半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含第一、第二MIM结构，第一MIM结构包含彼此堆叠的第一底部导体板、第一介电层的第一部分第一中间导体板第二介电层的第一部分以及第一顶部导体板，第二MIM结构包含彼此堆叠的第二底部导体板、第一介电层的第二部分、第二中间导体板、第二介电层的第二部分以及第二顶部导体板，在第二介电层的第二部分上；其中第一底部导体板比第一中间导体板更宽且比第一顶部导体板更宽，而第二底部导体板比第二中间导体板更窄且比第二顶部导体板更窄。体板更窄。体板更窄。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置，尤其涉及具有金属
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绝缘体
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金属结构的半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)产业正面临迅速的成长。IC材料以及设计的科技进展产生了好几代IC，其中每个世代都比上一世代的电路更小且更为复杂。然而，这些进展增加了工艺以及制造IC的复杂度，且为了实现这些进展，IC工艺与IC制造当中也需要相同的发展。在IC进化的进程中，功能密度(意即，每芯片面积的内连装置的数量)已大致上增加，而几何尺寸(意即，工艺可形成的最小的部件(或线))缩小。此缩小工艺，通过增加工艺效率以及降低相关的成本，原则上提供一些优点。此缩小工艺亦伴随着更加复杂的IC工艺。
[0003]例如，当IC装置的几何尺寸缩小时，需要大表面面积的被动装置被移到后段工艺(back
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end
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of
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line；BEOL)结构。金属
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绝缘体
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金属(Metal
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Insulator
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Metal；MIM或者MiM)电容器为此被动装置的范例。一般的MIM电容器包含多个导电板层，其通过多个绝缘体层相互绝缘。随然现存的MIM结构以及前述的工艺大致上足够使用在所需的用途上，但并不在所有的面向上都能完全满足。更有效地使用板面积以增加所提供的电容值为理想的。

技术实现思路

[0004]在一范例方式中，提供一种半导体装置，包含第一金属
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绝缘体
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金属结构，包含第一底部导体板；第一介电层的第一部分，位于第一底部导体板之上；第一中间导体板，位于第一介电层的第一部分之上；第二介电层的第一部分，位于第一中间导体板之上；以及第一顶部导体板，位于第二介电层的第一部分之上；以及第二金属
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绝缘体
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金属结构，包含：第二底部导体板；第一介电层的第二部分，位于第二底部导体板之上；第二中间导体板，位于第一介电层的第二部分之上；第二介电层的第二部分，位于第二中间导体板之上；以及第二顶部导体板，位于第二介电层的第二部分之上；其中在剖面图当中，第一底部导体板比第一中间导体板更宽，且第一中间导体板比第一顶部导体板更宽，而第二底部导体板比第二中间导体板更窄，且第二中间导体板比第二顶部导体板更窄。
[0005]在另一个范例方式中，提供一种半导体结构，包含基板；第一金属层，位于基板之上；第一绝缘层，位于第一金属层之上；第二金属层，位于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第二金属层之上；以及第三金属层，位于第二绝缘层之上；其中第一金属
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绝缘体
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金属结构包含相互垂直堆叠的第一金属层的第一部分、第二金属层的第一部分、以及第三金属层的第一部分，其中第二金属
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绝缘体
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金属结构包含相互垂直堆叠的第一金属层的第二部分、第二金属层的第二部分、以及第三金属层的第二部分；其中第一金属层的第一部分相邻于第一金属层的第二部分，且没有第一金属层的其他部分在中间；其中第二金属层的第一部分相邻于第二金属层的第二部分，且没有第二金属层的其他部分在中间；其中第三金属层的第一部分相邻于第三金属层的第二部分，且没有第三金属层的其他部分在中间；其中
沿着第一方向，第一金属层的第一部分比第一金属层的第二部分更宽，而第三金属层的第一部分比第三金属层的第二部分更窄。
[0006]在另一个范例方式中，提供一种半导体结构，包含基板；第一金属层，位于基板之上；第一绝缘层，位于第一金属层之上；第二金属层，位于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第二金属层之上；以及第三金属层，位于第二绝缘层之上；其中第一金属
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绝缘体
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金属结构包含相互垂直堆叠的第一金属层的第一部分、第二金属层的第一部分、以及第三金属层的第一部分，其中第二金属
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绝缘体
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金属结构包含相互垂直堆叠的第一金属层的第二部分、第二金属层的第二部分、以及第三金属层的第二部分；其中在剖面图当中，第一金属层的第一部分比第一金属层的第二部分更宽，第三金属层的第一部分比第三金属层的第二部分更窄，第一金属层的第一部分比第二金属层的第一部分更宽，而第一金属层的第二部分比第二金属层的第二部分更窄。
附图说明
[0007]本公开的各项层面在以下的实施方式搭配附带的图示一同阅读会有最好的理解。需要强调的是，依据产业的标准惯例，许多特征并没有按比例描绘而仅为描绘性的目的。事实上，为了讨论的清晰度，许多特征的尺寸可为任意的增加或缩减。
[0008]图1A根据本公开的实施例，为具有MIM结构的半导体装置的俯视示意图。
[0009]图1B根据本公开的一实施例，为在图1A中的半导体装置沿着在图1A中的B
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B线的剖面图。
[0010]图1C根据本公开的一实施例，为在图1A中的半导体装置沿着在图1A中的C
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C线的剖面图。
[0011]图2根据本公开的实施例，为制造半导体装置的方法的流程图。
[0012]图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、以及图12根据本公开的一实施例，为半导体装置在工艺的许多阶段的剖面图。
[0013]附图标记如下：
[0014]10：方法
[0015]12,14,16,18,20,22,24,26：操作
[0016]200：半导体装置
[0017]202：基板
[0018]210：内连层
[0019]220：碳化物层
[0020]230：氧化物层
[0021]240：蚀刻停止层
[0022]250：第一介电层
[0023]252：氮氧化硅层
[0024]254：下方接点特征部件
[0025]255,278：阻挡层
[0026]256：第二介电层
[0027]258：第三介电层
[0028]260：金属
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绝缘体
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金属结构
[0029]260a：第一金属
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绝缘体
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金属结构
[0030]260b：第二金属
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绝缘体
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金属结构
[0031]262：底部导体板层
[0032]262a,262b：底部导体板
[0033]264：第一绝缘层
[0034]266：中间导体板层
[0035]266a,266b：中间导体板
[0036]267：第四介电层
[0037]268：第二绝缘层
[0038]269：顶部导体板层
[0039]269a,269b：顶部导体板
[0040]275,275a,275b,276,276a,276b,277本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含：一第一金属
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绝缘体
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金属结构，包含：一第一底部导体板；一第一介电层的一第一部分，位于上述第一底部导体板之上；一第一中间导体板，位于上述第一介电层的上述第一部分之上；一第二介电层的一第一部分，位于上述第一中间导体板之上；以及一第一顶部导体板，位于上述第二介电层的上述第一部分之上；以及一第二金属
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绝缘体
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金属结构，包含：一...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧远洋，沈香谷，萧琮介，赖英耀，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：