一种采用电磁波加热的真空成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种采用电磁波加热的真空成膜装置，包括装置本体和反应室，所述装置本体包括外壳，所述外壳的内部设置有坩埚，所述外壳的内部且位于坩埚的外部设置有电磁波加热线圈，所述坩埚的内部设置有源接收单元，并且源接收单元的两侧均固定连接有密封件，所述外壳的一侧设置有冷却构件，并且坩埚的两侧均固定连接有支架，所述源接收单元内部的一侧设置有气体注入单元，并且源接收单元内部的另一侧设置有温度测量单元，本发明专利技术涉及真空成膜装置技术领域。该采用电磁波加热的真空成膜装置，使用气相转移沉积法，通过非接触式电磁波加热方法使源得到升华，并在坩埚外部形成的外壳中形成冷却装置，以防止基板的热损坏。以防止基板的热损坏。以防止基板的热损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种采用电磁波加热的真空成膜装置


[0001]本专利技术涉及真空成膜装置
，具体为一种采用电磁波加热的真空成膜装置。

技术介绍

[0002]基板是制造PCB的基本材料，一般情况下，基板就是覆铜箔层压板，单、双面印制板在制造中是在基板材料
‑
覆铜箔层压板上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形，另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连，在基板上形成薄膜的方法有多种，例如涂布法、印刷法、热蒸镀法、物理气相沉积法、化学气相沉积法和气象移动沉积法。
[0003]近年来开发了很多采用气相移动沉积法的真空成膜装置，但是采用气相移动沉积法时，因升华源的温度不均匀，所以在放源的狭缝中会产生残留物，升华源由于不均匀排放，沉积在基板上的源的厚度不均匀，这将导致难以大面积应用，此外，为了使升华源的温度均匀，即防止升华源再次凝固，必须使用多个加热单元，因此存在设计复杂，费用昂贵的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种采用电磁波加热的真空成膜装置，解决了采用气相移动沉积法时，因升华源的温度不均匀，所以在放源的狭缝中会产生残留物，升华源由于不均匀排放，沉积在基板上的源的厚度不均匀，存在设计复杂，费用昂的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种采用电磁波加热的真空成膜装置，包括装置本体和反应室，所述装置本体包括外壳，所述外壳的内部设置有坩埚，所述外壳的内部且位于坩埚的外部设置有电磁波加热线圈，所述坩埚的内部设置有源接收单元，并且源接收单元的两侧均固定连接有密封件，所述外壳的一侧设置有冷却构件，并且坩埚的两侧均固定连接有支架，所述源接收单元内部的一侧设置有气体注入单元，并且源接收单元内部的另一侧设置有温度测量单元，所述反应室位于装置本体的下方，所述反应室包括入口和出口，所述入口和出口之间设置有基板，所述反应室的内部且位于基板的下方设置有滚轮，所述反应室和装置本体之间设置有拆卸部分。
[0006]优选的，所述气体注入单元和温度测量单元的一侧均贯穿坩埚并延伸至坩埚的外部。
[0007]优选的，所述外壳包括第一外壳、第二外壳和底座，所述支架的底部与底座的顶部固定连接。
[0008]优选的，所述坩埚包括喷嘴部件，所述喷嘴部件设置在坩埚顶部的一侧，所述喷嘴部件包括第一喷嘴部件和第二喷嘴部件，所述第一喷嘴部件和第二喷嘴部件之间形成狭缝。
[0009]优选的，所述冷却构件包括第一冷却构件和第二冷却构件，所述第一冷却构件位于底座的内部，所述第二冷却构件位于外壳的外部。
[0010]优选的，所述坩埚与支架之间且位于密封件的外部连接有绝缘陶瓷。
[0011]有益效果
[0012]本专利技术提供了一种采用电磁波加热的真空成膜装置。与现有技术相比具备以下有益效果：该采用电磁波加热的真空成膜装置，通过装置本体包括外壳，外壳的内部设置有坩埚，外壳的内部且位于坩埚的外部设置有电磁波加热线圈，坩埚的内部设置有源接收单元，并且源接收单元的两侧均固定连接有密封件，外壳的一侧设置有冷却构件，并且坩埚的两侧均固定连接有支架，源接收单元内部的一侧设置有气体注入单元，并且源接收单元内部的另一侧设置有温度测量单元，反应室位于装置本体的下方，反应室包括入口和出口，入口和出口之间设置有基板，反应室的内部且位于基板的下方设置有滚轮，反应室和装置本体之间设置有拆卸部分，使用气相转移沉积法，通过非接触式电磁波加热方法使源得到升华，并在坩埚外部形成的外壳中形成冷却装置，以防止基板的热损坏。
