一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构，其包括FPC和驱动IC，触控面板具有由下至上层叠设置的SD层、CM层和BC层；FPC的一端接入VCOM信号，FPC的另一端与触控面板中作为数据线的SD层电连接，SD层通过CH1孔与BC层电连接，BC层通过CH2孔与CM层电连接，完成SD层到CM层的跳层，驱动IC的IC PAD全部位于触控面板的CM层。本实用新型专利技术通过增加金属面积和通过孔的数量，可使Bonding电阻值R达到极小化。化。化。

【技术实现步骤摘要】
一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构


[0001]本技术涉及面板显示技术，尤其涉及一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构。

技术介绍

[0002]随着有TIC技术的进度发展，针对TIC(touch in cell)面板显示设计要求愈高，窄边框设计深得人心。但若使用下沉式IC时，为了更好的刷新率和显示效果，往往采用 dual trace走线。因P检需要检查棋盘格画面，故造成第三金属层与IC gold bump接触面积减少，更甚出现Senor量不足风险，造成SNR比下降，因此如何保证SNR可靠性，是亟需解决的问题。
[0003]如图1或2所示，现有技术中第二共同电压VCOM_E输入VCOM信号，经由FPC第二金属走线(M2)出处直接与IC相连，IC Pad的一半位于M2并与FPC电连接，IC Pad的另一半位于M3。此时M3的面积只占IC Pad面积一半，信号通过CH层与ITO层进行跳层，此时电阻值为R1。即IC PAD金属面积小（M3占比少）和通过孔数量少（CH洞数量不足），容易造成Bonding过程中电阻R过大。Bonding过程即为在PANEL与GLASS按照一定要求进行组合，能够使屏幕显示更加清晰。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构。
[0005]本技术采用的技术方案是：
[0006]一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构，其包括FPC和驱动IC，触控面板具有由下至上层叠设置的SD层、CM层和BC层；FPC的一端接入VCOM信号，FPC的另一端与触控面板中作为数据线的SD层电连接，SD层通过CH1孔与BC层电连接，BC层通过CH2孔与CM层电连接，完成SD层到CM层的跳层，驱动IC的IC PAD全部位于触控面板的CM层。
[0007]进一步地，触控面板具有第一基板，第一基板包括多个像素，像素包括像素电极架构，像素电极架构包括作为栅极线的GE层、作为数据线的SD层、薄膜晶体管开关结构和作为像素电极的PE层，像素电极的PE层通过VA洞电连接作为第三金属层的CM层，第一基板上形成有与像素电极面对的作为公共电极的BC层的衬底、栅极驱动器GATE、数据驱动器SOURCE和共同电压产生部分；薄膜晶体管的栅极和源极连接至数据线，薄膜晶体管的漏极连接至像素电极，共同电压产生部分输出VCOM信号。。
[0008]进一步地，VCOM信号包括第一共同电压Vcom_O和第二共同电压Vcom_E，第一共同电压Vcom_O施加于存在于靠近栅极驱动器的位置的第一位置的共同电极上，第二共同电压Vcom_E施加于存在于远离栅极的位置的第二位置的共同电极上；且共同电压产生部分可调节第二公共电压Vcom_E和第一公共电压Vcom_O之间的差值。
[0009]进一步地，第二共同电压Vcom_E的电压大于第一共同电压Vcom_O。
[0010]本技术采用以上技术方案，VCOM信号经FPC第二金属走线在触控面板的SD层（即第二金属层M2)处通过CH1到BC层，CM层通过CH2洞（第二金属过孔）与BC层（即ITO层）进
行跳层，即通过CH1到BC层到CM层的路径提前进行金属跳层至IC PAD所在CM层（即第二金属层M3），此时VCOM信号可以直接进入IC PAD且CM层可占IC PAD面积全部；此时由于CM层占IC PAD面积全部，使得电阻值为常规电阻值R1的1/2。本技术通过增加金属面积和通过孔的数量，可使Bonding电阻值R达到极小化。
附图说明
[0011]以下结合附图和具体实施方式对本技术做进一步详细说明；
