一种晶圆反射率确定方法及相关设备技术

本发明专利技术公开了一种晶圆反射率确定方法及相关设备。该方法包括：获取待测晶圆的目标亮场图像；基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。确。确。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆反射率确定方法及相关设备


[0001]本说明书晶圆加工领域，更具体地说，本专利技术涉及一种晶圆反射率确定方法及相关设备。

技术介绍

[0002]在晶圆的加工过程中，晶圆的反射率是评价晶圆质量的重要指标。在现有的测试方法中常常采用向晶圆表面发射激光，并测量经过晶圆反射后的激光的能量，对各个点的能量进行统计，根据能量的损耗程度对晶圆的反射率做出评判，但此种方法需要激光测试器不断进行扫点计算，计算量大，并且造价较高。

技术实现思路

[0003]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0004]为了提供一种方便、通用的晶圆发射率测量方法，第一方面，本专利技术提出一种晶圆反射率确定方法，上述方法包括：
[0005]获取待测晶圆的目标亮场图像；
[0006]基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
[0007]基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
[0008]可选的，上述基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，包括：
>[0009]基于上述目标亮场图像和上述目标暗场图像进行减暗操作以获取目标减暗场图像；
[0010]对上述目标减暗场图像的背景部分进行掩膜处理以获取上述目标反射率计算图像。
[0011]可选的，上述基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，包括：
[0012]将上述目标反射率计算图像进行灰度处理以获取目标灰度信息；
[0013]将上述参考反射率计算图像进行灰度处理以获取参考灰度信息；
[0014]根据上述目标灰度信息、参考灰度信息、上述目标曝光时间、上述参考曝光时间和上述参考反射率计算上述目标反射率。
[0015]可选的，上述根据上述目标灰度信息、参考灰度信息、上述目标曝光时间、上述参考曝光时间和上述参考反射率计算上述目标反射率，包括：
[0016]通过下式计算上述待测晶圆对应的目标反射率F
s
：
[0017][0018]式中，(G
s
‑
D
s
)为上述目标灰度信息，E
s
为上述参考曝光时间，F
r
为为上述参考反射率，(G
r
‑
D
r
)为上述参考灰度信息，Er为上述参考曝光时间，G
s
为目标亮场灰度信息，D
s
目标暗场灰度信息，G
r
为参考亮场灰度信息，D
r
为参考暗场灰度信息。
[0019]可选的，上述方法还包括：
[0020]基于曝光时间预设列表选取第一目标曝光时间，其中，上述第一目标曝光为上述曝光时间预设列表中最长的曝光时间；
[0021]基于上述第一目标曝光时间获取待测晶圆的第一目标亮场图像；
[0022]在上述第一目标亮场图像对应的所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下，将上述第一目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。
[0023]可选的，上述方法还包括：
[0024]在上述第一目标亮场图像对应的至少一个RGB分量值大于上述预设阈值的情况下，以第二曝光时间获取待测晶圆的第二目标亮场图像，其中，上述第二曝光时间为小于上述第一曝光时间且在满足所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下的最大曝光时间；
[0025]将上述第二目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。
[0026]可选的，上述方法还包括：
[0027]在曝光时间预设列表对应的所有曝光时间拍出的目标亮场图像对应的RGB分量值均大于上述预设阈值的情况下，把第三目标亮场图像确定为上述目标亮场图像，其中，上述第三目标亮场图像为上述曝光时间预设列表中最短曝光时间对应的目标亮场图像。
[0028]第二方面，本专利技术还提出一种晶圆反射率确定装置，包括：
[0029]第一获取单元，用于获取待测晶圆的目标亮场图像；
[0030]第二获取单元，用于基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
[0031]确定单元，用于基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
[0032]第三方面，一种电子设备，包括：存储器、处理器以及存储在上述存储器中并可在上述处理器上运行的计算机程序，上述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现如上述的第一方面任一项的晶圆反射率确定方法的步骤。
[0033]第四方面，本专利技术还提出一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时实现第一方面上述任一项的晶圆反射率确定方法。
[0034]综上，本申请实施例的晶圆反射率确定方法包括：获取待测晶圆的目标亮场图像；基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。本申请实施
例提供的晶圆反射率确定方法，通过目标曝光时间对待测晶圆拍摄亮场图片，并利用暗场图片对其进行处理，以减少系统误差和环境因素的影响，并通过与参考晶圆的参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率作比较可以快速得出待测晶圆的目标反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。
[0035]本专利技术的晶圆反射率确定方法，本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
[0036]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本说明书的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0037]图1为本申请实施例提供的一种晶圆反射率确定方法流程示意图；
[0038]图2为本申请实施例提供的一种晶圆反射率确定装置结构示意图；
[0039本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆反射率确定方法，其特征在于，包括：获取待测晶圆的目标亮场图像；基于所述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，所述目标亮场图像和所述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；基于所述目标反射率计算图像、所述目标曝光时间和参考样反射率信息确定所述待测晶圆对应的目标反射率，其中，所述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，包括：基于所述目标亮场图像和所述目标暗场图像进行减暗操作以获取目标减暗场图像；对所述目标减暗场图像的背景部分进行掩膜处理以获取所述目标反射率计算图像。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标反射率计算图像、所述目标曝光时间和参考样反射率信息确定所述待测晶圆对应的目标反射率，包括：将所述目标反射率计算图像进行灰度处理以获取目标灰度信息；将所述参考反射率计算图像进行灰度处理以获取参考灰度信息；根据所述目标灰度信息、参考灰度信息、所述目标曝光时间、所述参考曝光时间和所述参考反射率计算所述目标反射率。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标灰度信息、参考灰度信息、所述目标曝光时间、所述参考曝光时间和所述参考反射率计算所述目标反射率，包括：通过下式计算所述待测晶圆对应的目标反射率F
s
：式中，(G
s
‑
D
s
)为所述目标灰度信息，E
s
为所述参考曝光时间，F
r
为为所述参考反射率，(G
r
‑
D
r
)为所述参考灰度信息，Er为所述参考曝光时间，G
s
为目标亮场灰度信息，D
s
目标暗场灰度信息，G
r
为参考亮场灰度信息，D
r
...

【专利技术属性】
技术研发人员：马铁中，王林梓，陈森，郭青杨，李心怡，黄胤鹏，刘万奎，张立芳，
申请(专利权)人：昂坤视觉北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：