附图说明
[0013]图1为本专利技术结构的截面图；
[0014]图2为本专利技术结构与反应室连接的状态的截面图。
[0015]图中：200
‑
装置本体、210
‑
外壳、211
‑
第一外壳、212
‑
第二外壳、213
‑
底座、220
‑
坩埚、221
‑
喷嘴部件、221a
‑
第一喷嘴部件、221b
‑
第二喷嘴部件、222
‑
狭缝、230
‑
电磁波加热线圈、240
‑
源接收单元、250
‑
密封件、260
‑
冷却构件、261
‑
第一冷却构件、262
‑
第二冷却构件、270
‑
支架、271
‑
绝缘陶瓷、280
‑
气体注入单元、290
‑
温度测量单元、300
‑
反应室、310
‑
入口、320
‑
出口、330
‑
滚轮、340
‑
基板、350
‑
拆卸部分。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
‑
2，本专利技术提供一种技术方案：一种采用电磁波加热的真空成膜装置，包括装置本体200和反应室300，反应室300的内部可以通过真空泵保持真空状态，装置本体200包括外壳210，外壳210被设计成通过底座213可以从反应室300进行拆卸，但不限于此，反应室300也可以安装在外壳210上，外壳210的内部设置有坩埚220，坩埚220由绝缘材质制成，电磁波加热线圈230产生的磁场造成坩埚220出现电磁波现象，运用电磁波加热原理，由产生的涡流现象使坩埚220发热，坩埚220可以从氮化硼，碳化硅，铜，石墨，钼，镍，钽，钨中的至少一种材料制成，外壳210的内部且位于坩埚220的外部设置有电磁波加热线圈230，坩埚220的内部设置有源接收单元240，并且源接收单元240的两侧均固定连接有密封件250，密封件250可以由螺纹形式与源接收单元240形成连接部分，外壳210的一侧设置有冷却构件260，并且坩埚220的两侧均固定连接有支架270，源接收单元240内部的一侧设置有气体注入单元280，并且源接收单元240内部的另一侧设置有温度测量单元290，反应室300位于
装置本体200的下方，反应室300包括入口310和出口320，入口310和出口320之间设置有基板340，反应室300的内部且位于基板340的下方设置有滚轮330，反应室300和装置本体200之间设置有拆卸部分350。
[0018]电磁波加热线圈230呈包围坩埚220的部分，并且电磁波加热线圈230位于除了形成喷嘴部件221位置之外的坩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用电磁波加热的真空成膜装置，包括装置本体(200)和反应室(300)，其特征在于：所述装置本体(200)包括外壳(210)，所述外壳(210)的内部设置有坩埚(220)，所述外壳(210)的内部且位于坩埚(220)的外部设置有电磁波加热线圈(230)，所述坩埚(220)的内部设置有源接收单元(240)，并且源接收单元(240)的两侧均固定连接有密封件(250)，所述外壳(210)的一侧设置有冷却构件(260)，并且坩埚(220)的两侧均固定连接有支架(270)，所述源接收单元(240)内部的一侧设置有气体注入单元(280)，并且源接收单元(240)内部的另一侧设置有温度测量单元(290)，所述反应室(300)位于装置本体(200)的下方，所述反应室(300)包括入口(310)和出口(320)，所述入口(310)和出口(320)之间设置有基板(340)，所述反应室(300)的内部且位于基板(340)的下方设置有滚轮(330)，所述反应室(300)和装置本体(200)之间设置有拆卸部分(350)。2.根据权利要求1所述的一种采用电磁波加热的真空成膜装置，其特征在于：所述气体注入单元(280)和温度测...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰卿，
申请(专利权)人：扬州韩思半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：