改善晶圆翘曲的方法技术

本发明专利技术提供一种改善晶圆翘曲的方法，所述方法包括：提供一具有定位标记的晶圆，所述晶圆包括多个半导体器件结构，其中，所述定位标记的开口标定方向为第一方向，与所述第一方向垂直的方向为第二方向；于所述半导体器件结构上方形成至少一个接触孔场板，其中，所述接触孔场板呈条形并沿着所述第二方向延伸。通过本发明专利技术解决了现有的晶圆特定方向上的翘曲度因接触孔场板的应力作用而增加幅度较大的问题。接触孔场板的应力作用而增加幅度较大的问题。接触孔场板的应力作用而增加幅度较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
改善晶圆翘曲的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种改善晶圆翘曲的方法。

技术介绍

[0002]场板可用于降低峰值电场，提高半导体器件的耐压性能，因此，被广泛应用于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)集成工艺。然而，在LDMOS集成工艺中所采用的条形接触孔(CT)场板结构具有方向性，经过金属填充后，导致晶圆的翘曲度在第二方向(与晶圆定位标记的开口标定方向相垂直的方向)上的增加幅度明显大于第一方向(晶圆定位标记的开口标定方向)上的增加幅度，再加上晶圆来料出厂时第二方向上的翘曲度本就大于第一方向上的翘曲度，而同一方向上的翘曲度叠加导致晶圆翘曲度增大幅度较大，从而影响晶圆的光刻精度，甚至会导致机台作业时对晶圆的吸力不足而无法进行光刻作业。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善晶圆翘曲的方法，用于解决现有的晶圆特定方向上的翘曲度因接触孔场板的应力作用而增加幅度较大的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善晶圆翘曲的方法，所述方法包括：
[0005]提供一具有定位标记的晶圆，所述晶圆包括多个半导体器件结构，其中，所述定位标记的开口标定方向为第一方向，与所述第一方向垂直的方向为第二方向；
[0006]于所述半导体器件结构上方形成至少一个接触孔场板，其中，所述接触孔场板呈条形并沿着所述第二方向延伸。
[0007]可选地，所述接触孔场板横截面的上端宽度大于其下端宽度。
>[0008]可选地，所述接触孔场板的数目为多个时，多个所述接触孔场板间隔排布。
[0009]可选地，所述接触孔场板通过填充钨或其化合物而形成。
[0010]可选地，所述方法还包括于所述半导体结构上方形成接触孔，且所述接触孔呈沟槽型。
[0011]可选地，所述接触孔的接触沟槽平行于所述接触孔场板的场板沟槽。
[0012]可选地，所述半导体结构包括衬底、形成于所述衬底内的体区与漂移区、形成于所述体区内的源区、形成于所述漂移区内的漏区及形成于所述衬底上方的栅极结构。
[0013]可选地，所述接触孔场板形成于所述漂移区的上方，且位于所述栅极结构及所述漏区之间。
[0014]可选地，所述接触孔形成于所述源区、所述漏区及所述栅极结构的上方。
[0015]如上所述，本专利技术的一种改善晶圆翘曲的方法，通过将接触孔场板及接触孔在晶圆的第二方向上进行(与晶圆定位标记的开口标定方向相垂直的方向)延伸，使得接触孔场板产生的最大应力方向与晶圆翘曲度最大值所在的方向(第二方向)垂直，从而降低晶圆翘
曲度在第一方向上的增加幅度，进而达到改善晶圆翘曲的目的。
[0016]元件标号说明
[0017]10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
半导体结构
[0018]11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
衬底
[0019]12
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
体区
[0020]13
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
漂移区
[0021]14
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
源区
[0022]15
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
漏区
[0023]16
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极结构
[0024]20
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
接触孔场板
[0025]21
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
场板沟槽
[0026]30
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
层间介质层
[0027]31
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一氧化层
[0028]32
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二氧化层
[0029]33
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
氮化物层
[0030]34
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第三氧化层
[0031]40
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
接触孔
[0032]41
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
接触沟槽
附图说明
[0033]图1显示为本专利技术改善晶圆翘曲的方法流程图。
[0034]图2显示为本专利技术形成于晶圆中的半导体结构示意图。
[0035]图3显示为本专利技术具有接触孔场板的半导体结构示意图。
[0036]图4显示为现有的一种接触孔场板设置方式示意图。
[0037]图5显示为本专利技术接触孔场板设置方式示意图。
具体实施方式
[0038]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0039]请参阅图1至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0040]如图1所示，本实施例提供一种改善晶圆翘曲度的方法，所述方法包括：
[0041]1)提供一具有定位标记的晶圆，所述晶圆包括多个半导体器件结构10，其中，所述定位标记的开口标定方向为第一方向，与所述第一方向垂直的方向为第二方向；
[0042]2)于所述半导体器件结构10上方形成至少一个接触孔场板20，其中，所述接触孔
场板20呈条形并沿着所述第二方向延伸。
[0043]下面将对本实施例提供的改善晶圆翘曲的方法进行说明。
[0044]步骤1)提供一具有定位标记的晶圆，所述晶圆包括多个半导体器件结构10，其中，所述定位标记的开口标定向为第一方向，与所述第一方向垂直的方向为第二方向。
[0045]本实施例中，所述定位标记包括定位缺口，所述定位缺口呈三角形，且其开口位于晶圆的边缘。而且，晶圆在出厂时由于工艺的原因使得晶圆在所述第二方向的翘曲度大于其在所述第一方向的翘曲度。
[0046]作为示例，所述半导体结构10包括衬底11、形成于所述衬底内的体区12与漂移区13、形成于所述体区内的源区14、形成于所述漂移区内的漏区15及形成于所述衬底11上方的栅极结构16(如图2所示)。
[0047]本实施例中，所述体区12、所述漂移区13、所述源区14及所述漏区15均通过离子注入工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一具有定位标记的晶圆，所述晶圆包括多个半导体器件结构，其中，所述定位标记的开口标定方向为第一方向，与所述第一方向垂直的方向为第二方向；于所述半导体器件结构上方形成至少一个接触孔场板，其中，所述接触孔场板呈条形并沿着所述第二方向延伸。2.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述接触孔场板横截面的上端宽度大于其下端宽度。3.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述接触孔场板的数目为多个时，多个所述接触孔场板间隔排布。4.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述接触孔场板通过填充钨或其化合物而形成。5.根据权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：周爽，焦鹏，王晓日，吕穿江，禹楼飞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：