本实用新型专利技术涉及一种晶圆清洗制程中静电去除装置，包括箱体，箱体内分为上下两层，下层设有溶气膜水箱、与溶气膜水箱连通的气路管组、水管组；气路管组中接有气压调节阀，水管组包括进水管、出水管、浓度调节管，水管组中的流体流经溶气膜水箱；上层安装有电阻率表、控制按钮、时间继电器，所述电阻率表连接有伸入流体中的探头，时间继电器与气压调节阀连接。通过电阻率探头测得水中电阻率反馈给电阻率表，从而控制设备输入二氧化碳水与排气，达到精准控制水中二氧化碳溶解量的目的。控制水中二氧化碳溶解量的目的。控制水中二氧化碳溶解量的目的。
【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗制程中静电去除装置
[0001]本技术涉及晶圆除静电
，尤其是一种晶圆清洗制程中静电去除装置。
技术介绍
[0002]在半导体行业晶圆清洗制程中，常常会因为高电阻的超纯水中存在静电，而使得在划片制程、晶圆清洗等半导体加工过程中出现晶圆因静电吸附、静电放电或微粒子附着等物理现象，从而导致产品损伤或清洗不干净。
技术实现思路
[0003]本申请人针对上述现有生产技术中的缺点，提供一种结构合理的晶圆清洗制程中静电去除装置，向高电阻率的超纯水中添加适量的二氧化碳，使得其与水反应生成适量的带正电的氢离子和带负电的碳酸根离子，增强超纯水的导电性，降低超纯水的电阻率，从而达到去除水中静电的目的。
[0004]本技术所采用的技术方案如下：
[0005]一种晶圆清洗制程中静电去除装置，包括箱体，箱体内分为上下两层，
[0006]下层设有溶气膜水箱、与溶气膜水箱连通的气路管组、水管组；气路管组中接有气压调节阀，水管组包括进水管、出水管、浓度调节管，水管组中的流体流经溶气膜水箱；
[0007]上层安装有电阻率表、控制按钮、时间继电器，
[0008]所述电阻率表连接有伸入流体中的探头，时间继电器与气压调节阀连接。
[0009]作为上述技术方案的进一步改进：
[0010]所述浓度调节管上连接有针阀。
[0011]所述浓度调节管的进水一端、出水一端分别与进水管、出水管连通，形成总进水口和总出水口；总进水口、总出水口伸出箱体外壁设置。
[0012]所述总进水口位于箱体内的一侧对应安装有分流部，分流部内设有三通管路，总进水口经分流部内的管路分别流向进水管、浓度调节管的进口一端。
[0013]所述总出水口位于箱体内的一侧对应安装有汇流部，汇流部内设有三通管路，出水管、浓度调节管的出口一端经汇流部聚合输出。
[0014]溶气膜水箱所输出的清洗液导电率取值范围为0.1
‑
0.5MΩ。
[0015]所述气路管组中输送二氧化碳。
[0016]本技术的有益效果如下：
[0017]本技术结构紧凑、合理，操作方便，通过电阻率探头测得水中电阻率反馈给电阻率表，从而控制设备输入二氧化碳水与排气，达到精准控制水中二氧化碳溶解量的目的。
[0018]因此能够有效防止晶圆因静电吸附或静电放电受到损伤，大大提高产品良品率，降低生产成本；且由于二氧化碳本身不具有危害及污染性，不会导致清洗过程中对晶圆产生的二次污染和对环境产生污染。
附图说明
[0019]图1为本技术的整体结构示意图。
[0020]图2为本技术另一视角的结构示意图。
[0021]图3为本技术隐藏外壳的结构示意图。
[0022]图4为本技术隐藏外壳的另一视角结构示意图。
[0023]图5为本技术隐藏外壳的仰视图。
[0024]图6为本技术溶气膜水箱及限位架的结构示意图。
[0025]其中：1、箱体；2、溶气膜水箱；3、气路管组；4、水管组；5、浓度调节管；6、电阻率表；7、控制按钮；8、时间继电器；9、总进水口；10、总出水口；11、限位架；
[0026]301、气压调节阀；
[0027]401、进水管；402、出水管；
[0028]501、针阀；
[0029]901、分流部；
[0030]101、汇流部。
具体实施方式
[0031]下面结合附图，说明本技术的具体实施方式。
[0032]如图1
‑
图6所示，本实施例的晶圆清洗制程中静电去除装置，包括箱体1，箱体1内分为上下两层，
[0033]下层设有溶气膜水箱2、与溶气膜水箱2连通的气路管组3、水管组4；气路管组3中接有气压调节阀301，水管组4包括进水管401、出水管402、浓度调节管5，水管组4中的流体流经溶气膜水箱2；
