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一种功率模块的散热增强方法技术

技术编号:35051561 阅读:38 留言:0更新日期:2022-09-28 10:53
本发明专利技术公开了一种功率模块的散热增强方法,包括陶瓷基电路板和两个或者多于两个的一组MOS管,陶瓷基电路板由线路层和陶瓷基层组成,两个或者多于两个的一组MOS管焊接在陶瓷基电路板的线路层上;还包括两个或者多于两个的一组金属管脚,两个或者多于两个的一组金属管脚的一端焊接在陶瓷基电路板的线路层上,与两个或者多于两个的一组MOS管对应连接;还包括产品电路板,两个或者多于两个的一组金属管脚的另外一端焊接在产品电路板上,与产品电路板上的电路对应连接;还包括产品外壳;还包括金属弹片,金属弹片夹在陶瓷基电路板的陶瓷基层侧和产品外壳的内侧之间。采用上述装置方法,提升了功率器件的散热能力;解决了使用陶瓷基板的工艺问题,可以实现更好效率。可以实现更好效率。可以实现更好效率。

【技术实现步骤摘要】
一种功率模块的散热增强方法


[0001]本专利技术涉及用于功率产品或者电机产品的功率器件使用。采用散热效果好的陶瓷基电路板,并实现更高效的导热通道。

技术介绍

[0002]随着科技的进步,电子产品中大量使用了功率管。其中常用的有MOS管和IGBT;MOS管又叫场效应晶体管;它有多种用途,主要用作开关元器件。IGBT是另外一种功率管,又叫绝缘栅双极晶闸管,也是主要用作开关元器件。
[0003]MOS管和IGBT被大量用于变频家电、电源、电机控制和逆变器等电子产品中。实际应用中,一般产品工作电流小就用MOS管;产品工作电流大,就采用IGBT。
[0004]MOS管和IGBT在被控制开关过程中,会产生热量,这种发热对产品和元器件本身都是不利的。解决的办法主要是两个方面:一是减少MOS管和IGBT的导通电阻,这种方法是有技术限制的;二是外部另外增加散热片,通过打胶固定,胶的导热能力相对金属都要差。如何高效率地为MOS管和IGBT工作中散热是一个非常重要的问题。
[0005]陶瓷基电路板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面上的特殊工艺板。所制成的复合基板具有优良电绝缘性能,高导热特性。包括陶瓷基层和线路层。陶瓷基电路板比现在常用的普通PCB有更加优良的导热性;但它比较脆,碰撞容易碎。
[0006]为了提高MOS管或IGBT的工作效能,很多产品都要为它们装置散热片,其间要点胶,加绝缘层等;这样了都妨碍了导热速度,削弱了导热通道的效率。

技术实现思路

[0007]针对上述问题,本专利技术旨在提供一种功率器件在产品中的装置方法,采用成熟工艺,将一组MOS管焊接在导热性能好的陶瓷基电路板上,通过陶瓷基电路板将MOS管工作产生的热量高效率导出,再通过夹于陶瓷基层侧和产品外壳内侧的金属弹片将热量导到产品外,将热量扩散于产品外壳上;形成了高效的散热通道。采用金属弹片,同时防止陶瓷基电路板受到外壳冲击而损坏。
[0008]为实现该技术目的,本专利技术的方案是一种功率模块的散热增强方法,包括陶瓷基电路板和两个或者多于两个的一组MOS管,陶瓷基电路板由线路层和陶瓷基层组成,两个或者多于两个的一组MOS管焊接在陶瓷基电路板的线路层上;还包括两个或者多于两个的一组金属管脚,两个或者多于两个的一组金属管脚的一端焊接在陶瓷基电路板的线路层上,与两个或者多于两个的一组MOS管对应连接;还包括产品电路板,两个或者多于两个的一组金属管脚的另外一端焊接在产品电路板上,与产品电路板上的电路对应连接;还包括产品外壳;还包括金属弹片,金属弹片夹在陶瓷基电路板的陶瓷基层侧和产品外壳的内侧之间。通道中减少了使用导热能力相对较差的胶或者绝缘垫,增加了通道导热能力。方案中的两个或者多于两个的一组MOS管还可以采用晶圆形式,实现模块体积小型化。
[0009]作为优选,所采用的两个或者多于两个的一组MOS管能够替换为两个或者多于两
个的一组IGBT。两个或者多于两个的一组IGBT可以采用晶圆形式。
[0010]本技术方案的有益效果是:可以在生产采用多个MOS管或者IGBT产品中,通过优化MOS管或者IGBT的散热通道,增强MOS管或者IGBT的工作效能;实现产品的更高效率和使用寿命。
附图说明
[0011]图1为本专利技术具体实施例一的截面示意图。
[0012]图2为陶瓷基电路板的结构示意图。
[0013]图3为本专利技术实施例二的三相驱动电路MOS管部分参考电路图。
[0014]具体实施方式
[0015]下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。
[0016]如图1所示,本专利技术的一种功率模块的散热增强方法,包括陶瓷基电路板1和两个或者多于两个的一组MOS管2,陶瓷基电路板1由线路层11和陶瓷基层12组成,两个或者多于两个的一组MOS管2焊接在陶瓷基电路板1的线路层11上;还包括两个或者多于两个的一组金属管脚3,两个或者多于两个的一组金属管脚3的一端焊接在陶瓷基电路板1的线路层11上,与两个或者多于两个的一组MOS管2对应连接;还包括产品电路板4,两个或者多于两个的一组金属管脚3的另外一端焊接在产品电路板4上,与产品电路板4上的电路对应连接;还包括产品外壳5;还包括金属弹片6,金属弹片6夹在陶瓷基电路板1的陶瓷基层12侧和产品外壳5的内侧之间。
[0017]如图2所示,为陶瓷基电路板1的结构示意图。陶瓷基电路板1由线路层11和陶瓷基层12组成。
[0018]如图3所示,为本专利技术实施例二的三相驱动电路MOS管部分参考电路图。包括六颗MOS;在电机驱动电路中被大量使用,应用于变频控制器。
[0019]以上所述,仅为本专利技术的较佳实施例,并不用以限制本专利技术,凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进,均应包含在本专利技术技术方案的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块的散热增强方法,其特征在于:包括陶瓷基电路板和两个或者多于两个的一组MOS管,陶瓷基电路板由线路层和陶瓷基层组成,两个或者多于两个的一组MOS管焊接在陶瓷基电路板的线路层上;还包括两个或者多于两个的一组金属管脚,两个或者多于两个的一组金属管脚的一端焊接在陶瓷基电路板的线路层上,与两个或者多于两个的一组MOS管对应连接;还包括产品...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵振涛
申请(专利权)人:赵振涛
类型:发明
国别省市:

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