气体放电管组件制造技术

技术编号:35029956 阅读:13 留言:0更新日期:2022-09-24 23:03
一种气体放电管组件,包括多单元气体放电管(GDT)。多单元GDT包括限定GDT腔室的壳体、位于GDT腔室中的多个内电极、位于GDT腔室中的触发电阻器、以及容纳在GDT腔室中的气体。内电极以间隔开的关系串联地设置在腔室中,以限定一系列单元和火花隙。触发电阻器包括暴露于至少一个单元的界面表面。触发电阻器响应于通过触发电阻器的电涌而沿着界面表面产生火花,从而促进至少一个单元中的电弧。促进至少一个单元中的电弧。促进至少一个单元中的电弧。

【技术实现步骤摘要】
气体放电管组件
[0001]本申请是2019年11月14日递交的专利申请,国家申请号为201911113235.0,专利技术名称为“气体放电管组件”的专利申请的分案申请。
[0002]相关申请
[0003]本申请要求于2018年11月5日提交的美国临时专利申请第62/767,917号和于2019年6月21日提交的美国临时专利申请第62/864,867号的利益和优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。


[0004]本专利技术涉及一种电路保护装置,且具体地说,涉及一种过电压保护装置和方法。

技术介绍

[0005]过大的电压或电流常常被施加到向住宅和商业和机构设施输送电力的服务线路。例如,这种过大的电压或电流尖峰(瞬时过电压和浪涌电流)可能是由雷击引起的。上述事件在电信配送中心、医院和其它设施中可能是特别令人关注的,在这些场所中,由过电压和/或电流浪涌所引起的设备损坏以及由此导致的停机时间可能是非常昂贵的。

技术实现思路

[0006]根据一些实施例,气体放电管组件包括多单元气体放电管(GDT)。多单元GDT包括:限定GDT腔室的壳体;位于GDT腔室中的多个内电极;位于GDT腔室中的触发电阻器;以及容纳在GDT腔室中的气体。所述内电极以间隔开的关系串联地设置在所述腔室中,以限定一系列单元和火花隙。触发电阻器包括暴露于至少一个单元中的界面表面。触发电阻器响应于通过触发电阻器的电涌而沿着界面表面产生火花,从而促进所述至少一个单元中的电弧。
[0007]在一些实施例中,多单元GDT包括第一触发端部电极和第二触发端部电极,一系列单元和火花隙从第一触发端部电极延伸到第二触发端部电极,触发电阻器将第一触发端部电极电连接到第二触发端部电极。
[0008]在一些实施例中,触发电阻器暴露于多个单元,并且响应于通过所述触发电阻器的电涌而沿着所述界面表面产生火花,并从而促进所述多个单元中的电弧。
[0009]在一些实施例中,多单元GDT具有主轴线,并且内电极、第一触发端部电极和第二触发端部电极沿着主轴线间隔开,并且触发电阻器被配置为沿着主轴线延伸的细长条。
[0010]根据一些实施例,多单元GDT包括多个触发电阻器,所述多个触发电阻器沿着主轴线延伸并且分别具有界面表面,每个触发电阻器暴露于多个单元,并且响应于通过触发电阻器的电涌而沿着所述触发电阻器的界面表面产生火花,从而促进所述多个单元中的电弧。
[0011]在一些实施例中,气体放电管组件包括触发装置。触发装置包括:触发装置基板,所述触发装置基板包括限定在其中的轴向延伸的凹槽;以及触发电阻器。触发电阻器设置在凹槽中,使得界面层被暴露。
[0012]根据一些实施例,触发装置基板包括限定在其中的多个轴向延伸的且基本平行的凹槽,并且触发装置包括多个触发电阻器,每个触发电阻器设置在对应的一个凹槽中。
[0013]在一些实施例中,气体放电管组件还包括外电阻器,所述外电阻器将第一触发端部电极电连接到第二触发端部电极,并且不暴露于单元。
[0014]在一些实施例中,外电阻器安装在所述壳体的外部上。
[0015]根据一些实施例,触发电阻器包括面向内电极并且包括界面表面的内表面,并且气体放电管组件还包括电绝缘电阻保护层,电绝缘电阻保护层结合到内表面上,位于内表面和内电极之间。
[0016]根据一些实施例,气体放电管组件包括与多单元GDT串联连接的一体的主GDT。所述主GDT被操作以响应于跨越气体放电管组件的过电压条件并且在电流跨越多单元GDT的多个火花隙而传导之前传导电流。
[0017]在一些实施例中,主GDT电连接到触发电阻器,使得当主GDT传导电流时,电流传导通过触发电阻器。
[0018]根据一些实施例,主GDT位于GDT腔室中,并且GDT腔室是气密密封的。
[0019]在一些实施例中,GDT腔室是气密密封的,主GDT包括与GDT腔室气密密封的主GDT腔室,并且主GDT腔室容纳与GDT腔室中的气体不同的主GDT气体。
[0020]根据一些实施例,GDT腔室是气密密封的。
[0021]在一些实施例中,壳体包括:管状壳体绝缘件;以及至少一个加强构件,所述至少一个加强构件定位在壳体绝缘件中,位于内电极和壳体绝缘件之间。
[0022]根据一些实施例,所述至少一个加强构件包括多个定位狭槽,内电极分别位于对应的一个定位槽中,使得内电极由此保持轴向间隔开的关系,并且能够横向移动有限的位移距离。
[0023]根据一些实施例,内电极是基本上平坦的板。
[0024]在一些实施例中,触发电阻器由具有在从约0.1微欧姆

