本发明专利技术提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器。本发明专利技术电流电压可以灵活调整，以及增加测试功能。以及增加测试功能。以及增加测试功能。
【技术实现步骤摘要】
一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统
[0001]本专利技术属于MOS器件检测
，尤其涉及一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统。
技术介绍
[0002]MOS器件是一种常见的电力电子器件，其包含源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，沟道区上方为栅氧化层及多晶硅栅极。作为一种开关器件，其存在导通和截止两种状态，内部为单一载流子参与导电，是一种单极型器件。其工作原理比较简单，源区和漏区为相同导电类型的区域，沟道区为与源漏区相反导电类型的区域，通过控制多晶硅栅极上的电压使沟道区的导电类型反型而使器件形成导通或截止。功率MOS具有开关速度快、输入阻抗高、易驱动、不存在二次击穿现象等优点，应用非常广泛。漏源击穿电压(以下简称BVDSS)是功率MOSFET中常见的一种测试项目，一般是测量漏电流为250uA时漏极到源极的电压。现有的功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统还存在着测试功能单一，不方便对MOS器件进行压力测试和不方便对电压灵活调整的问题。
技术实现思路
[0003]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器；所述的安装架的前侧安装有触摸显示屏；所述的触摸显示屏的右下侧安装有寄存器；所述的温度检测架结构包括压力检测板，温度传感器，导热铜板，透明罩和配重环，所述的压力检测板的内侧中间位置安装有温度传感器；所述的压力检测板内侧下部嵌入有导热铜板；所述的压力检测板的外侧从胶接有透明罩；所述的透明罩的下部胶接有配重环。
[0004]优选的，所述的压力检测板螺栓安装在连接座的下部，有利于在使用时方便根据需求对压力检测板进行拆装。
[0005]优选的，所述的导热铜板与温度传感器接触。
[0006]优选的，所述的配重环置于压力检测板的外侧下部。
[0007]一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试系统具体包括以下步骤：
[0008]步骤一：对器件进行安装，将MOS器件的源区引脚和漏区引脚分别插入到源区接头和漏区接头内对MOS器件安装，然后将MOS器件放置在承载板上；
[0009]步骤二：对安装后的器件进行电压测试，根据需求选取交流或者直流进行供电，利用电位器将电压电流调整到最小值，然后利用电位器依次向上调整电压电流，每个电压电流测试二十次至一百次，并根据MOS器件雪崩击穿时利用温度传感器对温度进行检测，同时
利用寄存器对每次雪崩击穿的电流电压以及温度进行存储；
[0010]步骤三：对电压测试后的器件进行压力测试，利用顶紧气缸通过连接座下部的压力检测板对MOS器件挤压，实现对MOS器件的压力测试，并利用压力传感器对压力数值进行测试，并利用寄存器对MOS器件被压坏时的压力进行储存。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0012]1.本专利技术中，所述的压力检测板螺栓安装在连接座的下部，有利于在使用时方便根据需求对压力检测板进行拆装。
[0013]2.本专利技术中，所述的导热铜板与温度传感器接触，有利于在使用时能够利用导热铜板良好的导热性，进而能够利用温度传感器对MOS器件更好的温度检测。
[0014]3.本专利技术中，所述的配重环置于压力检测板的外侧下部，有利于在使用时能够使透明罩处于展开状态，以便在压力检测时避免面MOS器件压碎飞溅，同时利用透明罩不会影响对MMOS器件的观察。
附图说明
[0015]图1是本专利技术的结构示意图。
[0016]图2是本专利技术的温度检测架结构的结构示意图。
[0017]图3是本专利技术的压力检测承重架结构的结构示意图。
[0018]图4是本专利技术的测试架结构的结构示意图。
[0019]图5是本专利技术的流程图。
[0020]图中：
[0021]1、横向底板；2、安装架；3、顶紧气缸；4、连接座；5、温度检测架结构；51、压力检测板；52、温度传感器；53、导热铜板；54、透明罩；55、配重环；6、压力检测承重架结构；61、安装板；62、压力传感器；63、承载板；64、防尘套；65、防护环；7、测试架结构；71、蓄电池；72、逆变器；73、电位器；74、源区接头；75、漏区接头；8、处理器；9、触摸显示屏；10、寄存器。
