【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电同轴传感器及压电同轴传感器的制造方法
[0001]本专利技术涉及抑制输出特性恶化的压电同轴传感器以及压电同轴传感器的制造方法。
技术介绍
[0002]公知在同轴电缆的中心导体与外部导体之间配置了压电元件的压电同轴传感器。压电同轴传感器经由中心导体和外部导体来探测在从该传感器的外周面施加力的情况下所产生的压电元件的电压，从而检测该力。利用该性质，对设置压电同轴传感器的被测量物的变形、向被测量物施加的力、振动等进行检测。对于这样的压电同轴传感器的压电元件，公知存在使用由聚偏氟乙烯(PVDF)构成的高分子压电体的压电元件。
[0003]下述专利文献1中记载有这样的压电同轴传感器。该压电同轴传感器由中心导体、包覆中心导体的外周面的由PVDF构成的高分子压电体层、包围高分子压电体层的外周面的外部导体、以及包覆外部导体的外周面的护套层亦即绝缘层构成。该护套层通过挤出成型形成。
[0004]专利文献1：日本特开2017
‑
183570号公报
[0005]但是，上述专利文献1中记载的压电同轴传感器存在输出较小的趋势。该原因被认为是因为在通过挤出成型来形成护套层时，PVDF的极化降低。因此，存在希望通过带缠绕来形成护套层的要求。在带缠绕的情况下，至少构成暴露于外部的护套的带需要通过粘合来固定。在使用具有粘合性的带的情况下，因为制造上的问题，存在希望使用由热塑性树脂构成的粘合剂的要求，但若使用这样的粘合剂，则担心由在加热时PVDF的极化降低导致的输出特性的恶化。
技术实现思路
>[0006]因此，本专利技术的目的在于提供一种抑制输出特性恶化的压电同轴传感器以及压电同轴传感器的制造方法。
[0007]为了解决上述课题，本专利技术的压电同轴传感器的特征在于，具备传感器部和至少一个护套层，上述传感器部具有线状的中心导体、包覆上述中心导体的外周面的包含聚偏氟乙烯的高分子压电体层、以及包围上述高分子压电体层的外周面的第一外部导体，上述护套层具有以包围上述传感器部的外周面的方式缠绕的带状的膜，上述护套层中的暴露于外部的上述护套层的上述膜通过由熔点为120℃以下的热塑性树脂构成的粘合层而粘合于该粘合层所接触的部件。
[0008]另外，为了解决上述课题，本专利技术的压电同轴传感器的制造方法的特征在于，具备准备工序和护套层形成工序，上述准备工序是准备传感器部的工序，上述传感器部具有线状的中心导体、包覆上述中心导体的外周面的包含聚偏氟乙烯的高分子压电体层、以及包围上述高分子压电体层的外周面的第一外部导体，上述护套层形成工序是形成至少一个护套层的工序，上述护套层具有以包围上述传感器部的外周面的方式缠绕的带状的膜，上述
护套层形成工序包括形成上述护套层中的暴露于外部的上述护套层的外露护套形成工序，上述外露护套形成工序包括卷绕工序和粘合工序，上述卷绕工序是将成为暴露于外部的上述护套层的上述膜以包围上述传感器部的外周面的方式经由由熔点为120℃以下的热塑性树脂构成的粘合层而缠绕于该粘合层所接触的部件的外周面的工序，上述粘合工序是将缠绕了成为暴露于外部的上述护套层的上述膜的上述传感器部在120℃以下加热，从而通过上述粘合层来将该膜粘合于上述部件的工序。
[0009]本专利技术人使用由热塑性树脂构成的粘合层作为粘合剂，在各种温度下将膜固定于传感器部。其结果是发现了：在压电同轴传感器的高分子压电体层包含PVDF的情况下，若在120度以下加热，则抑制输出特性的恶化。该原因被认为是因为若是这样的条件的加热，则抑制PVDF的极化的降低。因此，在本专利技术的压电同轴传感器中，能够通过120℃以下的加热来形成暴露于外部的护套层，由此能够抑制PVDF的极化的降低。因此，压电同轴传感器能够抑制输出特性的恶化。另外，本专利技术的压电同轴传感器的制造方法通过120℃以下的加热来形成暴露于外部的护套层，由此能够制造能够抑制PVDF的极化的降低而抑制输出特性的恶化的压电同轴传感器。
[0010]另外，也可以是上述热塑性树脂包含乙烯乙酸乙烯酯共聚物。
[0011]该情况下，能够成为熔点为120度以下的粘合层。
[0012]另外，优选为：上述的压电同轴传感器具备第一护套层、第二外部导体以及第二护套层，上述第一护套层包括一个以上的上述护套层并包覆上述传感器部的外周面，上述第二外部导体包围上述第一护套层的外周面，上述第二护套层包括一个以上的上述护套层并包覆上述第二外部导体的外周面，上述第二护套层的最外侧的上述护套层是暴露于外部的上述护套层。
