一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法。该体声波滤波器包括：第一衬底；位于第一衬底的沿竖直方向设置的至少两个体声波谐振器，体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；沿竖直方向相邻设置的体声波谐振器包括第一体声波谐振器和第二体声波谐振器；第一衬底内设置有第一空腔结构，第一空腔结构位于第一体声波谐振器和第一衬底之间，第一空腔结构作为第一体声波谐振器的声反射结构；第二体声波谐振器位于第一空腔结构内，且与第一体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。本发明专利技术实施例提供的技术方案降低了体声波滤波器的封装尺寸，规避了体声波谐振器间的耦合寄生效应来提升体声波滤波器的带外抑制。的带外抑制。的带外抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法。

技术介绍

[0002]体声波滤波器具有工作频率高、功耗低、品质因数高等特点，目前已成为通信器件领域重要的器件被广泛应用。
[0003]现有的体声波滤波器存在如下两点缺陷：第一点，目前体声波滤波器中的体声波谐振器的横向布局方式使得体声波滤波器的封装尺寸过大。第二点，现如今版图中的两体声波谐振器间的耦合寄生效应会对体声波滤波器的带外抑制起到负面的作用，例如带外零点的退化等。
[0004]因此，一方面需要改变体声波滤波器中的体声波谐振器的横向布局方式，来减小体声波滤波器的封装尺寸；另一方面还需要规避体声波谐振器间的耦合寄生效应来提升体声波滤波器的带外抑制。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法，以降低体声波滤波器的封装尺寸，以规避体声波谐振器间的耦合寄生效应来提升体声波滤波器的带外抑制。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供了一种体声波滤波器，包括：
[0007]第一衬底；
[0008]位于所述第一衬底的沿竖直方向设置的至少两个体声波谐振器，所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；
[0009]沿竖直方向相邻设置的体声波谐振器包括第一体声波谐振器和第二体声波谐振器；
[0010]所述第一衬底内设置有第一空腔结构，所述第一空腔结构位于所述第一体声波谐振器和所述第一衬底之间，所述第一空腔结构作为所述第一体声波谐振器的声反射结构；
[0011]所述第二体声波谐振器位于所述第一空腔结构内，且与所述第一体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。
[0012]可选地，所述第一体声波谐振器位于所述第一衬底的表面；
[0013]所述第一衬底设置有第一容纳凹槽，所述第二体声波谐振器位于所述第一容纳凹槽内，所述第一容纳凹槽作为所述第一空腔结构。
[0014]可选地，所述第一衬底设置有第二容纳凹槽，所述第一体声波谐振器的部分或者全部位于所述第二容纳凹槽内；
[0015]所述第一衬底还设置有第三容纳凹槽，所述第二体声波谐振器位于所述第三容纳凹槽内，所述第三容纳凹槽位于所述第二容纳凹槽的底面，所述第三容纳凹槽的水平方向
尺寸小于所述第二容纳凹槽的水平方向尺寸；
[0016]所述第三容纳凹槽作为所述第一空腔结构。
[0017]可选地，所述第一衬底还设置有第二空腔结构，所述第二空腔结构位于所述第一衬底和所述第二体声波谐振器之间，所述第二空腔结构作为所述第二体声波谐振器的声反射结构。
[0018]可选地，沿竖直方向相邻设置的三个体声波谐振器包括所述第一体声波谐振器、所述第二体声波谐振器和第三体声波谐振器，所述第三体声波谐振器和所述第二体声波谐振器在竖直方向相邻设置，所述第三体声波谐振器位于所述第二空腔结构内，且所述第三体声波谐振器与所述第二体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。
[0019]可选地，所述第一衬底设置有第四容纳凹槽，所述第三体声波谐振器位于所述第四容纳凹槽内，所述第四容纳凹槽位于放置所述第二体声谐振器的容纳凹槽的底面，且所述第四容纳凹槽的水平方向尺寸小于放置所述第二体声谐振器的容纳凹槽的水平方向尺寸，所述第四容纳凹槽作为所述第二空腔结构。
[0020]可选地，所述第一衬底还设置有第三空腔结构，所述第三空腔结构位于所述第一衬底和所述第三体声波谐振器之间。
[0021]可选地，所述第二体声波谐振器的水平方向尺寸小于所述第一体声波谐振器的水平方向尺寸。
[0022]可选地，还包括与所述第一衬底在竖直方向堆叠设置的第二衬底，所述第二衬底靠近所述第一衬底的一侧设置有至少一个体声波谐振器。
[0023]可选地，所述第二衬底靠近所述第一衬底的一侧设置有沿竖直方向设置的至少两个体声波谐振器；
[0024]沿竖直方向相邻设置的体声波谐振器包括第四体声波谐振器和第五体声波谐振器；
[0025]所述第二衬底内设置有第四空腔结构，所述第四空腔结构位于所述第四体声波谐振器和所述第二衬底之间，所述第四空腔结构作为所述第四体声波谐振器的声反射结构；
[0026]所述第五体声波谐振器位于所述第四空腔结构内，且与所述第四体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。
[0027]可选地，位于所述第一衬底和位于所述第二衬底的体声波谐振器在水平面的正投影无交叠。
[0028]可选地，位于所述第一衬底表面的体声波谐振器的电极和位于所述第二衬底表面的体声波谐振器的电极在竖直平面的正投影无交叠，所述电极包括底电极和顶电极中的至少一个。
[0029]可选地，位于所述第一衬底表面的体声波谐振器的压电层和位于所述第二衬底表面的体声波谐振器的顶电极在竖直平面的正投影有交叠；
[0030]位于所述第一衬底表面的体声波谐振器的顶电极和位于所述第二衬底表面的体声波谐振器的压电层在竖直平面的正投影有交叠；
[0031]位于所述第一衬底表面的体声波谐振器的顶电极与位于所述第二衬底表面的体声波谐振器的顶电极在竖直平面的正投影无交叠；