具体实施方式
[0022]以下结合附图对本专利技术做进一步描述：
[0023]实施例：
[0024]如附图1和附图2所示，本专利技术提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板1，安装架2，顶紧气缸3，连接座4，温度检测架结构5，压力检测承重架结构6，测试架结构7，处理器8，触摸显示屏9和寄存器10，所述的横向底板1的上部右侧螺栓安装有安装架2；所述的安装架2的左侧螺栓安装有顶紧气缸3；所述的顶紧气缸3的下部螺栓安装有连接座4；所述的连接座4的下部安装有温度检测架结构5；所述的横向底板1的上部左侧安装有压力检测承重架结构6；所述的安装架2的右侧安装有测试架结构7；所述的安装架2的上部安装有处理器8；所述的安装架2的前侧安装有触摸显示屏9；所述的触摸显示屏9的右下侧安装有寄存器10；所述的温度检测架结构5包括压力检测板51，温度传感器52，导热铜板53，透明罩54和配重环55，所述的压力检测板51螺栓安装在连接座4的下部，在使用时方便根据需求对压力检测板51进行拆装，所述的压力检测板51的内侧中间位置安装有温度传感器52；所述的压力检测板51内侧下部嵌入有导热铜板53，所述的导热铜板53与温度传感
器52接触，在使用时能够利用导热铜板53良好的导热性，进而能够利用温度传感器52对MOS器件更好的温度检测；所述的压力检测板51的外侧从胶接有透明罩54；所述的透明罩54的下部胶接有配重环55，所述的配重环55置于压力检测板51的外侧下部，在使用时能够使透明罩54处于展开状态，以便在压力检测时避免面MOS器件压碎飞溅，同时利用透明罩54不会影响对MMOS器件的观察。
[0025]如附图3所示，上述实施例中，具体的，所述的压力检测承重架结构6包括安装板61，压力传感器62，承载板63，防尘套64和防护环65，所述的安装板61螺栓安装在横向底板1的上部左侧，方便在不使用时将螺栓拧下，以便对安装板61进行拆装；所述的安装板61的上部四角处安装有压力传感器62，方便对顶紧气缸3向下顶紧时的力度压力进行实时监测；所述的压力传感器62的上部安装有承载板63；所述的承载板63的外侧下部套接有防尘套64；所述的防尘套64的外侧套接设置有安装板61的外侧，方便利用防尘套64对安装板61与承载板本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，其特征在于，该功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板(1)，安装架(2)，顶紧气缸(3)，连接座(4)，温度检测架结构(5)，压力检测承重架结构(6)，测试架结构(7)，处理器(8)，触摸显示屏(9)和寄存器(10)，所述的横向底板(1)的上部右侧螺栓安装有安装架(2)；所述的安装架(2)的左侧螺栓安装有顶紧气缸(3)；所述的顶紧气缸(3)的下部螺栓安装有连接座(4)；所述的连接座(4)的下部安装有温度检测架结构(5)；所述的横向底板(1)的上部左侧安装有压力检测承重架结构(6)；所述的安装架(2)的右侧安装有测试架结构(7)；所述的安装架(2)的上部安装有处理器(8)；所述的安装架(2)的前侧安装有触摸显示屏(9)；所述的触摸显示屏(9)的右下侧安装有寄存器(10)；所述的温度检测架结构(5)包括压力检测板(51)，温度传感器(52)，导热铜板(53)，透明罩(54)和配重环(55)，所述的压力检测板(51)的内侧中间位置安装有温度传感器(52)；所述的压力检测板(51)内侧下部嵌入有导热铜板(53)；所述的压力检测板(51)的外侧从胶接有透明罩(54)；所述的透明罩(54)的下部胶接有配重环(55)。2.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，其特征在于，所述的压力检测承重架结构(6)包括安装板(61)，压力传感器(62)，承载板(63)，防尘套(64)和防护环(65)，所述的安装板(61)螺栓安装在横向底板(1)的上部左侧；所述的安装板(61)的上部四角处安装有压力传感器(62)；所述的压力传感器(62)的上部安装有承载板(63)；所述的承载板(63)的外侧下部套接有防尘套(64)；所述的防尘套(64)的外侧套接设置有安装板(61)的外侧；所述的防尘套(64)的下部胶接有防护环(65)。3.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：周德金，徐宏，钟磊，濮旦晨，葛荣，
申请(专利权)人：清华大学无锡应用技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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