具有临时ESD保护元件的半导体封装制造技术

本文公开了一种半导体装置包括半导体装置，其包括：电绝缘包封材料的包封体、由包封体包封的半导体管芯、以及均电连接到半导体管芯的两个或更多个引线；以及电连接在所述两个或更多个引线之间的ESD保护元件，并且ESD保护元件被配置为通过施加到ESD保护元件的外部刺激与所述两个或更多个引线电断开，所述外部刺激对所述半导体封装是非破坏性的。对所述半导体封装是非破坏性的。对所述半导体封装是非破坏性的。

【技术实现步骤摘要】
具有临时ESD保护元件的半导体封装

技术介绍

[0001]半导体装置容易受到静电放电(ESD)事件的损坏，在静电放电(ESD)事件中，在两个带电物体之间发生突然的电力流动。在半导体装置的制造期间可以采取措施来保护半导体装置免受损坏性的ESD事件的影响。然而，在制造完成之后对半导体装置进行的后续处理和加工可能会导致潜在的损坏性ESD事件。例如，当封装的半导体装置安装在诸如印刷电路板(PCB)之类的电路载体上时，半导体装置的移动和处理可能导致静电累积，其进而可能导致毁坏装置的ESD事件。此外，诸如ESD保护二极管之类的内置电路特征可能无法有效地防止这些ESD事件，或者在易受ESD事件影响的每一个电路节点处提供这些电路特征可能不是成本高效的。因此，希望以成本高效的方式保护半导体装置免受静电放电的影响。