[0013]另外，优选为：上述的压电同轴传感器的制造方法具备第一护套层形成工序、第二外部导体形成工序以及第二护套层形成工序，上述第一护套层形成工序是形成包括一个以上的上述护套层并包覆上述传感器部的外周面的第一护套层的工序，上述第二外部导体形成工序是形成包围上述第一护套层的外周面的第二外部导体的工序，上述第二护套层形成工序是形成包括一个以上的上述护套层并包覆上述第二外部导体的外周面的第二护套层的工序，上述第二护套层的最外侧的上述护套层是暴露于外部的上述护套层。
[0014]在这样的压电同轴传感器以及压电同轴传感器的制造方法中，第二外部导体作为屏蔽层发挥作用，能够抑制外部的电磁场等的影响到达中心导体、第一外部导体。因此，能够抑制由于外部的电磁场等而噪声重叠于中心导体、第一外部导体。因此，压电同轴传感器能够具有优异的耐噪声特性。此外，耐噪声特性是抑制外来噪声的特性，在耐噪声性较高的情况下，S/N比高。另外，通过第二护套层，能够将作为屏蔽层发挥作用的第二外部导体的外周面与外部绝缘。因此，能够进一步抑制噪声经由第二外部导体而重叠于中心导体、第一外部导体。
[0015]另外，优选为：在如上述那样压电同轴传感器具备第一护套层、第二外部导体以及第二护套层的情况下，上述第一护套层具有内侧第一护套层和外侧第一护套层，上述内侧第一护套层包覆上述传感器部的外周面且上述内侧第一护套层的上述膜不粘合于上述传感器部，上述外侧第一护套层包覆上述内侧第一护套层的外周面且上述外侧第一护套层的上述膜通过上述粘合层而粘合于上述内侧第一护套层。
[0016]另外，优选为：在如上述那样压电同轴传感器的制造方法具备第一护套层形成工序、第二外部导体形成工序以及第二护套层形成工序的情况下，上述第一护套层形成工序具有形成内侧第一护套层的内侧第一护套层形成工序、和形成外侧第一护套层的外侧第一护套层形成工序，上述内侧第一护套层包覆上述传感器部的外周面且上述内侧第一护套层的上述膜不粘合于上述传感器部，上述外侧第一护套层包覆上述内侧第一护套层的外周面且上述外侧第一护套层的上述膜通过上述粘合层而粘合于上述内侧第一护套层，上述外侧第一护套层形成工序包括外侧第一护套层卷绕工序和外侧第一护套层粘合工序，上述外侧第一护套层卷绕工序是将成为上述外侧第一护套层的上述膜经由上述粘合层而缠绕于上述内侧第一护套层的外周面的工序，上述外侧第一护套层粘合工序是将在上述外侧第一护套层卷绕工序中缠绕了成为上述外侧第一护套层的上述膜的上述内侧第一护套层及上述传感器本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电同轴传感器，其特征在于，具备：传感器部，具有线状的中心导体、包覆所述中心导体的外周面的包含聚偏氟乙烯的高分子压电体层、以及包围所述高分子压电体层的外周面的第一外部导体；和至少一个护套层，具有以包围所述传感器部的外周面的方式缠绕的带状的膜，所述护套层中的暴露于外部的所述护套层的所述膜通过由熔点为120℃以下的热塑性树脂构成的粘合层而粘合于该粘合层所接触的部件。2.根据权利要求1所述的压电同轴传感器，其特征在于，所述热塑性树脂包含乙烯乙酸乙烯酯共聚物。3.根据权利要求1或2所述的压电同轴传感器，其特征在于，具备：第一护套层，包括一个以上的所述护套层并包覆所述传感器部的外周面；第二外部导体，包围所述第一护套层的外周面；以及第二护套层，包括一个以上的所述护套层并包覆所述第二外部导体的外周面，所述第二护套层的最外侧的所述护套层是暴露于外部的所述护套层。4.根据权利要求3所述的压电同轴传感器，其特征在于，所述第一护套层具有：内侧第一护套层，包覆所述传感器部的外周面，所述内侧第一护套层的所述膜不粘合于所述传感器部；和外侧第一护套层，包覆所述内侧第一护套层的外周面，所述外侧第一护套层的所述膜通过所述粘合层而粘合于所述内侧第一护套层。5.根据权利要求3或4所述的压电同轴传感器，其特征在于，所述第二护套层具有：内侧第二护套层，包覆所述第二外部导体的外周面，所述内侧第二护套层的所述膜不粘合于所述第二外部导体；和外侧第二护套层，是所述第二护套层的最外侧的所述护套层，并且包覆所述内侧第二护套层的外周面，所述外侧第二护套层的所述膜通过所述粘合层而粘合于所述内侧第二护套层。6.一种压电同轴传感器的制造方法，其特征在于，具备：准备工序，准备传感器部，所述传感器部具有线状的中心导体、包覆所述中心导体的外周面的包含聚偏氟乙烯的高分子压电体层、以及包围所述高分子压电体层的外周面的第一外部导体；和护套层形成工序，形成具有以包围所述传感器部的外周面的方式缠绕的带状的膜的至少一个护套层，所述护套层形成工序包括形成所述护套层中的暴露于外部的所述护套层的外露护套形成工序，所述外露护套形成工序包括：卷绕工序，将成为暴露于外部的所述护套层的所述膜以包围所述传感器部的外周面的方式，经由由熔点为120℃以下的热塑性树脂构成的粘合层而缠绕...
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