一种MEMS探针卡制备方法技术

本发明专利技术提供一种MEMS探针卡制备方法，本发明专利技术通过对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到用于形成所述探针金属层的空间，并通过在所述空间内形成一所述金属层以得到所述探针金属层，通过对所述基板及所述金属层表面的所述第二光刻胶进行曝光显影以得到后续用于刻蚀所述基板的掩膜图案，根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀最终得到表面金属化的所述探针卡，本发明专利技术通过MEMS工艺制备仅仅采用两次掩膜即可制得间距较小的探针，使得制造成本更低，制造工艺更简单，更有利于进行批量制造和成本管控。控。控。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS探针卡制备方法


[0001]本专利技术涉及探针制备
，尤其涉及一种MEMS探针卡制备方法。

技术介绍

[0002]探针是用于在对晶圆上的芯片进行电学测试时，与芯片接触实现通讯，并将测试数据反馈至测试装置进行对比，以检测该晶圆的电学特性和逻辑功能是否符合要求，通过测试将不合格的晶圆剔除，以避免将不合格的芯片进行封装，产生可避免的不良品，造成资源浪费，现有技术中，由于芯片上的焊盘之间间距越来越小，而传统的垂直探针卡上的探针与探针之间间距较大，难以满足焊盘间距越来越小的芯片的测试需求，导致间距更小的探针的制备难度大，且制备成本较高，对于高速发展的半导体
来说，是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]鉴于此，有必要提供成本更低且探针之间间距更小的MEMS探针卡制备方法。
[0004]本专利技术提供一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，所述制备方法包括以下步骤：
[0005]在基板的一表面形成第一光刻胶；
[0006]对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成探针金属层的空间；
[0007]在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；
[0008]去除剩余的所述第一光刻胶；
[0009]在所述探针金属层和所述表面上形成第二光刻胶；
[0010]对所述第二光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；
[0011]根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡；
[0012]去除剩余的所述第二光刻胶。
[0013]本专利技术还提供另一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，所述制备方法包括以下步骤：
[0014]在基板的一表面形成第三光刻胶；
[0015]对所述第三光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；
[0016]根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到所述探针卡；
[0017]去除剩余的所述第三光刻胶；
[0018]在所述探针卡表面形成第四光刻胶；
[0019]对所述第四光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成所述
探针金属层的空间；
[0020]在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；
[0021]去除剩余的所述第四光刻胶以得到表面金属化的所述探针卡。
[0022]进一步的，所述基板为SOI晶圆，所述表面为所述SOI晶圆的顶硅层对应的表面，在根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡之后，所述制备方法还包括：
[0023]去除所述SOI晶圆的埋氧层，以得到所述探针卡。
[0024]进一步的，所述埋氧层采用缓冲氧化物刻蚀液去除。
[0025]进一步的，所述步骤根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡采用深反应离子刻蚀工艺去除不必要的所述顶硅层。
[0026]进一步的，所述深反应离子刻蚀工艺的刻蚀深度不少于所述顶硅层的厚度。
[0027]进一步的，所述顶硅层的厚度为10μm，所述深反应离子刻蚀工艺的刻蚀深度为10.08
‑
10.2μm。
[0028]进一步的，在去除剩余的所述第一光刻胶之前，所述制备方法还包括：
[0029]去除附着在剩余的所述第一光刻胶上的所述金属层。
[0030]进一步的，所述金属层为金、银、镍、铬、铑、钯中的一种，或至少其中两种形成的合金。
[0031]进一步的，在基板的一表面形成第一光刻胶之前，所述制备方法还包括：
[0032]对所述基板进行RCA标准工艺流程清洗。
[0033]相较于现有技术，本专利技术的有益效果：本专利技术通过对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到用于形成所述探针金属层的空间，并通过在所述空间内形成一所述金属层以得到所述探针金属层，通过对所述基板及所述金属层表面的所述第二光刻胶进行曝光显影以得到后续用于刻蚀所述基板的掩膜图案，根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀最终得到表面金属化的所述探针卡，本专利技术通过MEMS工艺制备仅仅采用两次掩膜即可制得间距较小的探针，使得制造成本更低，制造工艺更简单，更有利于进行批量制造和成本管控。
附图说明
[0034]图1为本专利技术探针卡的第一种制作流程的第一实施方式框图。
[0035]图2为本专利技术探针卡的第一种制作流程的第一实施方式框图。
[0036]图3和图4为本专利技术探针卡制作过程的结构示意图，其中，A1为俯视图，A2为与A1对应的侧视图，B1为俯视图，B2为与B1对应的侧视图，以此类推。
[0037]图5为本专利技术探针卡的第二种制作流程的第一实施方式框图。
[0038]图6为本专利技术探针卡的第二种制作流程的第二实施方式框图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。可以理解的是，附图仅仅提供参考与说明用，并非用来对
本专利技术加以限制。附图中显示的连接关系仅仅是为了便于清晰描述，并不限定连接方式。
[0040]需要说明的是，当一个组件被认为是“连接”另一个组件时，它可以是直接连接到另一个组件，或者可能同时存在居中组件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。
[0041]还需要说明的是，本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0042]请参阅图1
‑
4，本专利技术提供一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡100包括多个探针金属层30，所述制备方法包括以下步骤：
[0043]在基板10的一表面形成第一光刻胶20(S10)；
[0044]对所述第一光刻胶20进行曝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在基板的一表面形成第一光刻胶；对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成探针金属层的空间；在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；去除剩余的所述第一光刻胶；在所述探针金属层和所述表面上形成第二光刻胶；对所述第二光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡；去除剩余的所述第二光刻胶。2.一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在基板的一表面形成第三光刻胶；对所述第三光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到所述探针卡；去除剩余的所述第三光刻胶；在所述探针卡表面形成第四光刻胶；对所述第四光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成所述探针金属层的空间；在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；去除剩余的所述第四光刻胶以得到表面金属化的所述探针卡。3.根据权利要求1所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述基板为SOI晶圆，所述表面为所述SOI晶圆的顶硅层对应的表面，在根据所述掩膜图案对所述基板进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽鑫，王少刚，
申请(专利权)人：深圳市容微精密电子有限公司，
类型：发明
国别省市：