有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置，其结构如式I所示：式I本发明专利技术的有机光电器件具有良好的发光效率、降低的驱动电压及延长的寿命。动电压及延长的寿命。动电压及延长的寿命。

【技术实现步骤摘要】
有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置


[0001]本专利技术涉及一种有机金属配合物，尤其涉及一种有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置，属于有机光电领域。

技术介绍

[0002]有机光电器件（特别是有机电致发光二极管(OLED)）具有自发光、宽视角、低能耗、效率高、薄、色彩丰富、响应速度快，适用温度范围广、低驱动电压、可制作柔性可弯曲与透明的显示面板以及环境友好等独特优点，可以应用在平板显示器和新一代照明上，也可以作为LCD的背光源。
[0003]20世纪80年代底专利技术以来，OLED已经在产业上有所应用，OLED发光分为荧光发光和磷光发光两种方式，根据理论推测，由载流子复合产生的单重激发态与三重激发态的比例为1:3，所以使用小分子荧光材料时，能用于发光的仅为全部能量的25％，其余的75％的能量因三重激发态的非发光机制而损失掉，故一般认为荧光材料的内部量子效率极限为25％。1998年Forrest教授等人发现三线态磷光可以在室温下利用，并将原来内量子效率的上限提升到100％，三重态磷光体常常都是重金属原子组成的络合物，利用重原子效应，强烈的自旋轨域耦合作用使得原本被禁止的三重态能量以磷光的形式发光，量子效率也随之大幅提升。
[0004]目前有机OLED组件中的发光层几乎全部使用主客体发光体系机制，即在主体材料中掺杂客体发光材料，一般来说，有机主体材料的能系要比客体材料大，即能量由主体传递给客体，使客体材料被激发而发光。常用的磷光有机主体材料具有高三线态能级，当有机主体材料被电场激发时，三线态能量能够有效地从有机主体材料转移到客体磷光材料。常用的有机客体材料为铱和铂金属化合物。然而铂，钯配合物材料和器件的开发仍然存在一些技术难点，比如 OLED要求效率高，寿命长，操作电压更低。
[0005]因此，迫切需要开发一种新颖的有机金属配合物。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术的目的是提供一种新颖的有机金属配合物及包含其的有机光电器件（特别是有机电致发光二极管）。将本专利技术的有机金属配合物应用于有机光电器件，可以提升该器件的电流效率、降低该器件的操作电压，且延长该器件的寿命。
[0007]为了实现本专利技术的目的，本专利技术的技术方案如下：本专利技术提供了一种有机金属配合物，其结构如式I示：
式I在式I中，M选自铂（Pt）或钯（Pd）；CY4和CY5中至少一者选自以下结构中任一者，但不代表限于此：其中B1、B2、B3、B4、C1和C2各自独立地选自C6～C60的芳基和C1～C60的杂芳基，且它们可以根据价键原则进行单取代或多取代。
[0008]R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；n为0到10的整数；Y
10
至Y
13
各自独立地选自C、N或O；L1为O、N
‑
R7或S；CY4 至CY5各自独立地与相应的Y10至Y13形成C6~C60的环基团和C1~C50杂环基团；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
[0009]优选地，B1、B2、B3和B4各自独立地选自下列结构中任一者，但不代表限于此：
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；n为0到10的整数；X各自独立地选自C、O、N、S或Se；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
[0010]更优先地，C1和C2各自独立地选自下列结构中任一者：其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；X为C、O、N、S或Se；n为0到10的整数；虚线表示与上述结构中的六元环相连形成化学键；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
[0011]更优选地，CY4和CY5中至少一者选自下列结构中任一者：
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基，且其根据价键原则进行单取代或多取代；n为0到10的整数；X为C、O、N、S或Se；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
[0012]更优选地，其中R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自甲基苯基、C1～C10烷基、苯氧基、甲氧基、叔丁氧基、C1～C10烷氧基、三苯基硅基、对叔丁基苯基、间叔丁基苯基、2
‑
联苯基、C1～C10取代的对叔丁基苯基、C1～C10取代的间叔丁基苯基、C1～C10取代的2
‑
联苯基、C1～C20取代的苯基、降冰片烯基、萘基、2，6
‑
二异丙基苯基、2，6
‑
二甲基苯基、2，4，6
‑
三异丙基苯基、2，4，6
‑
三甲基苯基、3，5
‑
二异丙基苯基、3，5
‑
二甲基苯基、3，5
‑
叔丁基苯基、2，4
‑
二异丙基苯基、2，4
‑
二甲基苯基。
[0013]更优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.有机金属配合物，其结构如式I所示：式I在式I中，M选自铂或钯；CY4和CY5中至少一者选自以下结构中任一者：其中，B1、B2、B3、B4、C1和C2各组独立地选自C6～C60的芳基或C1～C60的杂芳基，且它们可以进行单取代或多取代；R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；n为0到10的整数；Y
10
至Y
13
各自独立地选自C、N或O；L1为O、N
‑
R7或S；CY4 至CY5各自独立地与相应的Y
10
至Y
13
形成C6~C60的环基团和C6~C50杂环基团；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。2.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其中B1、B2、B3和B4各自独立地选自下列结构中任一者：
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；n为0到10的整数；X各自独立地选自C、O、N、S或Se；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。3.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中C1和C2各自独立地选自下列结构中任一者：其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；X为C、O、N、S或Se；虚线表示与上述结构中的六元环相连形成化学键；n为0到10的整数；虚线表示与根据权利要求2中的六元环相连形成化学键；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。4.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中CY4和CY5中至少一者选自下列结构中任一者：
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基，且其进行单取代或多取代；n为0到10的整数；X为C、O、N、S或Se；上述所有基团可被部分氘代或全氘代。5.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氨基、氰基、甲基苯基、C1～C10烷基、苯氧基、甲氧基、叔丁氧基、C1～C10烷氧基、三苯基硅基、对叔丁基苯基、间叔丁基苯基、2
‑
苯基、C1～C10取代的对叔丁基苯基、C1～C10取代的间叔丁基苯基、C1～C10取代的2
‑
苯基、C1～C20取代的苯基、降冰片烯基、萘基、2，6
‑
二异丙基苯基、2，6
‑
二甲基苯基、2，4，6
‑
三异丙基苯基、2，4，6
‑
三甲基苯基、3，5
‑
二异丙基苯基、3，5
‑
二甲基苯基、3，5
‑
叔丁基苯基、2，4
‑
二异丙基苯基、2，4
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二甲基苯基。6.根据权利要求5所述的有机金属配合物，其中所述C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓宇，申屠晓波，邹丽鸿，王朋超，张磊，吴空物，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：