芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，其是在一基材层的顶面形成一对顶面导电金属层，而在基材层的底面形成一对背面导电金属层。一电阻层形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层。该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层，由该强化结合层增强该电阻层和该基材层的顶面之间的界面接合强度，使该电阻层在烧结过程中不从该基材层的顶面剥离。材层的顶面剥离。材层的顶面剥离。

【技术实现步骤摘要】
芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构


[0001]本技术关于一种芯片电阻器，特别是一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构。

技术介绍

[0002]芯片电阻器已广泛使用在各种电子设备、仪器设备及通讯设备中。芯片电阻器分为厚膜芯片电阻器及薄膜芯片电阻器两种型态，其中该厚膜芯片电阻器的电极及电阻层是通过印刷(Printing)与烧结(Sinter)的技术予以制作，而薄膜芯片电阻器的电极及电阻层是通过溅镀(Sputter)的技术予以制作。
[0003]在典型的熟知芯片电阻器结构中，其主要包括一基材层、一对形成在该基材层背面的背面导电金属层、一对形成在该基材层顶面的顶面导电金属层、一电阻层覆盖在该基材层顶面和该顶面导电金属层相对应的一部分表面、一绝缘保护层覆盖该电阻层的表面。基材层的两端极则分别依序形成一导电层、一镍层、一锡层。
[0004]在上述熟知的芯片电阻器结构中，芯片电阻器两端的阻值取决于该电阻层的阻抗值。基材层一般为陶瓷材料或氧化铝材料所制成，而电阻层主要是以金属材料(例如Ag、Pd、Ru、Pt、NiCr、NiCrAl、CuNi、CuNiMn、FeCrAl等)所组成。电阻层的制备材料在经过涂布、烧结工序后形成在该基材层的表面，并电连通于两个对应的顶面导电金属层之间。
[0005]然而，目前已发现在该电阻层的烧结工序过程中，由于基材层和电阻层两者的材料特性不同(例如两者材料中所含有的陶瓷成分比例)，故电阻层经常无法和基材层的表面之间达到良好的界面结合，致使电阻层在烧结工序中即和基材层的表面形成剥离或局部分离状况。如此，不仅影响到电阻层和基材层两者间在机械特性方面的结合稳定性，也可能影响到电阻层在电特性方面的问题。

技术实现思路

[0006]本技术的主要目的是提供一种芯片电阻器的结构改良，通过改良该芯片电阻器的结构，而能克服前述熟知技术的缺失。
[0007]本技术为解决熟知技术的问题所采用的技术手段是在一基材层的顶面形成一对顶面导电金属层，而在基材层的背面形成一对背面导电金属层。一电阻层形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层。该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层，由该强化结合层增强该电阻层和该基材层的顶面之间的界面接合强度，使该电阻层在烧结过程中不由该基材层的顶面剥离。
[0008]为了达到上述目的，本技术提供了一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：
[0009]一基材层，具有两端极；
[0010]一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层之间具有一间距；
[0011]一对背面导电金属层，分别形成在该基材层的背面，且该对背面导电金属层之间具有一间距；
[0012]一电阻层，形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层；
[0013]其中：
[0014]该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层；
[0015]该强化结合层覆盖该基材层的该顶面的中段区段，而在距离该基材层的该两端极各预留一段未覆盖区段；
[0016]该对顶面导电金属层分别位于该基材层的该未覆盖区段和该强化结合层的两端的一部分表面；
[0017]该电阻层位于该强化结合层的表面和该对顶面导电金属层相对应的一部分表面。
[0018]本技术还提供了一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：
[0019]一基材层，具有两端极；
[0020]一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层之间具有一间距；
[0021]一对背面导电金属层，分别形成在该基材层的背面，且该对背面导电金属层之间具有一间距；
[0022]一电阻层，形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层；
[0023]其中：
[0024]该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层；
[0025]该强化结合层覆盖该基材层的该顶面的整个表面；
[0026]该对顶面导电金属层分别位于该强化结合层的两端邻近于该基材层的该两端极处的表面；
[0027]该电阻层位于该强化结合层的表面和该对顶面导电金属层相对应的一部分表面。
[0028]本技术还提供了一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：
[0029]一基材层，具有两端极；
[0030]一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层之间具有一间距；
[0031]一对背面导电金属层，分别形成在该基材层的背面，且该对背面导电金属层之间具有一间距；
[0032]一电阻层，形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层；
[0033]其中：
[0034]该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层；
[0035]该强化结合层覆盖该基材层的该顶面的中段区段，而在距离该基材层的该两端极各预留一段未覆盖区段；
[0036]该对顶面导电金属层分别位于该基材层的该未覆盖区段和该强化结合层的两端的一部分表面；
[0037]该电阻层位于该强化结合层的表面和该对顶面导电金属层之间。
[0038]本技术还提供了一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：
[0039]一基材层，具有两端极；
[0040]一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层之间具有一间距；
[0041]一对背面导电金属层，分别形成在该基材层的背面，且该对背面导电金属层之间具有一间距；
[0042]一电阻层，形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层；
[0043]其中：
[0044]该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层；
[0045]该强化结合层覆盖该基材层的该顶面的整个表面；
[0046]该对顶面导电金属层分别位于该强化结合层的两端邻近于该基材层的该两端极处的表面；
[0047]该电阻层位于该强化结合层的表面和该对顶面导电金属层之间。
[0048]根据本技术的具体实施方案，其中，该强化结合层包含陶瓷材料。
[0049]根据本技术的具体实施方案，其中，该基材层为陶瓷材料或氧化铝基材层。
[0050]相较于熟知技术，在本技术的结构设计中，通过形成在电阻层和基材层之间的强化结合层，可有效增强了电阻层和基材层的顶面之间的界面接合强度，使该电阻层在烧结过程中不由该基材层的顶面剥离，使电阻层和基材层两者之间达到良好的结合。
[0051]本技术所采用的具体结构，将通过以下的实施例及附图作进一步的说明。
附图说明
[0052]图1为本技术实施例1的结构剖视图。
[0053]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：一基材层，具有两端极；一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层之间具有一间距；一对背面导电金属层，分别形成在该基材层的背面，且该对背面导电金属层之间具有一间距；一电阻层，形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层；其特征在于：该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层；该强化结合层覆盖该基材层的该顶面的中段区段，而在距离该基材层的该两端极各预留一段未覆盖区段；该对顶面导电金属层分别位于该基材层的该未覆盖区段和该强化结合层的两端的一部分表面；该电阻层位于该强化结合层的表面和该对顶面导电金属层相对应的一部分表面。2.一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：一基材层，具有两端极；一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层之间具有一间距；一对背面导电金属层，分别形成在该基材层的背面，且该对背面导电金属层之间具有一间距；一电阻层，形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层；其特征在于：该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层；该强化结合层覆盖该基材层的该顶面的整个表面；该对顶面导电金属层分别位于该强化结合层的两端邻近于该基材层的该两端极处的表面；该电阻层位于该强化结合层的表面和该对顶面导电金属层相对应的一部分表面。3.一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，包括：一基材层，具有两端极；一对顶面导电金属层，分别形成在该基材层的顶面，且该对顶面导电金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪志谋，陈淳学，周东毅，
申请(专利权)人：信昌电子陶瓷股份有限公司，
类型：新型
国别省市：