米到10,000欧姆

米的范围内的电阻率的材料形成。
[0025]在一些实施例中,触发电阻器具有在从约0.1欧姆到100欧姆的范围内的电阻。
[0026]根据一些实施例,触发电阻器的界面表面是非均质的且多孔的。
[0027]在一些实施例中,多单元GDT具有主轴线,并且内电极沿着主轴线间隔开,触发电阻器沿主轴线延伸,多个横向延伸的、轴向间隔开的表面凹槽被限定在触发电阻器的界面表面中,表面凹槽不完全延伸穿过触发电阻器的厚度,使得触发电阻器的剩余部分存在于每个表面凹槽的基部处并且在触发电阻器的整个长度上提供电连续性。
[0028]根据一些实施例,每个表面凹槽具有从约0.2毫米到1毫米范围内的轴向延伸宽度。
[0029]在一些实施例中,气体放电管组件包括热断开机构,所述热断开机构响应于在气体放电管组件中产生的热以将气体放电管组件从电路断开。
[0030]在一些实施例中,气体放电管组件包括一体的测试气体放电管(GDT)。所述测试GDT包括:测试GDT电极和测试GDT腔室,所述测试GDT腔室与GDT腔室流体连通以允许气体在GDT腔室和测试GDT腔室之间流动。
附图说明
[0031]图1是根据一些实施例的GDT组件的立体图。
[0032]图2是图1的GDT组件的分解立体图。
[0033]图3是沿图1的线3

3截取的图1的GDT组件的剖视图。
[0034]图4是沿图1的线4

4截取的图1的GDT组件的剖视图。
[0035]图5是形成图1的GDT组件的一部分的触发装置基板的立体图。
[0036]图6是形成图1的GDT组件的一部分的触发装置的局部立体图。
[0037]图7是形成图1的GDT组件的一部分的触发装置的立体图。
[0038]图8是沿图7的线8

8截取的图7的触发装置的剖视图。
[0039]图9是沿图7的线8

8截取的图7的触发装置的放大的局部剖视图。
[0040]图10是图1的GDT组件的局部立体图。
[0041]图11是沿图10的线11

11截取的图10的GDT组件的剖视图。
[0042]图12是本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体放电管组件,包括:多单元气体放电管(GDT),包括:限定GDT腔室的壳体;位于GDT腔室中的多个内电极;位于GDT腔室中的触发电阻器;以及容纳在GDT腔室中的气体;其中,所述内电极以间隔开的关系串联地设置在所述腔室中,以限定一系列单元和火花隙;并且其中:所述触发电阻器包括暴露于至少一个单元的界面表面;并且所述触发电阻器响应于通过触发电阻器的电涌而沿着界面表面产生火花,从而促进所述至少一个单元中的电弧。2.如权利要求1所述的气体放电管组件,其中,所述触发电阻器暴露于多个单元,并且响应于通过所述触发电阻器的电涌而沿着所述界面表面产生火花,并从而促进所述多个单元中的电弧。3.如权利要求1所述的气体放电管组件,其中:所述多单元GDT具有主轴线,并且内电极沿着所述主轴线间隔开;并且所述触发电阻器被配置为沿着主轴线延伸的细长条。4.如权利要求3所述的气体放电管组件,其中:所述多单元GDT包括多个触发电阻器,所述多个触发电阻器沿着主轴线延伸并且每个触发电阻器具有界面表面;并且每个所述触发电阻器暴露于多个单元,并且响应于通过触发电阻器的电涌而沿着所述触发电阻器的界面表面产生火花,从而促进所述多个单元中的电弧。5.如权利要求3所述的气体放电管组件,包括触发装置,其中所述触发装置包括:触发装置基板,所述触发装置基板包括限定在其中的轴向延伸的凹槽;以及触发电阻器,其中触发电阻器设置在凹槽中,使得界面层被暴露。6.如权利要求5所述的气体放电管组件,其中:所述触发装置基板包括限定在其中的多个轴向延伸的且基本平行的凹槽;并且所述触发装置包括多个触发电阻器,每个触发电阻器设置在对应的一个凹槽中。7.如权利要求1所述的气体放电管组件,还包括外电阻器,所述外电阻器:将第一触发端部电极电连接到第二触发端部电极;并且不暴露于单元。8.如权利要求7所述的气体放电管组件,其中,所述外电阻器安装在所述壳体的外部上。9.如权利要求1所述的气体放电管组件,其中:所述触发电阻器包括面向内电极并且包括界面表面的内表面;并且所述气体放电管组件还包括电绝缘电阻保护层,所述电绝缘电阻保护层结合到内表面上,位于内表面和内电极之间。10.如权利要求1所述的气体放电管组件,包括与多单元GDT串联连接的一体的主GDT,
其中,所述主GDT被操作以响应于跨越气体放电管组件的过电压条件并且在电流跨越多单元GDT的多个火花隙而传导之前传导电流。11.如权利要求10所述的气体放电管组件,其中,所述主GDT电连接到触发电阻器,使得当主GDT传导...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗伯特
申请(专利权)人:RIPD知识产权发展有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1