技术实现思路

[0002]一种半导体装置包括：半导体封装，该半导体封装包括电绝缘包封材料的包封体、由包封体包封的半导体管芯、以及均电连接到半导体管芯的两个或更多个引线；以及ESD保护元件，其电连接在两个或更多个引线之间，并且其中ESD保护元件被配置为通过施加到ESD保护元件的外部刺激与两个或更多个引线电断开，该外部刺激对半导体封装是非破坏性的。
[0003]单独地或组合地，ESD保护元件是至少两个所述引线之间的电阻或电容。
[0004]单独地或组合地，外部刺激包括以下中的任一项或多项：对半导体装置的外部施加的热量、对两个或更多个引线的外部施加的电压、对ESD保护元件的外部施加的机械力、以及对ESD保护元件的外部施加的溶剂。
[0005]单独地或组合地，ESD保护元件在包封体外部。
[0006]单独地或组合地，两个或更多个引线包括从包封体暴露的外端，并且ESD保护元件是附接到两个或更多个引线的外端的导线。
[0007]单独地或组合地，外部刺激包括化学溶剂，并且ESD保护元件被配置为通过在化学溶剂中将ESD保护元件溶解而与两个或更多个引线电断开。
[0008]单独地或组合地，ESD保护元件包括焊料材料，外部刺激包括外部施加的热量，并且ESD保护元件被配置为通过将ESD保护元件加热到高于焊料材料的回流温度而与两个或更多个引线电断开。
[0009]单独地或组合地，包封体包括在包封体的上表面和下表面之间延伸的外侧壁、以及横向于外侧壁延伸的包封材料的搁板，并且ESD保护元件直接设置在搁板上。
[0010]单独地或组合地，外部刺激包括对ESD保护元件的外部施加的机械力，并且其中ESD保护元件被配置为在存在外部施加的机械力的情况下机械地折断两个或更多个引线或从两个或更多个引线脱离。
[0011]单独地或组合地，ESD保护元件在包封体内部。
[0012]单独地或组合地，外部刺激包括通过两个或更多个引线的外部施加的电流，并且ESD保护元件包括被配置为在外部施加的电流下自毁的电熔丝。
[0013]单独地或组合地，半导体管芯包括功率晶体管，并且两个或更多个引线中的第一引线包括功率晶体管的栅极端子，并且两个或更多个引线中的第二引线包括功率晶体管的输出端子。
[0014]根据另一个实施例，半导体装置包括电绝缘包封材料的包封体、由包封体包封并包括第一和第二端子的半导体管芯、以及连接到第一和第二端子的ESD保护元件，ESD保护元件被配置为在ESD事件中将电流从第一和第二端子转移开，并且ESD保护元件可以由对半导体装置的其余部分非破坏性的外部刺激来去除或破坏。
[0015]公开了一种提供半导体装置的方法。根据实施例，该方法包括：提供半导体封装，该半导体封装包括电绝缘包封材料的包封体、由包封体包封的半导体管芯、均电连接到半导体管芯的两个或更多个引线；以及电连接处于两个或更多个引线之间的ESD保护元件，并且ESD保护元件被配置为通过外部刺激与两个或更多个引线断开，所述外部刺激对半导体封装是非破坏性的。
[0016]单独地或组合地，该方法还包括：提供电路载体，将具有ESD保护元件的半导体装置安装在电路载体上，以及在操作半导体管芯之前通过施加外部刺激将ESD保护元件与两个或更多个引线断开。
[0017]单独地或组合地，外部刺激包括化学溶剂，并且断开ESD保护元件包括通过将化学溶剂施加到ESD保护元件来溶解ESD保护元件。
[0018]单独地或组合地，ESD保护元件包括焊料材料的导线，外部刺激包括对ESD保护元件的外部施加的热量，并且断开ESD保护元件包括向ESD保护元件施加热量以将ESD保护元件加热到高于焊料材料的回流温度。
[0019]单独地或组合地，ESD保护元件包括附接到两个或更多个引线的导线，包封体包括在包封体的上表面和下表面之间延伸的外侧壁和横向于外侧壁延伸的包封材料的搁板，并且在施加外部刺激之后，ESD保护元件的残余物积聚在搁板上。
[0020]单独地或组合地，ESD保护元件在包封体外部，并且断开ESD保护元件包括对引线施加非破坏性的机械力以将ESD保护元件从两个或更多个引线脱离。
[0021]单独地或组合地，ESD保护元件在包封体内部并且被配置为熔丝，并且断开ESD保护元件包括将破坏ESD保护元件的电流施加到两个或更多个引线。
附图说明
[0022]附图的元件不必相对于彼此按比例。类似的附图标记表示对应的相似部分。各种图示实施例的特征可以组合，除非它们相互排斥。实施例在附图中被描绘并且在下面的描述中被详细描述。
[0023]图1包括图1A、图1B和图1C，示出了根据实施例的半导体封装。图1A描绘了具有包封体的轮廓的半导体封装的平面图，图1B描绘了半导体封装的平面图，变迁图1C描绘了半导体封装的侧视图。
[0024]图2包括图2A和图2B，示出了根据实施例的包括半导体封装和ESD保护装置的半导体装置。图2A从平面图描绘了该装置，并且图2B从侧视图描绘了该装置。
[0025]图3示出了根据实施例的包括半导体封装和安装在电路载体上的ESD保护装置的半导体装置。
[0026]图4包括图4A和图4B，示出了根据另一个实施例的包括半导体封装和ESD保护装置的半导体装置。图4A从平面图描绘了半导体装置，并且图4B从侧视图描绘了半导体装置。
[0027]图5示出了根据实施例的在熔化或溶解ESD保护装置之后的半导体装置的平面图。
[0028]图6包括图6A和图6B，示出了根据另一个实施例的包括半导体封装和ESD保护装置的半导体装置。图6A描绘了具有包封体的轮廓的半导体装置的平面图，并且图6B描绘了半导体装置的平面图。
[0029]图7包括图7A、图7B和图7C，示出了根据另一个实施例的包括半导体封装和ESD保护装置的半导体装置。图7A描绘了具有包封体的轮廓的半导体装置的平面图，图7B描绘了半导体装置的平面图，并且图7C描绘了半导体装置的侧视图。
具体实施方式
[0030]本文描述了包括半导体封装和ESD保护元件的半导体装置的实施例。ESD保护元件跨半导体封装的至少两个引线物理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：半导体封装，其包括电绝缘包封材料的包封体、由所述包封体包封的半导体管芯、以及均电连接到所述半导体管芯的两个或更多个引线；以及ESD保护元件，其电连接在所述两个或更多个引线之间，并且其中，所述ESD保护元件被配置为通过施加到所述ESD保护元件的外部刺激与所述两个或更多个引线电断开，所述外部刺激对所述半导体封装是非破坏性的。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述ESD保护元件是所述引线中的至少两个引线之间的电阻或电容。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述外部刺激包括以下中的任何一项或多项：对所述半导体装置的外部施加的热量；对所述两个或更多个引线的外部施加的电压；对所述ESD保护元件的外部施加的机械力；以及对所述ESD保护元件的外部施加的溶剂。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述ESD保护元件在所述包封体的外部。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述两个或更多个引线包括从所述包封体暴露的外端，并且其中，所述ESD保护元件是附接到所述两个或更多个引线的所述外端的导线。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述外部刺激包括化学溶剂，并且其中，所述ESD保护元件被配置为通过在所述化学溶剂中将所述ESD保护元件溶解而与所述两个或更多个引线电断开。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述ESD保护元件包括焊料材料，其中，所述外部刺激包括外部施加的热量，并且其中，所述ESD保护元件被配置为通过将所述ESD保护元件加热到高于所述焊料材料的回流温度而与所述两个或更多个引线电断开。8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述包封体包括：外侧壁，其在所述包封体的上表面和下表面之间延伸；以及横向于所述外侧壁延伸的所述包封材料的搁板，并且其中，所述ESD保护元件直接设置在所述搁板之上。9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述外部刺激包括对所述ESD保护元件的外部施加的机械力，并且其中，所述ESD保护元件被配置为在存在所述外部施加的机械力的情况下机械地折断或从所述两个或更多个引线脱离。10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述ESD保护元件在所述包封体的内部。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述外部刺激包括通过所述两个或更多个引线的外部施加的电流，并且其中，所述ESD保护元件包括被配置为在所述外部施加的电流下自毁的电熔丝。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体管芯包括功率晶体管，并且其中，所述两个或更多个引线中的第一个引线包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：