一种用于半导体化学气相沉积的反应器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于半导体化学气相沉积的反应器，包括反应器本体，反应器本体的内部设置有腔室，腔室内设置有晶圆放置平台；反应器本体上还设置有出气支路，出气支路的进气端设置于腔室的内部且设置于晶圆放置平台的上方，出气支路的出气端设置于腔室外部。本实用新型专利技术的目的在于提供一种用于半导体化学气相沉积的反应器，在现有反应器的基础上增设一条排气支路，排气支路的进气端设置于晶圆放置平台的上方，排气支路的出气端设置于腔室的外部，从而使得在吸附残留气体时，首先吸附附着在晶圆上的气体，再吸附余下区域的气体，由于其余区域的残留气体对晶圆性能的影响较小，因此不需要通过增加吸附时长来将腔室内的所有气体全部排出。的所有气体全部排出。的所有气体全部排出。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体化学气相沉积的反应器


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于半导体化学气相沉积的反应器。

技术介绍

[0002]半导体工艺中，为在晶圆上均匀地喷射工艺气体，会使用淋浴喷头将工艺气体均匀地沉积在晶圆表面，由于晶圆制作过程中需要沉积多层气体，且每层气体的沉积厚度也是固定的，因此在沉积完某一层气体后，为保证气体的沉积厚度和避免对下层沉积气体造成污染，需要将腔室内残留的气体排除后再沉积下一层气体。
[0003]现有技术中，为保证将腔室内的残留气体排除干净，多通过增加泵的工作时长来将当前残留气体排出，严重的降低了工作效率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于半导体化学气相沉积的反应器，在现有反应器的基础上增设一条排气支路，该排气支路的进气端设置于晶圆放置平台的上方，排气支路的出气端设置于腔室的外部，从而使得在吸附残留气体时，首先吸附附着在晶圆上的气体，再吸附余下区域的气体，由于其余区域的残留气体对晶圆性能的影响较小，因此，不需要通过增加吸附时长来保证将腔室内的所有气体全部排出干净。
[0005]本技术通过下述技术方案实现：
[0006]本申请实施例提供一种用于半导体化学气相沉积的反应器，包括反应器本体，所述反应器本体的内部设置有腔室，所述腔室内设置有晶圆放置平台；所述反应器本体上还设置有出气支路，所述出气支路的进气端设置于所述腔室的内部且设置于所述晶圆放置平台的上方，所述出气支路的出气端设置于所述腔室的外部。
[0007]可选地，还包括淋浴喷头，所述淋浴喷头设置于所述腔室的内部且设置于所述晶圆放置平台的上方，所述出气支路的进气端与所述淋浴喷头连通设置。
[0008]可选地，所述淋浴喷头包括气体容纳腔，所述出气支路的进气端与所述气体容纳腔连通设置。
[0009]可选地，所述气体容纳腔靠近所述晶圆放置平台侧设置有多个出气通道。
[0010]可选地，所述出气通道等间隔设置在所述气体容纳腔的底部。
[0011]可选地，还包括淋浴喷头，所述淋浴喷头设置于所述腔室的内部且设置于所述晶圆放置平台的上方，所述出气支路的进气端设置于所述淋浴喷头和所述晶圆放置平台之间。
[0012]可选地，所述出气支路包括出气管道和吸气装置，所述出气管道的进气口设置于所述腔室的内部，所述出气管道的出气口设置于所述腔室的外部且与所述吸气装置固定连接。
[0013]可选地，所述吸气装置设置为泵机。
[0014]可选地，所述出气管道上设置有阀门。
[0015]可选地，设置于腔室内部的出气管道的管径小于设置于腔室外部的出气管道的管径。
[0016]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0017]1、在现有反应器的基础上，调整了腔室内残留气体的排除路径，在保证吸附能力的同时，极大的缩短了吸附时间。具体的为，在现有反应器的基础上增设了一条排气支路，该排气支路的进气端设置于晶圆放置平台的上方，排气支路的出气端设置于腔室的外部，从而使得在吸附残留气体时，首先吸附附着在晶圆上的气体，再吸附余下区域的气体，由于其余区域的残留气体对晶圆性能的影响较小，因此，不需要通过增加吸附时长来保证将腔室内的所有气体全部排出干净；
[0018]2、由于排气支路的进气端与晶圆的距离相隔较近，吸附能力提升，可以有效的将附着在晶圆上的气体吸附干净。
附图说明
[0019]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：
[0020]图1为本技术反应器的剖视图；