[0032]位于所述第一衬底表面的体声波谐振器的底电极与位于所述第二衬底表面的体
声波谐振器的底电极和顶电极在竖直平面的正投影无交叠。
[0033]可选地，所述第一衬底与第二衬底之间的距离大于位于衬底表面的任意一个体声波谐振器的高度，所述第一衬底与第二衬底之间的距离小于位于第一衬底表面的任意一个体声波谐振器的高度和位于第二衬底表面的任意一个体声波谐振器的高度之和。
[0034]还包括钝化保护层，所述钝化保护层位于所述第二体声波谐振器靠近所述第一体声波谐振器的表面侧，所述钝化保护层位于所述第一空腔结构内，且与所述第一体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。
[0035]根据本专利技术的另一方面，提供了一种通信器件，其特征在于，包括本专利技术实施例任一所述的体声波滤波器；
[0036]所述通信器件包括滤波器、双工器以及多工器中的至少一种。
[0037]根据本专利技术的另一方面，提供了一种体声波滤波器的制备方法，包括：
[0038]提供第一衬底；
[0039]在所述第一衬底形成沿竖直方向设置的至少两个体声波谐振器；
[0040]其中，所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；
[0041]沿竖直方向相邻设置的体声波谐振器包括第一体声波谐振器和第二体声波谐振器；
[0042]所述第一衬底内设置有第一空腔结构，所述第一空腔结构位于所述第一体声波谐振器和所述第一衬底之间，所述第一空腔结构作为所述第一体声波谐振器的声反射结构；
[0043]所述第二体声波谐振器位于所述第一空腔结构内，且与所述第一体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。
[0044]可选地，在所述第一衬底形成沿竖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底的沿竖直方向设置的至少两个体声波谐振器，所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；沿竖直方向相邻设置的体声波谐振器包括第一体声波谐振器和第二体声波谐振器；所述第一衬底内设置有第一空腔结构，所述第一空腔结构位于所述第一体声波谐振器和所述第一衬底之间，所述第一空腔结构作为所述第一体声波谐振器的声反射结构；所述第二体声波谐振器位于所述第一空腔结构内，且与所述第一体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一体声波谐振器位于所述第一衬底的表面；所述第一衬底设置有第一容纳凹槽，所述第二体声波谐振器位于所述第一容纳凹槽内，所述第一容纳凹槽作为所述第一空腔结构。3.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一衬底设置有第二容纳凹槽，所述第一体声波谐振器的部分或者全部位于所述第二容纳凹槽内；所述第一衬底还设置有第三容纳凹槽，所述第二体声波谐振器位于所述第三容纳凹槽内，所述第三容纳凹槽位于所述第二容纳凹槽的底面，所述第三容纳凹槽的水平方向尺寸小于所述第二容纳凹槽的水平方向尺寸；所述第三容纳凹槽作为所述第一空腔结构。4.根据权利要求1
‑
3任一所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一衬底还设置有第二空腔结构，所述第二空腔结构位于所述第一衬底和所述第二体声波谐振器之间，所述第二空腔结构作为所述第二体声波谐振器的声反射结构。5.根据权利要求4所述的体声波滤波器，其特征在于，沿竖直方向相邻设置的三个体声波谐振器包括所述第一体声波谐振器、所述第二体声波谐振器和第三体声波谐振器，所述第三体声波谐振器和所述第二体声波谐振器在竖直方向相邻设置，所述第三体声波谐振器位于所述第二空腔结构内，且所述第三体声波谐振器与所述第二体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。6.根据权利要求5所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一衬底设置有第四容纳凹槽，所述第三体声波谐振器位于所述第四容纳凹槽内，所述第四容纳凹槽位于放置所述第二体声谐振器的容纳凹槽的底面，且所述第四容纳凹槽的水平方向尺寸小于放置所述第二体声谐振器的容纳凹槽的水平方向尺寸，所述第四容纳凹槽作为所述第二空腔结构。7.根据权利要求5所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一衬底还设置有第三空腔结构，所述第三空腔结构位于所述第一衬底和所述第三体声波谐振器之间。8.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二体声波谐振器的水平方向尺寸小于所述第一体声波谐振器的水平方向尺寸。9.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，还包括与所述第一衬底在竖直方向堆叠设置的第二衬底，所述第二衬底靠近所述第一衬底的一侧设置有至少一个体声波谐振器。10.根据权利要求9所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二衬底靠近所述第一衬
底的一侧设置有沿竖直方向设置的至少两个体声波谐振器；沿竖直方向相邻设置的体声波谐振器包括第四体声波谐振器和第五体声波谐振器；所述第二衬底内设置有第四空腔结构，所述第四空腔结构位于所述第四体声波谐振器和所述第二衬底之间，所述第四空腔结构作为所述第四体声波谐振器的声反射结构；所述第五体声波谐振器位于所述第四空腔结构内，且与所述第四体声波谐振器在竖直方向间距预设距离。11.根据权利要求9所述的体声波滤波器，其特征在于，位于所述第一衬底和位于所述第二衬底的体声波谐振器在水平面的正投影无交叠。12.根据权利要求9所述的体声波滤波器，其特征在于，位于所述第一衬底表面的体...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焱昆，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：