本发明专利技术公开一种逆变器以及像素电路，其中该逆变器包括二极管以及开关薄膜晶体管。二极管包括第一半导体沟道结构、第一电极、第二电极以及第三电极。第一电极重叠且分离于第一半导体沟道结构的第一沟道区。第二电极以及第三电极分别电连接第一半导体沟道结构。第二电极电连接至第一电极。开关薄膜晶体管包括第二半导体沟道结构、栅极、漏极以及源极。栅极重叠且分离于第二半导体沟道结构的第二沟道区。第一沟道区的载流子迁移率大于第二沟道区的载流子迁移率。漏极电连接至二极管的第三电极。子迁移率。漏极电连接至二极管的第三电极。子迁移率。漏极电连接至二极管的第三电极。
【技术实现步骤摘要】
逆变器以及像素电路
[0001]本专利技术涉及一种逆变器以及像素电路。
技术介绍
[0002]在常见的显示装置中，像素电路中包含开关元件以及驱动元件，其中开关元件用于控制驱动元件的栅极，并通过调整驱动元件的栅极电压以控制驱动元件的输出电流。电流经由驱动元件传递至发光元件，并点亮发光元件。一般而言，若要使发光元件长时间维持点亮状态，则必须让驱动元件长时间的输出电流。然而，这会导致驱动元件因为长时间的电流应力(Current stress)而出现衰退，进而影响发光元件的亮度。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种逆变器，其输出电流大小容易调整。
[0004]本专利技术提供一种像素电路，能改善驱动晶体管的衰退问题。
[0005]本专利技术的至少一实施例提供一种逆变器。逆变器包括二极管以及开关薄膜晶体管。二极管包括第一半导体沟道结构、第一电极、第二电极以及第三电极。第一电极重叠且分离于第一半导体沟道结构的第一沟道区。第二电极以及第三电极分别电连接第一半导体沟道结构。第二电极电连接至第一电极。开关薄膜晶体管包括第二半导体沟道结构、栅极、漏极以及源极。栅极重叠且分离于第二半导体沟道结构的第二沟道区。第一沟道区的载流子迁移率大于第二沟道区的载流子迁移率。漏极以及源极分别电连接至第二半导体沟道结构，且漏极电连接至二极管的第三电极。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种像素电路。像素电路包括开关元件、逆变器、第一驱动晶体管以及第二驱动晶体管。开关元件电连接至扫描线以及数据线。逆变器包括二极管以及开关薄膜晶体管。开关薄膜晶体管电连接至二极管。二极管的第一半导体沟道结构的第一沟道区的载流子迁移率大于开关薄膜晶体管的第二半导体沟道结构的第二沟道区的载流子迁移率。第一驱动晶体管的第一栅极电连接开关元件。第二驱动晶体管的第二栅极通过逆变器而电连接开关元件。
附图说明
[0007]图1A是本专利技术的一实施例的一种逆变器的等效电路示意图；
[0008]图1B是本专利技术的一实施例的一种逆变器的剖面示意图；
[0009]图2A是本专利技术的一实施例的一种像素电路的等效电路示意图；
[0010]图2B是本专利技术的一实施例的一种像素电路的开关元件、第一驱动晶体管以及第二驱动晶体管的剖面示意图；
[0011]图2C是本专利技术的一实施例的一种像素电路的重置晶体管的剖面示意图；
[0012]图3是本专利技术的一实施例的一种像素电路的操作信号时序图；
[0013]图4是本专利技术的一实施例的一种像素电路的逆变器的输入电压与输出电压曲线
图。
[0014]符号说明
[0015]100:基板
[0016]112:第一缓冲层
[0017]114:第二缓冲层
[0018]120:栅介电层
[0019]130:层间介电层
[0020]a:第一节点
[0021]b:第二节点
[0022]C1:第一存储电容
[0023]C2:第二存储电容
[0024]c:第三节点
[0025]d:第四节点
[0026]ch1～ch6:沟道区
[0027]D1:第二电极
[0028]D2:漏极
[0029]EL:发光二极管
[0030]G1:第一电极
[0031]G2:栅极
[0032]GND:接地电压
[0033]IVT:逆变器
[0034]ND:法线方向
[0035]OS1:第一金属氧化物层
[0036]OS2:第二金属氧化物层
[0037]OS3:第三金属氧化物层
[0038]OS4:第四金属氧化物层
[0039]OS5:第五金属氧化物层
[0040]OS6:第六金属氧化物层
[0041]OS7:第七金属氧化物层
[0042]OS8:第八金属氧化物层
[0043]OS9:第九金属氧化物层
[0044]PX:像素电路
[0045]S1:第三电极
[0046]S2:源极
[0047]SM1:第一半导体沟道结构
[0048]SM2:第二半导体沟道结构
