一种量子点电致发光二极管、显示面板和制作方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点电致发光二极管、显示面板和制作方法，其中一实施例的量子点电致发光二极管包括激基复合物给体层、激基复合物受体层、以及设置在激基复合物给体层和激基复合物受体层之间的量子点发光层；其中量子点发光层由多个不连续的量子点分子构成，每个量子点分子分别接触激基复合物给体层和激基复合物受体层；激基复合物给体层和激基复合物受体层接触形成界面激基复合物。本发明专利技术提供的量子点电致发光二极管通过将不连续的量子点分子设置在界面激基复合物中，能够使空穴和电子在给受体上独立传输，在界面处实现无势垒形成激子，抑制量子点发光层对载流子的俘获，能够避免因量子点分子直接参与电荷传输而导致的俄歇复合问题。俄歇复合问题。俄歇复合问题。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点电致发光二极管、显示面板和制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种量子点电致发光二极管、显示面板和制作方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管QLED具有发光颜色可调，发光饱和度高，可溶液制成，主动发光等优点，目前被行业广泛研究。该技术有望取代有机发光二极管OLED成为下一代显示技术。在QLED中，发光层结构简单，量子点材料QD通常单独作为发光层，发光机制为载流子的直接注入复合发光。然而，此类器件中常存在由于QD层中载流子不平衡引起的俄歇复合，以及大电流密度下的效率滚降(roll
‑
off)，影响器件的效率和寿命。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题至少之一，本专利技术第一个实施例提供一种量子点电致发光二极管，包括：激基复合物给体层、激基复合物受体层、以及设置在所述激基复合物给体层和激基复合物受体层之间的量子点发光层；其中
[0005]所述量子点发光层由多个不连续的量子点分子构成，每个量子点分子分别接触所述激基复合物给体层和激基复合物受体层；
[0006]所述激基复合物给体层和激基复合物受体层接触形成界面激基复合物。
[0007]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，所述界面激基复合物与所述量子点分子的距离小于10nm。
[0008]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，所述激基复合物给体层包括第一有机材料，所述激基复合物受体层包括第二有机材料；
[0009]所述第一有机材料的空穴迁移率大于等于10
‑4量级；
[0010]所述第二有机材料的电子迁移率大于等于10
‑3量级。
[0011]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，所述界面激基复合物的单线态能级与三线态能级的能级差小于等于0.12eV；
[0012]所述量子点分子的吸收光谱的峰值区间落入界面激基复合物的发光光谱的峰值区间。
[0013]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，包括：
[0014]设置在第一电极上的空穴注入层；
[0015]设置在所述空穴注入层上的空穴传输层；
[0016]设置在所述空穴传输层上的所述激基复合物给体层；
[0017]设置在所述激基复合物给体层上的所述量子点发光层；
[0018]覆盖所述量子点发光层的所述激基复合物受体层；
[0019]设置在所述激基复合物受体层上的电子传输层；
[0020]设置在所述电子传输层上的第二电极。
[0021]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，
[0022]所述激基复合物给体层的HOMO能级的绝对值大于空穴传输层的HOMO能级的绝对值；
[0023]和/或
[0024]所述激基复合物受体层的LUMO能级的绝对值小于电子传输层的LUMO能级的绝对值。
[0025]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，所述电子传输层为ZnO。
[0026]例如，在本申请一些实施例提供的量子点电致发光二极管中，
[0027]所述激基复合物给体层为mcp；
[0028]所述激基复合物受体层为mSiTRZ；
[0029]所述量子点分子为单色量子点分子，包括红色、蓝色和绿色的第一混合量子点分子，以及包括蓝色和绿色的第二混合量子点分子中的至少一个；
[0030]所述电子传输层为ZnO、ZnMgO、TmPyPB、TPBi中的至少一个；
[0031]所述空穴传输层为TFB或PVK。
[0032]本专利技术第二个实施例提供一种量子点电致发光显示面板，包括第一个实施例所述的量子点电致发光二极管。
