半导体存储装置及散热用零件制造方法及图纸

实施方式提供一种能够实现散热性提高的半导体存储装置及散热用零件。实施方式的半导体存储装置具有衬底、发热零件、电子零件及散热零件。所述散热零件具有第1部件及第2部件。所述发热零件安装在所述衬底。所述电子零件的至少一部分位于在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述发热零件的至少一部分重叠的位置。所述第1部件包含在所述第1方向上位于所述发热零件与所述电子零件之间的第1部分，且由具有第1导热率的材料形成。所述第2部件包含在所述第1方向上位于所述第1部件与所述电子零件之间的部分，且由具有比所述第1导热率小的第2导热率的材料形成。的第2导热率的材料形成。的第2导热率的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及散热用零件
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2021
‑
46831号(申请日：2021年3月22日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置及散热用零件。

技术介绍

[0004]已知一种半导体存储装置，具备衬底、安装在衬底的发热零件、及安装在衬底的电子零件。期待提高半导体存储装置的散热性。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施方式提供一种能够实现散热性提高的半导体存储装置及散热用零件。
[0006]实施方式的半导体存储装置具有衬底、发热零件、电子零件及散热零件。所述散热零件具有第1部件及第2部件。所述发热零件安装在所述衬底。所述电子零件的至少一部分位于在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述发热零件的至少一部分重叠的位置。所述第1部件包含在所述第1方向上位于所述发热零件与所述电子零件之间的第1部分，且由具有第1导热率的材料形成。所述第2部件包含在所述第1方向上位于所述第1部件与所述电子零件之间的部分，且由具有比所述第1导热率小的第2导热率的材料形成。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的立体图。
[0008]图2是将第1实施方式的半导体存储装置局部分解地表示的立体图。
[0009]图3是将与第1实施方式的散热盖相关的构造局部分解表示的立体图。
[0010]图4是表示第1实施方式的半导体存储装置的剖视图。
[0011]图5(a)～(e)是表示第1实施方式的散热盖的安装方法的一例的剖视图。
[0012]图6是表示第1实施方式的第1变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0013]图7是表示第1实施方式的第2变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0014]图8是表示第1实施方式的第3变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0015]图9是表示第1实施方式的第4变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0016]图10是表示第1实施方式的第4变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0017]图11是表示第1实施方式的第5变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0018]图12是表示第2实施方式的半导体存储装置的剖视图。
[0019]图13是从另一方向观察第2实施方式的半导体存储装置的剖视图。
[0020]图14是表示第2实施方式的变化例的半导体存储装置的剖视图。
[0021]图15是表示第3实施方式的半导体存储装置的剖视图。
具体实施方式
[0022]以下，参照附图，对实施方式的半导体存储装置及散热用零件进行说明。在以下说明中，对具有相同或类似功能的构成标注相同的符号。而且，有时省略这些构成的重复说明。本申请案中所谓“重叠”，是指2个对象物的假想投影像彼此重叠，也可以包含2个对象物不直接相接的情况。本申请案中所谓“平行”、“正交”、或“相同”，也可以分别包含“大致平行”、“大致正交”、或“大致相同”的情况。本申请案中所谓“连接”，并不限于机械连接，也可以包含电连接的情况。也就是说，所谓“连接”，并不限于与对象物直接地连接的情况，也可以包含中间介置其它要素而连接的情况。另外，本申请案中所谓“连接”，并不限于相互连结的情况，也可以包含仅相接的情况。
[0023]此处，首先，对+X方向、
‑
X方向、+Y方向、
‑
Y方向、+Z方向及
‑
Z方向进行定义。+X方向、
‑
X方向、+Y方向及
‑
Y方向为与下述衬底21的第1面21a(参照图2)平行的方向。+X方向为从下述壳体10的第1端部10a朝向第2端部10b的方向(参照图1)。
‑
X方向为与+X方向相反的方向。在不区分+X方向与
‑
X方向的情况下，简称为“X方向”。+Y方向及
‑
Y方向为与X方向交叉(例如正交)的方向。+Y方向为从下述壳体10的第3端部10c朝向第4端部10d的方向(参照图1)。
‑
Y方向为与+Y方向相反的方向。在不区分+Y方向与
‑
Y方向的情况下，简称为“Y方向”。+Z方向及
‑