[0049]SMsw,SMdr1,SMdr2,SMse:半导体沟道结构
[0050]sr1～sr6:源极区
[0051]Tse:重置晶体管
[0052]Tload:二极管
[0053]Tsw1:开关薄膜晶体管
[0054]Tsw2:开关元件
[0055]Tdr1:第一驱动晶体管
[0056]Tdr2:第二驱动晶体管
[0057]t1,t2:厚度
[0058]VDD1,VDD2,Vsus,Vdr1,Vdr2,Vgs:电压
[0059]Vdata:数据线电压
[0060]Vdata+:高电压电平
[0061]Vdata
‑
:低电压电平
[0062]Vin:输入电压
[0063]Vref:参考电压电平
[0064]Vreset:重置电压
[0065]Vout:输出电压
[0066]Vscan:扫描线电压
[0067]V1:第一接触孔
[0068]V2:第二接触孔
[0069]V3:第三接触孔
[0070]V4:第四接触孔
[0071]V5:第五接触孔
[0072]V6:第六接触孔
[0073]V7:第七接触孔
[0074]V8:第八接触孔
[0075]V9:第九接触孔
[0076]V10:第十接触孔
[0077]V11:第十一接触孔
[0078]V12:第十二接触孔
[0079]V13:第十三接触孔
[0080]V14:第十四接触孔
[0081]V15:第十五接触孔
具体实施方式
[0082]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种逆变器的等效电路示意图。图1B是依照本专利技术的一实施例的一种逆变器的剖面示意图。
[0083]请参考图1A与图1B，逆变器IVT包括二极管Tload以及开关薄膜晶体管Tsw1。在本实施例中，逆变器IVT还包括基板100、第一缓冲层112、第二缓冲层114、栅介电层120以及层间介电层130。
[0084]基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶片、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。若使用导电材料或金属
时，则在基板100上覆盖一层绝缘层(未绘示)，以避免短路问题。在一些实施例中，基板100为软性基板，且基板100的材料例如为聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚酯(polyester,PES)、聚甲基丙烯酸本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种逆变器，包括：二极管，包括：第一半导体沟道结构；第一电极，重叠且分离于该第一半导体沟道结构的第一沟道区；以及第二电极以及第三电极，分别电连接该第一半导体沟道结构，其中该第二电极电连接至该第一电极；以及开关薄膜晶体管，包括：第二半导体沟道结构；栅极，重叠且分离于该第二半导体沟道结构的第二沟道区，其中该第一沟道区的载流子迁移率大于该第二沟道区的载流子迁移率；以及漏极以及源极，分别电连接至该第二半导体沟道结构，且该漏极电连接至该二极管的该第三电极。2.如权利要求1所述的逆变器，还包括：栅介电层，位于该第一半导体沟道结构与该第一电极之间以及该第二半导体沟道结构与该栅极之间；以及层间介电层，位于该栅介电层、该栅极以及该第一电极上，其中该第二电极以及该第三电极分别通过穿过该层间介电层以及该栅介电层的第一接触孔以及第二接触孔而电连接至该第一半导体沟道结构，该漏极以及该源极分别通过穿过该层间介电层以及该栅介电层的第三接触孔以及第四接触孔而电连接至该第二半导体沟道结构，且该第二电极通过穿过该层间介电层的第五接触孔而电连接至该第一电极。3.如权利要求1所述的逆变器，其中该第一半导体沟道结构包括：第一金属氧化物层；以及第二金属氧化物层，位于该第一金属氧化物层上，其中该第一沟道区包括该第一金属氧化物层与该第二金属氧化物层的重叠部分。4.如权利要求3所述的逆变器，其中该第二金属氧化物层覆盖该第一金属氧化物层的顶面以及侧壁，并自该第一金属氧化物层的该侧壁向外延伸。5.如权利要求3所述的逆变器，其中该第一半导体沟道结构包括第三金属氧化物层，其中该第三金属氧化物层与该第二金属氧化物层属于相...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈衍豪，江家维，范扬顺，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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