[0033]本专利技术第三个实施例提供一种制作第一个实施例所述的量子点电致发光二极管的制作方法，包括：
[0034]在激基复合物给体层上旋涂量子点分散液形成量子点发光层，所述量子点发光层由多个不连续的量子点分子构成；
[0035]蒸镀形成激基复合物受体层，每个量子点分子分别接触所述激基复合物给体层和激基复合物受体层，所述激基复合物给体层和激基复合物受体层接触形成界面激基复合物。
[0036]例如，在本申请一些实施例提供的制作方法中，
[0037]在所述在激基复合物给体层上旋涂量子点分散液形成量子点发光层之前，所述制作方法还包括：
[0038]在基板上形成第一电极；
[0039]在所述第一电极上形成空穴注入层；
[0040]在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
[0041]在所述空穴传输层上形成所述激基复合物给体层；
[0042]在所述蒸镀激基复合物受体层之后，所述制作方法还包括：
[0043]在所述激基复合物受体层上形成电子传输层；
[0044]在所述电子传输层上形成第二电极。
[0045]本专利技术的有益效果如下：
[0046]本专利技术针对目前现有的问题，制定一种量子点电致发光二极管、显示面板和制作方法，其中一实施例的量子点电致发光二极管通过设置在由不连续的量子点形成的量子点
发光层两侧的激基复合物给体层和激基复合物受体层形成界面激基复合物，并以界面激基复合物作为能量传递主体向能量传递客体量子点发光层传递能量以驱动量子点分子发光，本实施例不仅能够使得空穴和电子分别在给受体上独立传输，并且在界面处能够无势垒形成激子，从而有效抑制量子点发光层对载流子的俘获，能够避免因量子点分子直接参与电荷传输而导致的俄歇复合问题，弥补了现有技术中存在的问题，有效提高量子点电致发光二极管的性能，具有实际应用价值。
附图说明
[0047]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0048]图1示出本专利技术的一个实施例所述量子点电致发光二极管的结构示意图；
[0049]图2示出本专利技术的一个实施例所述界面激基复合物的结构示意图；
[0050]图3示出本专利技术的一个实施例所述量子点电致发光二极管的能量传递示意图；
[0051]图4示出本专利技术的一个实施例所述的制作方法的流程图。
具体实施方式
[0052]为了更清楚地说明本专利技术，下面结合优选实施例和附图对本专利技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本专利技术的保护范围。
[0053]需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点电致发光二极管，其特征在于，包括：激基复合物给体层、激基复合物受体层、以及设置在所述激基复合物给体层和激基复合物受体层之间的量子点发光层；其中所述量子点发光层由多个不连续的量子点分子构成，每个量子点分子分别接触所述激基复合物给体层和激基复合物受体层；所述激基复合物给体层和激基复合物受体层接触形成界面激基复合物。2.根据权利要求1所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述界面激基复合物与所述量子点分子的距离小于10nm。3.根据权利要求1所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述激基复合物给体层包括第一有机材料，所述激基复合物受体层包括第二有机材料；所述第一有机材料的空穴迁移率大于等于10
‑4量级；所述第二有机材料的电子迁移率大于等于10
‑3量级。4.根据权利要求3所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述界面激基复合物的单线态能级与三线态能级的能级差小于等于0.12eV；所述量子点分子的吸收光谱的峰值区间落入界面激基复合物的发光光谱的峰值区间。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，包括：设置在第一电极上的空穴注入层；设置在所述空穴注入层上的空穴传输层；设置在所述空穴传输层上的所述激基复合物给体层；设置在所述激基复合物给体层上的所述量子点发光层；覆盖所述量子点发光层的所述激基复合物受体层；设置在所述激基复合物受体层上的电子传输层；设置在所述电子传输层上的第二电极。6.根据权利要求5所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述激基复合物给体层的HOMO能级的绝对值大于空穴传输层的HOMO能级的绝对值；和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑伟业，吴海东，李彦松，杜小波，文官印，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：