沉积装置可以包括：气体喷射单元，包括沿着第一方向平行地布置的多个线性喷嘴部；以及基板移送单元，在气体喷射单元的下方沿着第一方向往复移送基板。线性喷嘴部中的每一个可以包括：气体供应部，供应工艺气体；电极，在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且通过形成在内部的喷嘴将从气体供应部接收的工艺气体喷射到基板。电极的中央部与基板之间的距离可以不同于电极的长度方向的两个侧部与基板之间的距离。的距离。的距离。
【技术实现步骤摘要】
沉积装置
[0001]本技术涉及沉积装置。更详细地，本技术涉及通过将工艺气体喷射到对象基板来沉积薄膜的沉积装置。
技术介绍
[0002]平板显示装置因重量轻、厚度薄等特性而被用作替代阴极射线管显示装置的显示装置。这种平板显示装置的代表性示例有液晶显示装置和有机发光显示装置。
[0003]关于上述显示装置的制造，正在使用通过将工艺气体喷射到对象基板的表面来沉积薄膜的化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺和原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)工艺、通过喷射工艺气体的同时施加高电压来以在等离子体状态下进行沉积的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)工艺和等离子体增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD)工艺。此外，当执行PECVD工艺和PEALD工艺时，根据工艺气体物质的等离子体特性，薄膜厚度的均匀度可能减小，并且这会随着对象基板的大型化而加剧。
技术实现思路
[0004]解决的技术问题
[0005]本技术的目的在于提供能够以均匀的厚度沉积薄膜的沉积装置。
[0006]但是，本技术不由上述目的所限定，且在不脱离本技术的思想和领域的范围内，可以进行各种扩展。
[0007]解决方法
[0008]为了达到上述本技术的目的，根据本技术示例性实施例的沉积装置可以包括：气体喷射单元，包括沿着第一方向平行地布置的多个线性喷嘴部；以及基板移送单元，在所述气体喷射单元的下方沿着所述第一方向往复移送基板。所述线性喷嘴部中的每一个可以包括：气体供应部，供应工艺气体；以及电极，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且通过形成在内部的喷嘴将从所述气体供应部接收的所述工艺气体喷射到所述基板。所述电极的中央部与所述基板之间的距离可以不同于所述电极的长度方向的两个侧部与所述基板之间的距离。
[0009]在一个实施例中，所述电极与所述基板之间的距离可以随着远离所述电极的所述中央部而增大。
[0010]在一个实施例中，所述电极的厚度可以随着远离所述电极的所述中央部而减小。
[0011]在一个实施例中，所述电极与所述基板之间的距离可以随着远离所述电极的所述中央部而减小。
[0012]在一个实施例中，所述电极的厚度可以随着远离所述电极的所述中央部而增大。
[0013]在一个实施例中，包括在所述线性喷嘴部中的每一个中的所述电极的中央部与所述基板之间的距离可以彼此相同。
[0014]为了达到上述本技术的目的，根据本技术示例性实施例的沉积装置可以包括：气体喷射单元，包括沿着第一方向平行地布置的多个线性喷嘴部；基板移送单元，在所述气体喷射单元的下方沿着所述第一方向往复移送基板。所述多个线性喷嘴部中的第一线性喷嘴部可以包括：第一气体供应部，供应第一工艺气体；以及第一电极，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且所述第一电极的中央部与所述基板隔开第一距离，并且所述第一电极通过形成在内部的第一喷嘴将从所述第一气体供应部接收的所述第一工艺气体喷射到所述基板。在所述第一方向上与所述第一线性喷嘴部相邻的第二线性喷嘴部可以包括：第二气体供应部，供应与所述第一工艺气体不同的第二工艺气体；以及第二电极，在所述第二方向上延伸，并且所述第二电极的中央部与所述基板隔开大于所述第一距离的第二距离，并且所述第二电极通过形成在内部的第二喷嘴将从所述第二气体供应部接收的所述第二工艺气体喷射到所述基板。
[0015]在一个实施例中，所述第一电极与所述基板之间的距离可以随着远离所述第一电极的所述中央部而增大。所述第二电极与所述基板之间的距离可以随着远离所述第二电极的所述中央部而减小。
[0016]在一个实施例中，所述第一电极的厚度可以随着远离所述第一电极的中央部而减小。所述第二电极的厚度可以随着远离所述第二电极的中央部而增大。
