引线框架和半导体封装结构制造技术

本申请公开了一种引线框架和半导体封装结构。引线框架包括引线框架主体，引线框架主体包括设置有芯片焊盘的第一表面，芯片焊盘包括第一区和第二区；第一区用于放置芯片；第二区上设置有能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力的杠杆结构。半导体封装结构包括引线框架、位于芯片焊盘上的芯片和用于封装所述芯片的塑封结构。根据本申请实施例，杠杆结构能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力，避免引线框架与塑封结构之间产生分层，提高引线框架与塑封结构之间的锁紧效果。提高引线框架与塑封结构之间的锁紧效果。提高引线框架与塑封结构之间的锁紧效果。

【技术实现步骤摘要】
引线框架和半导体封装结构


[0001]本申请属于半导体封装
，尤其涉及一种引线框架和半导体封装结构。

技术介绍

[0002]半导体封装结构，通常是采用塑封结构对安装有芯片的引线框架进行封装得到。然而引线框架与塑封结构形成的塑封体的热膨胀系数不同，在高温高湿等恶劣环境下，因引线框架与塑封结构的热膨胀系数不同，造成引线框架与塑封结构内部应力发生变化，从而导致容易在塑封结构与引线框架之间产生分层缺陷。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种引线框架，能够避免引线框架与塑封结构受之间产生分层，提高引线框架与塑封结构之间的锁紧效果。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种引线框架，包括引线框架主体，引线框架主体包括第一表面，第一表面上设置有芯片焊盘；芯片焊盘包括第一区和第二区；第一区用于放置芯片；第二区上设置有杠杆结构，杠杆结构能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力。
[0005]第二方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构，包括如第一方面的引线框架、位于芯片焊盘上的芯片，以及用于封装芯片的塑封结构。
[0006]本申请实施例的引线框架，包括引线框架主体，引线框架主体包括设置有芯片焊盘的第一表面，芯片焊盘包括第一区和第二区；第一区用于放置芯片；第二区上设置有能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力的杠杆结构。如此，在高温高湿等恶劣环境下，当引线框架与塑封结构的热膨胀系数不同，造成封装引线框架主体的塑封体内部应力发生变化，从而导致容易在塑封结构与引线框架之间产生分层时，芯片焊盘上设置的杠杆结构能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力，避免引线框架与塑封结构之间产生分层，提高引线框架与塑封结构之间的锁紧效果。
附图说明
[0007]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0008]图1为本申请实施例的一种半导体封装结构的结构示意图；
[0009]图2示出一种示例的图1中Q区域中引线框架局部放大图；
[0010]图3示出一种示例的图1中Q区域A
‑
A向的剖面图；
[0011]图4示出一种示例的图1中Q区域B
‑
B向的剖面图；
[0012]图5为本申请实施例的杠杆结构作用原理的示意图；
[0013]图6示出另一种示例的图1中Q区域A
‑
A向的剖面图；
[0014]图7为本申请实施例的杠杆结构的多种形状的示意图；
[0015]图8为本申请实施例的一种引线框架的结构示意图；
[0016]图9为本申请实施例的另一种引线框架的结构示意图。
[0017]附图标记说明：
[0018]10、半导体封装结构；
[0019]1、引线框架；
[0020]11、引线框架主体；
[0021]P1、第一表面；
[0022]12、芯片焊盘；
[0023]A1、第一区；A2、第二区；
[0024]13、杠杆结构；
[0025]131、第一结构；132、第二结构；133、第三结构；
[0026]2、芯片；
[0027]3、塑封结构。
具体实施方式
[0028]下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
[0029]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0030]半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程包括来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(即Die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(即引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(即金、锡、铜、铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(即Bond Pad)连接到基板的相应引脚(即Lead)，并构成所要求的电路。然后，再对独立的晶片用塑料外壳(即Compound)加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检、测试和包装等工序，最后入库出货。
[0031]半导体封装结构，通常是采用塑封结构对安装有芯片的引线框架进行封装得到。然而，引线框架与塑封结构(即塑料外壳)形成的塑封体的热膨胀系数不同，在高温高湿等恶劣环境下，因引线框架与塑封结构的热膨胀系数不同，造成引线框架与塑封结构内部应
力发生变化，从而导致容易在塑封结构与引线框架之间产生分层缺陷。
[0032]在持续高温高湿环境下，即当半导体封装结构在高温循环或者预烘烤的时候，半导体封装结构中的引线框架与塑封结构之间，因引线框架与塑封结构两者的热膨胀系数不同，造成引线框架与塑封结构内部应力发生变化，热应力将会从半导体封装结构的边缘向引线框架中心渗透，使得引线框架与塑封结构之间发生应变。伴随高温或高湿过渡影响，引线框架与塑封结构之间发生应变之后，在塑封结构与引线框架之间产生严重的分层。
[0033]为了解决现有技术问题，本申请实施例提供了一种半导体封装结构。如图1至图3所示，半导体封装结构10包括引线框架1、位于引线框架1中芯片焊板12上的芯片2和用于封装芯片2的塑封结构3。
[0034]在本申请的一些实施例中，塑封结构可以为全包塑封结构，可以完全包裹芯片焊盘12和芯片2。
[0035]在本申请的一些实施例中，塑封结构可以为半包塑封结构，包裹第一表面P1和芯片2。
[0036]在一个实施例中，包括全包塑封结构的半导体封装结构10和包括半包塑封结构的半导体封装结构10，均可在引线框垫的芯片2焊板上设置杠杆结构13，提高引线框架1与塑封结构3之间的锁紧效果。
[0037]可选的，引线框架1适用于的晶体管封装的分立封装型号包括但不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：引线框架主体(11)，所述引线框架主体(11)包括第一表面(P1)，所述第一表面(P1)上设置有芯片焊盘(12)；所述芯片焊盘包括第一区(A1)和第二区(A2)；所述第一区(A1)用于放置芯片(2)；所述第二区(A2)上设置有杠杆结构(13)，所述杠杆结构(13)能够在所述引线框架主体(11)产生应力的情况下，增加所述芯片焊盘(12)与封装所述引线框架主体(11)的塑封体之间的粘结力。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述杠杆结构(13)包括第一结构(131)、第二结构(132)和第三结构(133)，所述第一结构(131)和所述第三结构(133)分布在所述第二结构(132)的两侧；所述第二结构(132)为所述杠杆结构(13)的支点结构；其中，所述第一结构(131)与所述第二结构(132)之间的间隔L1、所述第三结构(133)与所述第二结构(132)之间的间隔L2、所述第一结构(131)在垂直于所述芯片焊盘(12)方向上的尺寸D1以及所述第三结构(133)在垂直于所述芯片焊盘(12)方向上的尺寸D2，满足以下关系：3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，在所述第一结构(131)、第二结构(132)和第三结构(133)中，所述第一结构(131)与所述芯片(2)的间隔最近，所述L1、所述L2、所述D1以及所述D2，满足以下关系：L1>L2，且D1>D2。4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述L1、所述L2、所述D1以及所述D2，还满足以下关系：L1＝2L2，且D1＝2D2。5.根据权利要求4所述的引线框架，其特征在于，所述D1和所述D2，还满足以下关系：D1＝30％～35％*D；D1＝60％～70％*D；D为所述芯片焊盘(12)的厚度。6.根据权利要求2至5任意一项所述的引线框架，其特征在于，所述第一结构(131)、所述第二结构(132)和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔祝云，章剑锋，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：