结构在第二方向上的两种剖面图；
[0015]图8
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图9分别示出了本公开一实施例提供的半导体结构在第一方向上的两种局部剖面图。
具体实施方式
[0016]由
技术介绍
可知，3D堆叠式DRAM内的连接线较多，从而提高了工艺的复杂程度。经分析发现，主要原因在于：在3D堆叠式DRAM结构中，位线所对应的晶体管和电容的数量主要取决于晶体管和电容的堆叠层数。但受到工艺限制，增加堆叠层数的难度较大。此外，3D堆叠式DRAM内通常具有多个结构单元，每个结构单元具有多条位线，位线需要通过连接线与外围电路连接。由于连接线的数量较多，从而提高了将连接线与外围电路连接的工艺的复杂程度。
[0017]本公开实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：多条连接线，多条连接线与结构单元中的多条所述位线一一对应连接，且阵列排布的结构单元内的一条所述位线被同一所述连接线连接。也就是说，一条连接线可以连接多个结构单元中的位线，相互连接的位线可以视为同一条位线，从而增加了一条位线所连接的晶体管和电容的数量。此外，由于每条位线无需通过单独的连接线引出，从而有利于减少连接线的数量，进而简化连接线与外围电路的连接工艺。
[0018]下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开实施例而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开实施例所要求保护的技术方案。
[0019]如图1
‑
图9所示，本公开一实施例提供一种半导体结构。首先需要说明的是，半导体结构内具有第一方向X、第二方向Y和第三方向Z，其中，第一方向X为多个晶体管组的排列方向，第二方向Y为晶体管23的延伸方向，第一方向X与第二方向Y垂直，且二者平行于基底10表面；第三方向Z为多层晶体管23的堆叠方向，第三方向Z垂直于基底10表面。
[0020]半导体结构包括：基底10，基底10上具有阵列排布的结构单元20；结构单元20包括多个在第一方向X上排列的晶体管组，晶体管组包括多层晶体管23，晶体管23在第二方向Y上延伸；第一方向X与第二方向Y垂直，且二者平行于基底10表面；结构单元20还包括多条在第三方向Z上延伸的位线21，位线21与同一晶体管组的多层晶体管23电连接；第三方向Z垂直于基底10表面；多条连接线30，多条连接线30与结构单元20中的多条位线21一一对应连接，且阵列排布的结构单元20内的一条位线21被同一连接线30连接。
[0021]即，不同结构单元20的位线21可以连接同一条连接线30，由于相互连接的位线21具有相同的电位，因此，这些位线21可以视为同一条位线21，相应地，一条位线21所连接的晶体管23和电容24的数目增多。此外，由于多条位线21可以通过同一连接线30引出，而无需一条位线21由单独的一条连接线30引出，从而有利于减少连接线30的数量。连接线30数量越少，则会减少连接线30与外围电路的连接触点，从而有利于简化连接触点的形成工艺，还有利于实现减小半导体结构的体积。
[0022]以下将结合附图对本公开实施例进行详细说明。
[0023]图1为结构单元20的俯视图，图2为图1在A
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A1方向上的剖面图，图2示出了结构单元20中的一个晶体管组。参考图1
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图2，结构单元20可以包括在第二方向Y排列的晶体管23区和电容区C，晶体管区包括字线区WL和位线区BL。字线区WL设置有多条间隔设置的字线(图中未示出)，字线与同一层的晶体管23连接，即字线的延伸方向为第一方向X；位线21位于位线区BL内，并在第三方向Y上延伸。电容区C内具有多个电容24，电容24与晶体管23一一对应设置。具体地，晶体管23包括在第二方向Y上排列的第一源漏极、沟道区和第二源漏极，其中，第一源漏极与电容24电连接，沟道区与字线电连接，第二源漏极与位线21电连接。
[0024]参考图1，结构单元20还可以包括字线台阶22，字线台阶22与字线区WL正对。字线台阶22可以字线引出，即字线原本在第一方向X上延伸，为了方便后续和外围电路连接，字线台阶22可以将字线从第三方向Z引出。
[0025]继续参考图1，结构单元20的位线21包括在第一方向X上依次排布的第1至第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有阵列排布的结构单元；所述结构单元包括多个在第一方向上排列的晶体管组，所述晶体管组包括多层晶体管，所述晶体管在第二方向上延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直，且二者平行于所述基底表面；所述结构单元还包括多条在第三方向上延伸的位线，所述位线与同一所述晶体管组的多层所述晶体管电连接；所述第三方向垂直于所述基底表面；多条连接线，多条所述连接线与所述结构单元中的多条所述位线一一对应连接，且阵列排布的所述结构单元内的一条所述位线被同一所述连接线连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上排列的相邻两个所述结构单元用于构成结构模块；同一所述结构单元的所述位线包括在所述第一方向上依次排布的第1至第N位线，N为大于1的正整数；所述连接线包括第一连接段；所述第一连接段连接两条位线，且两条所述位线分别位于同一所述结构模块的两个所述结构单元中，两条所述位线的序号之和为N+1。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述连接线还包括第二连接段和第三连接段；所述第二连接段连接两条位于不同所述结构模块的所述位线，且所述不同结构模块在所述第一方向上排列；所述第二连接段连接的两条所述位线的序号之和为N+1；所述第三连接段连接两条位于不同所述结构模块的所述位线，且所述不同结构模块在所述第二方向上排列；所述第三连接段连接的两条所述位线的序号之和为N+1，或者，两条所述位线的序号相同。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接段连接的两条所述位线分别位于相邻所述结构模块的两个所述结构单元中，且两个所述结构单元相对设置；在所述第二方向上排列的两个所述结构模块构成模块组；多个所述模块组在所述第一方向上排列；同一所述结构模块的两个所述结构单元分别为第一结构单元和第二结构单元；所述模块组内的两个所述第一结构单元正对，所述模块组内的两个所述第二结构单元正对；所述第三连接段连接两个正对的所述第一结构单元的所述位线；或者，所述第三连接段连接两个正对的所述第二结构单元的所述位线。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，肖剑锋，李晓杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：