一种行波调相压控振荡电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种行波调相压控振荡电路结构，包括振荡管Q，振荡管Q基极和集电极分别通过电容C1和C2接振荡巢路的A、B两端，发射极分别通过电阻Re和电容Ce接地，振荡巢路包括变容二极管VD1、VD2……

【技术实现步骤摘要】
一种行波调相压控振荡电路结构


[0001]本专利技术涉及压控振荡电路，特别涉及一种行波调相压控振荡电路结构。

技术介绍

[0002]如图1所示，为一种常见的压控振荡电路结构，由振荡管Q、电容C1和C2、发射极电阻Re和发射极电容Ce、电感L、变容二极管VD1和VD2构成。V
T
为调谐电压。振荡管Q这里以三极管示意，也可以为其他有源放大器或者负阻性器件。VD1、VD2、L构成振荡巢路。
[0003]振荡器平衡状态的相位平衡条件为闭路总相移为0或者2Π的整数倍，即要求反馈信号的相位与原输入信号的相位相同。现有的压控振荡电路结构，由于有源器件、寄生参量等的影响，一般振荡回路总是处于微小的失谐状态，不容易满足振荡器的相位平衡条件，使得频率稳定度和效率都降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的是：提供一种行波调相压控振荡电路结构，更容易满足振荡器的相位平衡条件。
[0005]本专利技术的技术方案是：
[0006]一种行波调相压控振荡电路结构，包括振荡管Q、电容C1和C2、发射极电阻Re和发射极电容Ce、振荡巢路，所述振荡管Q基极和集电极分别通过电容C1和C2接振荡巢路的A、B两端，发射极分别通过发射极电阻Re和发射极电容Ce接地，振荡巢路的B端还连接调谐电压V
T
；所述振荡巢路包括变容二极管VD1、VD2……
VD
N
、VD
N+1
和电感L1、L2……
L
N
，其中电感L1、L2……
L
N
依次级联在A、B两端之间，变容二极管VD1、VD
N+1
分别接在A端与地之间、B端与地之间，变容二极管VD2……
VD
N
分别接在各电感L1、L2……
L
N
之间的级联结点与地之间。
[0007]具体的，所述变容二极管VD1和电感L1、VD2和L2……
VD
N
和L
N
分别构成一级的移相单元，各级移相单元的相移量为θ1、θ2
……
θN,令振荡管Q基极到集电极的信号时延为θc，则压控振荡电路的相位平衡条件为：
[0008]θc+θ1+θ2+
…
+θN＝0或n*2π(n＝1,2,3
…
)。
[0009]具体的，所述各级移相单元的相移量为θ1、θ2
……
θN,分别是频率ω和调谐电压V
T
的函数。
[0010]本专利技术的优点是：
[0011]本专利技术提出的行波调相压控振荡电路结构，基于传输线理论，由于振荡巢路中的电感是固定值，变容二极管的容值是频率和调谐电压的函数，VD1、VD2……
VD
N
和L1、L2……
L
N
构成等效人工传输线，更容易满足振荡器的相位平衡条件。
附图说明
[0012]下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述：
[0013]图1为现有的压控振荡电路结构原理图；
[0014]图2为本专利技术实施例的行波调相压控振荡电路结构原理图。
具体实施方式
[0015]如图2所示，本专利技术的行波调相压控振荡电路结构，包括振荡管Q、电容C1和C2、发射极电阻Re和发射极电容Ce、振荡巢路，所述振荡管Q基极和集电极分别通过电容C1和C2接振荡巢路的A、B两端，发射极分别通过发射极电阻Re和发射极电容Ce接地，振荡巢路的B端还连接调谐电压V
T
；所述振荡巢路包括变容二极管VD1、VD2……
VD
N
、VD
N+1
和电感L1、L2……
L
N
，其中电感L1、L2……
L
N
依次级联在A、B两端之间，变容二极管VD1、VD
N+1
分别接在A端与地之间、B端与地之间，变容二极管VD2……
VD
N
分别接在各电感L1、L2……
L
N
之间的级联结点与地之间。
[0016]本专利技术的行波调相压控振荡电路结构，振荡巢路由多级图1中所示的振荡巢路级联而成，经分析可发现变容二极管VD1和电感L1、VD2和L2……
VD
N
和L
N
分别构成一级的移相单元，各级移相单元构成了等效的人工传输线。基于传输线理论：
[0017]相移传输常量
[0018]相移量θ＝βl，其中l为传输线物理长度。
[0019]由于振荡巢路中的电感是固定值，变容二极管的容值C是频率ω和调谐电压V
T
的函数，可知所述各级移相单元的相移量θ1、θ2
……
θN,也分别是频率ω和调谐电压V
T
的函数,即θ1＝θ1(ω,V
T
)，θ2＝θ2(ω,V
T
)，
……
，θN＝θN(ω,V
T
)。
[0020]令基极到集电极的信号时延为θc，忽略图2中C1、C2、VD
N+1
的相移，则相位平衡条件为：
[0021]θc+θ1+θ2+
…
+θN＝0或n*2π(n＝1,2,3
…
)。
[0022]上述振荡电路中的振荡管Q以三极管示意，除了三极管还可以为各类有源放大器或负阻器件。
[0023]本专利技术提出的行波调相压控振荡电路结构，基于传输线理论，由于振荡巢路中的电感是固定值，变容二极管的容值是频率和调谐电压的函数，VD1、VD2……
VD
N
和L1、L2……
L
N
构成等效人工传输线，更容易满足振荡器平衡状态的相位平衡条件。
[0024]上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种行波调相压控振荡电路结构，包括振荡管Q、电容C1和C2、发射极电阻Re和发射极电容Ce、振荡巢路，所述振荡管Q基极和集电极分别通过电容C1和C2接振荡巢路的A、B两端，发射极分别通过发射极电阻Re和发射极电容Ce接地，振荡巢路的B端还连接调谐电压V
T
；其特征在于：所述振荡巢路包括变容二极管VD1、VD2……
VD
N
、VD
N+1
和电感L1、L2……
L
N
，其中电感L1、L2……
L
N
依次级联在A、B两端之间，变容二极管VD1、VD
N+1
分别接在A端与地之间、B端与地之间，变容二极管VD2……
VD
N
分别接在各电感L...

【专利技术属性】
技术研发人员：高怀，田婷，李昕，毛祥飞，
申请(专利权)人：成都英诺迅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：