[0021]图2为本技术淋浴喷头的剖视图；
[0022]附图中标记及对应的零部件名称：
[0023]1、反应器本体；2、腔室；3、晶圆放置平台；4、出气支路；5、淋浴喷头；6、气体容纳腔；7、出气通道；8、阀门；9、进气支路。
具体实施方式
[0024]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
[0025]实施例1
[0026]本实施例提供了一种用于半导体化学气相沉积的反应器，如图1所示，包括反应器本体1，反应器本体1的内部设置有腔室2，腔室2内设置有用于放置晶圆的晶圆放置平台3；为了快速将腔室2内的多余气体排放出去，反应器本体1上还设置有一出气支路4，该出气支路4的进气端设置于腔室2的内部且设置于晶圆放置平台3的上方，出气支路4的出气端设置于腔室2的外部。
[0027]具体地，本实施例中的出气支路4包括出气管道和吸气装置，本实施例中的吸气装置设置为泵机，出气管道的进气口设置于腔室2的内部且设置于晶圆放置平台3的上方，出气管道的出气口设置于腔室2的外部且与泵机固定连接。其中，作为优选地，出气管道上设置有阀门8，用于控制出气管道的状态。
[0028]以下对本实施例的工作原理进行如下说明：
[0029]工作时，首先通过出气支路4将腔室2内的杂质气体吸附出去，以避免后续在对晶圆镀膜时形成杂质；其次通过进气支路9向腔室2内输送对应的气体，气体在加工条件下分
解从而在晶圆上沉积出对应厚度的薄膜，待该层薄膜沉积完成后，通过出气支路4将残留在晶圆上的多余的气体排出腔室2；然后再通过进气支路9向腔室2内输送对应的气体，以在晶圆上沉积上对应厚度的薄膜，重复上述过程，直至在晶圆表面沉积出所需要的薄膜。
[0030]在晶圆制作过程中，附着在晶圆上的多余气体通过泵从腔室2的底部吸附出去，由于腔室2的体积较大且泵设置在腔室2的底部，泵在吸附多余气体的过程中，首先吸附出去的气体是位于腔室2底部的气体(腔室2底部的气体对晶圆性能影响较小)，其次才是位于腔室2顶部的气体(这部分气体对晶圆性能影响较大)，因此，需要花费大量的吸附时间才能将位于腔室2顶部的气体吸附出腔室2；且由于吸附装置与晶圆的距离相隔较远，吸附能力不足，使得附着于晶圆上的残留气体不能被有效的吸附出腔室2，从而造成晶圆被感染。现有技术中为解决晶圆被残留气体污染的技术问题，大多是通过增加吸附时长来使得腔室2内的残留气体被完全吸附出去，从而极大的降低了工作效率。基于此，本申请实施例提供了一种新的用于半导体化学气相沉积的反应器，在现有反应器的基础上，调整了腔室2内残留气体的排除路径，在保证吸附能力的同时，极大的缩短了吸附时间。具体的为，在现有反应器的基础上增设了一条排气支路，该排气支路的进气端设置于晶圆放置平台3的上方，排气支路的出气端设置于腔室2的外部，从而使得在吸附残留气体时，首先吸附附着在晶圆上的气体，再吸附余下区域的残留气体，由于其余区域的残留气体对晶圆性能的影响较小，因此，不需要通过增加吸附时长来保证将腔室2内的所有气体全部排出干净；此外，由于排气支路的进气端与晶圆的距离相隔较近，吸附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体化学气相沉积的反应器，包括反应器本体(1)，所述反应器本体(1)的内部设置有腔室(2)，所述腔室(2)内设置有晶圆放置平台(3)；其特征在于，所述反应器本体(1)上还设置有出气支路(4)，所述出气支路(4)的进气端设置于所述腔室(2)的内部且设置于所述晶圆放置平台(3)的上方，所述出气支路(4)的出气端设置于所述腔室(2)的外部。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体化学气相沉积的反应器，其特征在于，还包括淋浴喷头(5)，所述淋浴喷头(5)设置于所述腔室(2)的内部且设置于所述晶圆放置平台(3)的上方，所述出气支路(4)的进气端与所述淋浴喷头(5)连通设置。3.根据权利要求2所述的一种用于半导体化学气相沉积的反应器，其特征在于，所述淋浴喷头(5)包括气体容纳腔(6)，所述出气支路(4)的进气端与所述气体容纳腔(6)连通设置。4.根据权利要求3所述的一种用于半导体化学气相沉积的反应器，其特征在于，所述气体容纳腔(6)靠近所述晶圆放置平台(3)侧设置有多个出气通道(7)。5.根据权利要求4所述的一种用于半导体化学气相沉积的反应器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭逃远，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：新型
国别省市：