Z方向为与X方向及Y方向交叉(例如正交)的方向，为下述衬底21的厚度方向。+Z方向为从衬底21朝向下述壳体10的第2主壁15的方向(参照图2)。
‑
Z方向为与+Z方向相反的方向。在不区分+Z方向与
‑
Z方向的情况下，简称为“Z方向”。
[0024](第1实施方式)
[0025]＜1.半导体存储装置的整体构成＞
[0026]参照图1到图5，对第1实施方式的半导体存储装置1进行说明。半导体存储装置1例如为SSD(Solid State Drive，固态驱动器)之类的存储装置。半导体存储装置1例如安装在服务器或个人计算机等信息处理装置，被用作信息处理装置的存储区域。在本申请案中，将安装着半导体存储装置1的信息处理装置称为“主机装置”。
[0027]图1是表示半导体存储装置1的立体图。图2是将半导体存储装置1局部分解地表示的立体图。如图1及图2所示，半导体存储装置1例如具有壳体10、衬底单元20、支撑框架30、及多个固定部件40。
[0028]＜1.1壳体＞
[0029]如图1所示，壳体10例如为扁平的矩形箱状。壳体10例如为金属制。壳体10具有第1端部10a及第2端部10b，作为在该壳体10的长度方向(X方向)上分开的一对端部。第2端部10b是与第1端部10a为相反侧的端部。在第1端部10a，设置着使下述衬底单元20的外部连接连接器22(参照图2)露出到壳体10的外部的开口(未图示)。另一方面，壳体10具有第3端部10c及第4端部10d，作为在该壳体10的短边方向(Y方向)上分开的一对端部。第4端部10d是与第3端部10c为相反侧的端部。
[0030]如图2所示，壳体10包含基座11及盖部12，且通过将基座11与盖部12组合而形成。基座11例如包含第1主壁14及3个侧壁11b、11c、11d。第1主壁14为沿着X方向及Y方向的壁部。3个侧壁11b、11c、11d分别在壳体10的第2、第3、第4端部10b、10c、10d从第1主壁14向+Z
方向延伸。盖部12具有第2主壁15及4个侧壁12a、12b、12c、12d。第2主壁15为沿着X方向及Y方向的壁部。4个侧壁12a、12b、12c、12d分别在壳体10的第1到第4端部10a、10b、10c、10d从第2主壁15向
‑
Z方向延伸。基座11为“第1壳体部件”的一例。盖部12为“第2壳体部件”的一例。
[0031]在本实施方式中，壳体10通过将基座11与盖部12组合，具有第1到第4侧壁16、17、18、19(参照图1)。第1侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：衬底；发热零件，安装在所述衬底；电子零件，安装在所述衬底，位于在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述发热零件的至少一部分重叠的位置；以及散热零件；所述散热零件具备：第1部件，包括在所述第1方向上位于所述发热零件与所述电子零件之间的第1部分，并且由具有第1导热率的材料形成；以及第2部件，包括在所述第1方向上位于所述第1部件与所述电子零件之间的部分，并且由具有比所述第1导热率小的第2导热率的材料形成。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述发热零件为非易失性存储器或控制器。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1部分直接或经由第1导热部件与所述发热零件连接。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1部分具有第1面，所述第1面直接或经由所述第1导热部件与所述发热零件连接。5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电子零件包括圆柱状部分，在与所述圆柱状部分的长度方向正交的方向上，所述第1面的宽度大于所述电子零件的宽度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于还具备壳体，所述衬底被收容在所述壳体中，所述第1部件还包含与所述第1部分不同的第2部分，所述第2部分直接或经由第2导热部件与所述壳体连接。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第2部分具有第2面，所述第2面直接或经由所述第2导热部件与所述壳体连接。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1部件还包含第1散热部，所述第1散热部是：在所述第1方向上不与所述发热零件重叠的所述衬底的区域，直接或经由第3导热部件与所述衬底连接。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1散热部使用焊料固定在所述衬底。10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：所述衬底具有第1固定孔，所述第1散热部的至少一部分插入到所述第1固定孔。11.根据权利要求9或10所述的半导体存储装置，其特征在于：所述衬底具有接地层，所述第1散热部与所述接地层连接。12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：
壳体，收容所述衬底；以及固定部件，将所述衬底固定在所述壳体；所述第1部件还包含第1散热...

【专利技术属性】
技术研发人员：长泽和也，森田伴明，船山贵久，石井宪弘，田中秀典，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：