[0012]图1为现有触控面板FPC与IC间电阻的走线结构的原理示意图；
[0013]图2为现有触控面板FPC与IC间电阻的走线结构示意图；
[0014]图3为本技术结构原理示意图；
[0015]图4为本技术一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构示意图；
[0016]图5为本技术走线处的层别堆叠结构。
具体实施方式
[0017]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0018]如图3或4或5所示，本技术公开了一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构，其包括FPC和驱动IC，触控面板具有由下至上层叠设置的SD层、CM层和BC层；FPC的一端接入VCOM信号，FPC的另一端与触控面板中作为数据线的SD层电连接，SD层通过CH1孔与BC层电连接，BC层通过CH2孔与CM层电连接，完成SD层到CM层的跳层，驱动IC的IC PAD全部位于触控面板的CM层，电连接后走线为CM层分担IC PAD BONGDING破损风险。
[0019]跳层结构图及堆叠结构图如图5所示，驱动IC的IC PAD全部位于触控面板的CM层，CM层的IC PAD通过CH2孔与ITO层(BC层)跳层电连接。（由于还有一整面PAD的CM层，减小BONGDING电阻）。
[0020]进一步地，触控面板具有第一基板，第一基板包括多个像素，像素包括像素电极（TOP COM）架构，像素电极由栅极线（GE层）、数据线（SD层）、薄膜晶体管（TFT）开关结构和像素电极（PE层），为了能够实现TIC架构（TOUCH IN CELL）（TIC优点：产品轻薄，透过率高，省电）加上了第三金属层（CM层）。CM层通过VA洞与PE层电接，实现TIC），第一基板上还形成与像素电极面对的公共电极（BC层）的衬底、栅极驱动器（GATE）、数据驱动器(SOURCE)和共同电压(COM)产生部分；薄膜晶体管的栅极和源极连接至数据线，薄膜晶体管的漏极连接至像素电极，共同电压产生部分输出VCOM信号。
[0021]进一步地，VCOM信号包括第一共同电压Vcom_O和第二共同电压Vcom_E，第一共同电压Vcom_O施加于存在于靠近栅极驱动器的位置的第一位置的共同电极上，第二共同电压Vcom_E施加于存在于远离栅极的位置的第二位置的共同电极上；且共同电压产生部分可调节第二公共电压Vcom_E和第一公共电压Vcom_O之间的差值。
[0022]进一步地，第二共同电压Vcom_E的电压大于第一共同电压Vcom_O。
[0023]本技术采用以上技术方案，VCOM信号经FPC第二金属走线在触控面板的SD层（即第二金属层M2)处通过CH1到BC层，CM层通过CH2洞（第二金属过孔）与BC层（即ITO层）进行跳层，即通过CH1到BC层到CM层的路径提前进行金属跳层至IC PAD所在CM层（即第二金属
层M3），此时VCOM信号可以直接进入IC PAD且CM层可占IC PAD面积全部；此时由于CM层占IC PAD面积全部，使得电阻值为常规电阻值R1的1/2。本技术通过增加金属面积和通过孔的数量，可使Bonding电阻值R达到极小化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构，其特征在于：其包括FPC和驱动IC，触控面板具有由下至上层叠设置的SD层、CM层和BC层；FPC的一端接入VCOM信号，FPC的另一端与触控面板中作为数据线的SD层电连接，SD层通过CH1孔与BC层电连接，BC层通过CH2孔与CM层电连接，完成SD层到CM层的跳层，驱动IC的IC PAD全部位于触控面板的CM层。2.根据权利要求1所述的一种降低触控面板FPC与IC间电阻的走线结构，其特征在于：触控面板具有第一基板，第一基板包括多个像素，像素包括像素电极架构，像素电极架构包括作为栅极线的GE层、作为数据线的SD层、薄膜晶体管开关结构和作为像素电极的PE层，像素电极的PE层通过VA洞电连接作为第三金属层的CM层，第一基板上形成有与像素电极面对的作为公共电极的BC层...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮丽莹，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：