衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述的衬底加工方法包括对晶棒进行切割处理，获得衬底；对衬底的切割表面进行退火处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复；对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明专利技术所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用退火和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及衬底的翘曲度，进而消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，降低了衬底的生产成本。降低了衬底的生产成本。降低了衬底的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管。

技术介绍

[0002]目前常规的衬底加工工艺一般包括线切、研磨、倒角、退火、铜抛和抛光等过程。传统的机械加工中线切的钻石线有一定的直径，大约100μm～500μm，在切割过程中，钻石线做高速往复运动，不可避免地会产生抖动，因此，会在衬底的表面形成线切痕，同时也会在衬底的表面或者内部产生损伤，使衬底发生变形，产生很大的翘曲，线切产生的翘曲(warp)可达40μm以上。
[0003]为了修复衬底的翘曲，一般采用研磨制程对线切后的衬底进行处理。但是，采用机械研磨去除翘曲部分，一方面研磨本身需要磨耗约60μm的晶体材料，且会在衬底的表面产生较厚的损伤层，后续需要去除较厚的损伤层，导致晶体材料浪费严重，衬底加工成本大大升高；另一方面，还会引入不均匀的机械应力，该不均匀的应力也会改变衬底的原子间距，降低衬底以及后续生长外延材料的品质。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，以简化衬底加工过程，降低衬底的残余应力，同时提高衬底的品质，节省衬底材料。
[0005]为了实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种衬底加工方法，方法包括以下步骤：
[0006]对晶棒进行切割处理，获得衬底；
[0007]对衬底的切割表面进行退火处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复；
[0008]对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行补偿修复。
[0009]可选地，退火处理时的退火温度介于1300℃～1800℃。
[0010]可选地，退火处理包括：
[0011]升温：以0.5～200℃/min的升温速率，将加热炉升温至1300℃～1800℃；
[0012]保温：在1300～1800℃的温度范围内，保温0.1h～50h；
[0013]降温：以0.5～200℃/min的降温速率将加热炉降温至室温。
[0014]可选地，对衬底的翘曲部分进行隐切处理，包括：
[0015]通过激光扫描衬底的切割表面，以在衬底的翘曲部分的预定深度位置产生改性层。
[0016]可选地，采用激光扫描衬底的切割表面，以在衬底的翘曲部分的预定深度位置产生改性层，包括：
[0017]采用激光在翘曲部分对应的衬底内形成多个改性点，多个改性点形成改性层。
[0018]可选地，在采用激光扫描衬底的切割表面之前，还包括：
[0019]将衬底的非翘曲部分涂覆激光阻挡层，以阻挡激光的射入。
[0020]可选地，激光的改性点在衬底的切割表面的投影图形的横向长度和纵向长度均介于1μm～20mm。
[0021]可选地，投影图形的形状为圆形、椭圆或多边形。
[0022]可选地，激光在衬底上进行扫描的扫描线间距介于20μm～10mm。
[0023]可选地，在对衬底进行退火处理之前，还包括：
[0024]对衬底进行倒角处理。
[0025]可选地，可选地，在衬底进行退火处理之后，对衬底进行隐切处理之前，还包括：
[0026]对衬底进行抛光处理。
[0027]可选地，切割处理为线切割。
[0028]本专利技术还提供一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：
[0029]提供一衬底，衬底采用上述的衬底加工方法形成；
[0030]在衬底的表面形成发光结构，发光结构包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、有源层和与第一半导体层类型相反的第二半导体层。
[0031]本专利技术还提供一种衬底，采用上述的衬底加工方法形成。
[0032]本专利技术还提供一种发光二极管，包括：
[0033]衬底，衬底采用上述的衬底加工方法形成；
[0034]形成在衬底表面的发光结构，发光结构在衬底的表面依次包括第一半导体层、有源层和与第一半导体层类型相反的第二半导体层。
[0035]与现有技术相比，本专利技术所述的衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管至少具备如下有益效果：
[0036]本专利技术所述的衬底加工方法包括对晶棒进行切割处理，获得衬底；对衬底的切割表面进行退火处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复；对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步地补偿修复。进而，本专利技术所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用退火和隐切步骤大幅度降低线切后衬底产生的内应力及衬底的翘曲度，同时消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，降低了衬底的生产成本。
[0037]进一步地，在退火处理前还包括倒角步骤，倒角的主要目的是降低边缘的应力集中，防止后续抛光过程中破片；在退火步骤之后，隐切步骤之前还包括抛光步骤，将抛光步骤设置于隐切步骤之前，隐切激光从抛光面入射，能够保证激光通过较为平坦的衬底表面聚焦在衬底内的一个特定深度，保证隐切质量及隐切效率。
[0038]本专利技术所述的衬底及发光二极管、发光二极管的制造方法中的衬底均由上述衬底加工方法制成，同样地，具备上述技术效果。
附图说明
[0039]图1为现有技术中的衬底加工方法流程图；
[0040]图2为本专利技术实施例中的衬底加工方法流程图；
[0041]图3为本专利技术实施例中在衬底侧面观察的聚焦激光在衬底中形成改质点的示意
图；
[0042]图4a为本专利技术实施例中偏心圆面型的线切衬底示意图；
[0043]图4b为本专利技术实施例中线切面型a的线切衬底示意图；
[0044]图4c为本专利技术实施例中线切面型b的线切衬底示意图。
[0045]附图标记列表：
[0046]100
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衬底
[0047]101
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翘曲部分
[0048]102
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非翘曲部分
[0049]200
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改性点
[0050]300
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激光发射器
具体实施方式
[0051]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0052]须知，本专利技术实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底加工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将晶棒进行切割处理，获得衬底；对所述衬底的切割表面进行退火处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复；对所述衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对所述衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。2.根据权利要求1所述衬底加工方法，其特征在于，所述退火处理时的退火温度介于1300℃～1800℃。3.根据权利要求1所述衬底加工方法，其特征在于，所述退火处理包括：升温：以0.5～200℃/min的升温速率，将加热炉升温至1300℃～1800℃；保温：在1300～1800℃的温度范围内，保温0.1h～50h；降温：以0.5～200℃/min的降温速率将加热炉降温至室温。4.根据权利要求1所述衬底加工方法，其特征在于，对所述衬底的翘曲部分进行隐切处理，包括：通过激光扫描所述衬底的切割表面，以在所述衬底的翘曲部分的预定深度位置产生改性层。5.根据权利要求4所述衬底加工方法，其特征在于，采用激光扫描所述衬底的切割表面，以在所述衬底的翘曲部分的预定深度位置产生改性层，包括：采用激光在所述翘曲部分对应的所述衬底内形成多个改性点，多个改性点形成所述改性层。6.根据权利要求4所述衬底加工方法，其特征在于，在采用激光扫描所述衬底的切割表面之前，还包括：将所述衬底的非翘曲部分涂覆激光阻挡层，以阻挡激光的射入。7.根据权利要求5所述衬底加工方法，其特征在于，所述激光的改性点在所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佳浩，刘增伟，曾柏翔，李瑞评，陈铭欣，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：