[0017]在一个实施例中，在所述第一方向的相反方向上与所述第一线性喷嘴部相邻的第三线性喷嘴部可以包括：第三气体供应部，供应与所述第一工艺气体和所述第二工艺气体不同的第三工艺气体；以及第三电极，在所述第二方向上延伸，并且所述第三电极的中央部与所述基板隔开大于所述第一距离且小于所述第二距离的第三距离，并且所述第三电极通过形成在内部的第三喷嘴将从所述第三气体供应部接收的所述第三工艺气体喷射到所述基板。所述第三电极的所述中央部与所述基板之间的距离可以等于所述第三电极的长度方向的两个侧部与所述基板之间的距离。
[0018]有益效果
[0019]根据本技术的实施例的沉积装置可以包括沿着第一方向平行地布置的线性喷嘴部。所述线性喷嘴部中的每一个可以包括电极，电极在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸且将工艺气体激发为等离子体状态并通过形成在内部的喷嘴喷射到基板。所述电极的中央部与所述基板之间的距离可以不同于所述电极的长度方向的两个侧部与所述基板之间的距离。因此，即使所述基板大型化，也可以在所述基板上沉积厚度均匀的薄膜。
[0020]然而，本技术的效果不限于上述效果，且在不脱离本技术的思想和领域的范围内，可以进行各种扩展。
附图说明
[0021]图1是示意性地示出根据本技术一实施例的沉积装置的透视图。
[0022]图2是沿着图1的线I
‑
I
’
截取的剖视图。
[0023]图3是示出包括在图2的沉积装置中的第一电极的透视图。
[0024]图4是沿着图3的线II
‑
II
’
截取的剖视图。
[0025]图5是示意性地示出根据本技术另一实施例的沉积装置的剖视图。
[0026]图6是示出包括在图5的沉积装置中的第二电极的透视图。
[0027]图7是沿着图6的线III
‑
III
’
截取的剖视图。
[0028]图8是示意性地示出根据本技术又一实施例的沉积装置的剖视图。
[0029]图9是示出包括在图8的沉积装置中的第三电极的剖视图。
[0030]图10至图13是示意性地示出根据本技术的实施例的沉积装置的剖视图。
[0031]附图标记的说明
[0032]10、11、12、13、14、15：沉积装置
[0033]100、101、102、103、104、105：气体喷射单元
[0034]110、150、160：第一线性喷嘴部至第三线性喷嘴部
[0035]112、152、162：第一气体供应部至第三气体供应部
[0036]114、154、164：第一电极至第三电极
[0037]116、156、166：第一喷嘴至第三喷嘴
[0038]G1、G2、G3：第一工艺气本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.沉积装置，其特征在于，所述沉积装置包括：气体喷射单元，包括沿着第一方向平行地布置的多个线性喷嘴部；以及基板移送单元，在所述气体喷射单元的下方沿着所述第一方向往复移送基板，其中，所述多个线性喷嘴部中的每一个包括：气体供应部，供应工艺气体；以及电极，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且通过形成在内部的喷嘴将从所述气体供应部接收的所述工艺气体喷射到所述基板，所述电极的中央部与所述基板之间的距离不同于所述电极的长度方向的两个侧部与所述基板之间的距离。2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述电极与所述基板之间的距离随着远离所述电极的所述中央部而增大。3.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述电极的厚度随着远离所述电极的所述中央部而减小。4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述电极与所述基板之间的距离随着远离所述电极的所述中央部而减小。5.根据权利要求4所述的沉积装置，其特征在于，所述电极的厚度随着远离所述电极的所述中央部而增大。6.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，包括在所述多个线性喷嘴部中的每一个中的所述电极的所述中央部与所述基板之间的距离彼此相同。7.沉积装置，其特征在于，所述沉积装置包括：气体喷射单元，包括沿着第一方向平行地布置的多个线性喷嘴部；基板移送单元，在所述气体喷射单元的下方沿着所述第一方向往复移送基板，其中，所述多个线性喷嘴部中的第一线性喷嘴部包括：第一气体供应部，供应第一工艺气体；以及第一电极，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且所述第一电极的中央部与所述基板隔开...
【专利技术属性】
技术研发人员：张喆旼，金定坤，李熙龙，全东杓，郑檭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：
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