[0034]上层安装有电阻率表6、控制按钮7、时间继电器8，
[0035]电阻率表6连接有伸入流体中的探头，时间继电器8与气压调节阀301连接。
[0036]浓度调节管5上连接有针阀501。
[0037]浓度调节管5的进水一端、出水一端分别与进水管401、出水管402连通，形成总进水口9和总出水口10；总进水口9、总出水口10伸出箱体1外壁设置。
[0038]总进水口9位于箱体1内的一侧对应安装有分流部901，分流部901内设有三通管路，总进水口9经分流部901内的管路分别流向进水管401、浓度调节管5的进口一端。
[0039]总出水口10位于箱体1内的一侧对应安装有汇流部101，汇流部101内设有三通管路，出水管402、浓度调节管5的出口一端经汇流部101聚合输出。
[0040]溶气膜水箱2所输出的清洗液导电率取值范围为0.1
‑
0.5MΩ。
[0041]气路管组3中输送二氧化碳。
[0042]本实施例的具体结构及工作过程如下：
[0043]如图1和图2所示，箱体1外壁上设有电阻率表6和若干控制按钮7。在箱体1外壁上还设有总进水口9和总出水口10，水从总进水口9进入，经过箱体1内的溶气膜水箱2，与二氧化碳气体融合，二氧化碳气体溶解在水中形成清洗液，再从总出水口10排出。
[0044]在箱体1内分为上下两层，下层用于安装溶气膜水箱2和对应的水管组4、气路管组3，箱体1上层用于安装通知各部件运行的控制件。
[0045]为了尽可能安装足够大的溶气膜水箱2，并减小箱体1自身的尺寸，将溶气膜水箱2沿着箱体1底部的对角线放置。溶气膜水箱2上连接有进水管401、出水管402以及气路管组3。气路管组3如图4所述，用于将外界二氧化碳气体输入溶气膜水箱2中。图中为了简化以及便于识别，采用样条曲线替代气路管组3。在气路管组3上还设有气压调节阀301，在管内气压过大时，进行放气降压。
[0046]进水管401、出水管402和溶气膜水箱2形成一条通路，在此通路上还并联一条浓度调节管5。当处于高浓度工况中时，关闭针阀501，进水完全通过溶气膜，并增大二氧化碳气体的输入压，所有的水都与二氧化碳气体作用形成高浓度清洗液；如果处于低浓度工况，则打开针阀501，浓度调节管5中同时进水，从出水管402输出的清洗液中，兑入净水，降低了清洗液的浓度。
[0047]本技术使用时，通过高精度电阻率传感器获取水中的电阻率，当电导率不足时打开进水口输入纯水，经过溶气膜将二氧化碳和水混合溶解，然后由出水口输出高电导率的二氧化碳水。二氧化碳水补充过程中由高精度电阻率表6时刻监控水中电导率，当水中电导率到达晶圆清洗的适宜值时，停止补充二氧化碳水。为防止补充二氧化碳水过程中，测量时电导率波动从而产生误差导致电导率过高，将通过时间继电器8控制排气阀进行适时排气，以确保晶圆清洗液的电导率处于适宜值0.1
‑
0.5MΩ之间。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗制程中静电去除装置，其特征在于：包括箱体(1)，箱体(1)内分为上下两层，下层设有溶气膜水箱(2)、与溶气膜水箱(2)连通的气路管组(3)、水管组(4)；气路管组(3)中接有气压调节阀(301)，水管组(4)包括进水管(401)、出水管(402)、浓度调节管(5)，水管组(4)中的流体流经溶气膜水箱(2)；上层安装有电阻率表(6)、控制按钮(7)、时间继电器(8)，所述电阻率表(6)连接有伸入流体中的探头，时间继电器(8)与气压调节阀(301)连接。2.如权利要求1所述的晶圆清洗制程中静电去除装置，其特征在于：所述浓度调节管(5)上连接有针阀(501)。3.如权利要求2所述的晶圆清洗制程中静电去除装置，其特征在于：所述浓度调节管(5)的进水一端、出水一端分别与进水管(401)、出水管(402)连通，形成总进水口(9)和总出水口(10)；总进水口(9)、总出水口(...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋时旺，
申请(专利权)人：盛奕半导体科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：
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