监测气态分子污染物的方法与系统技术方案

一种监测气态分子污染物的方法与系统包括冷凝冲击瓶与加温冲击瓶，其分别装填采样液体。冷却器用以冷却冷凝冲击瓶低于室温。加热器用以加热加温冲击瓶高于室温。第一管体连接于冷凝冲击瓶与加温冲击瓶之间。第二管体插入加温冲击瓶所装填的采样液体内。气泵连接至冷凝冲击瓶并抽气，促使第二管体吸入待监测气体并导入加温冲击瓶的采样液体内。并导入加温冲击瓶的采样液体内。并导入加温冲击瓶的采样液体内。

【技术实现步骤摘要】
监测气态分子污染物的方法与系统


[0001]本揭露涉及一种监测气态分子污染物的方法与系统。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(Integrated Circuit,IC)行业已经历了指数式的增长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(亦即，每晶片面积的互连元件的数目)通常增大，而几何大小(亦即，可形成的最小元件(或接线))通常减小。这种缩小通常可以增大生产效率并降低相关联的成本，但同时也增加了处理及制造IC的复杂性。

技术实现思路

[0003]依据本揭露的部分实施例，一种监测气态分子污染物的方法包括以下步骤。分别添加一第一采样液体与一第二采样液体至一加温冲击瓶与一冷凝冲击瓶内，其中一第一管体自该加温冲击瓶外延伸至加温冲击瓶内，并进一步延伸至第一采样液体内，一第二管体串联加温冲击瓶与冷凝冲击瓶。使用一气泵连接冷凝冲击瓶抽气，促使第一管体吸入一待监测气体并导入第一采样液体内。加热加温冲击瓶，使得第一采样液体蒸发并通过第二管体被冷凝冲击瓶所搜集。
[0004]依据本揭露的部分实施例，一种监测气态分子污染物的方法包括以下步骤。分别添加一第一采样液体与一第二采样液体至一第一冲击瓶与一第二冲击瓶内，其中一第一管体自该第一冲击瓶外延伸至第一冲击瓶内，并进一步延伸至第一采样液体内，一第二管体串联第一冲击瓶与该第二冲击瓶。冷却第二冲击瓶。使用一气泵连接第二冲击瓶抽气，促使第一管体吸入一待监测气体并导入该第一采样液体内。
[0005]依据本揭露的部分实施例，一种监测气态分子污染物的系统包含以下元件。一加温冲击瓶用以装填一第一采样液体。一冷凝冲击瓶用以装填一第二采样液体。一加热器用以加热加温冲击瓶至高于室温。一第一管体连接于加温冲击瓶与冷凝冲击瓶之间。一第二管体插入加温冲击瓶内。一气泵连接至冷凝冲击瓶。
附图说明
[0006]当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1为根据本揭示案的一些实施例的监测气态分子污染物系统的示意图；
[0008]图2为根据本揭示案的一些实施例的监测气态分子污染物系统的示意图；
[0009]图3为根据本揭示案的一些实施例的监测气态分子污染物系统的示意图；
[0010]图4为根据本揭示案的一些实施例的监测气态分子污染物系统的示意图；
[0011]图5为根据本揭示案的一些实施例的监测气态分子污染物的方法流程图。
[0012]【符号说明】
[0013]400:监测气态分子污染物系统
[0014]400a:监测气态分子污染物系统
[0015]400b:监测气态分子污染物系统
[0016]400c:监测气态分子污染物系统
[0017]402:冷凝冲击瓶
[0018]403:顶盖
[0019]404:采样液体
[0020]406:管体
[0021]406a:端
[0022]406b:端
[0023]408:管体
[0024]408a:端
[0025]410:气泵
[0026]412:冷却器
[0027]413:加温冲击瓶
[0028]414:采样液体
[0029]415:顶盖
[0030]416:管体
[0031]416a:端
[0032]416b:端
[0033]418:加热器
[0034]450:隔热板
[0035]452:隔热箱
[0036]454:隔热箱
[0037]500:方法
[0038]502:操作
[0039]504:操作
[0040]506:操作
[0041]508:操作
[0042]510:操作
具体实施方式
[0043]以下揭示内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述元件及布置的特定实例以简化本揭示案。当然，此些仅为实例，且并不意欲为限制性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上方形成可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚目的，且其自身并不表示
所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0044]另外，为了便于描述，可在本文中使用诸如“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下部”、“在
……
上方”、“上部”及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所绘示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此些空间相对术语意欲涵盖元件在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。
[0045]一些实施方式中所描述的监测气态分子污染物方法与系统用以监测酸(acid)、碱(base)、凝结物(condensable)、掺杂物(dopant)以及金属污染物(metal)等五大类气态分子污染物。酸为腐蚀性物质，例如：氢氟酸、硫酸、氢氯酸、硝酸、磷酸、氢溴酸。碱为腐蚀性物质，例如氨、氢氧化铵、甲基氨、二甲基氨、二乙醇氨。掺杂物为一种化学元素、可以改变半导体物质的电性者，例如硼(B)、磷(P)、砷(S)等。凝结物为除水之外的物质，在大气压下沸点大于室温，具有凝结在干净表面能力者。金属污染物可来自于铜制程的使用，以气态型式存在或粒径小于高效率空气微粒(high efficiency particulate air,HEPA)滤网可捕捉范围的金属化合物亦可能成为污染物。
[0046]由于目前半导体集成电路制程已微缩小至纳米级，且还在不断的微缩，气态分子污染物对于半导体集成电路的品质、可靠性及良率的影响不断增大。例如，制作完成的晶圆因表面长时间接触含氟/氯的空气造成表面铝腐蚀；而铜制程晶圆表面则可能遭硫化物腐蚀；机台的不锈钢表面受长时期氟/氯的空气腐蚀而产生微粒；气态分子互相反应产生微粒沉积在光罩表面，或造成投影机透镜长霾(hazing)，影响曝光功率或造成图形变异；气态分子污染物吸附在晶圆表面，通过后续热制程扩散至底部，进而改变产品的电性。因此，本揭示案一些实施例提出以下解决方案以监控气态分子污染物。
[0047]请参照图1，其绘示根据本揭示案的一些实施例的监测气态分子污染物系统的示意图。监测气态分子污染物系统400包含冷凝冲击瓶402、冷却器412、加温冲击瓶413、加热器418与气泵410等。冷凝冲击瓶402与加温冲击瓶413均用以装填采样液体(404、414)。管体406用以连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种监测气态分子污染物的方法，其特征在于，包括：分别添加一第一采样液体与一第二采样液体至一加温冲击瓶与一冷凝冲击瓶内，其中一第一管体自该加温冲击瓶外延伸至该加温冲击瓶内，并进一步延伸至该第一采样液体内，一第二管体串联该加温冲击瓶与该冷凝冲击瓶；使用一气泵连接该冷凝冲击瓶抽气，促使该第一管体吸入一待监测气体并导入该第一采样液体内；以及加热该加温冲击瓶，使得该第一采样液体蒸发并通过该第二管体被该冷凝冲击瓶所搜集。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加热该加温冲击瓶的温度为60℃～65℃。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：冷却该冷凝冲击瓶。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：设置隔热板位于该加温冲击瓶与该冷凝冲击瓶之间。5.一种监测气态分子污染物的方法，其特征在于，包括：分别添加一第一采样液体与一第二采样液体至一第一冲击瓶与一第二冲击瓶内，其中一第一管体自该第一冲击瓶外延伸至该第一冲击瓶内，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄子寿，郭啓文，张怡华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：