半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构，包括：提供衬底，所述衬底上形成彼此间隔的多条位线、一一对应覆盖所述多条位线的多个绝缘结构、以及阻挡层，相邻所述绝缘结构之间形成第一填充孔，所述阻挡层覆盖在所述第一填充孔内和所述绝缘结构上；去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和所述第一填充孔上形成填充结构，相邻所述填充结构之间形成与所述第一填充孔连通的第二填充孔；于所述第一填充孔和所述第二填充内形成电容接触结构。本发明专利技术可以解决残留金属造成电容连接垫之间短路的问题。属造成电容连接垫之间短路的问题。属造成电容连接垫之间短路的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]DRAM(英文：Dynamic Random Access Memory，中文：动态随机存取存储器)由多个存储单元构成，每个存储单元包括电容和晶体管。晶体管的栅极与字线连接，晶体管的漏极与位线连接，晶体管的源极与电容连接。通过字线上的电压信号控制晶体管的开闭，进而通过位线读取存储在电容中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容中进行存储。
[0003]其中，电容通过其下电极与电容连接垫(英文：landing pad)连接，以通过晶体管与位线形成存取通路。现有技术中，先铺设金属材料，再对金属材料进行图形化，形成多个彼此间隔的电容连接垫。
[0004]然而，随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，残留的金属材料会造成电容连接垫之间短路，降低半导体结构的良率。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对现有技术中的残留金属造成电容连接垫之间短路的问题提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
[0006]为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
[0007]提供衬底，所述衬底上形成彼此间隔的多条位线、一一对应覆盖所述多条位线的多个绝缘结构、以及阻挡层，相邻所述绝缘结构之间形成第一填充孔，所述阻挡层覆盖在所述第一填充孔内和所述绝缘结构上；
[0008]去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和所述第一填充孔上形成填充结构，相邻所述填充结构之间形成与所述第一填充孔连通的第二填充孔；
[0009]于所述第一填充孔和所述第二填充内形成电容接触结构。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一填充孔在所述衬底上的正投影与所述第二填充孔在所述衬底上的正投影部分重合；
[0011]去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和所述第一填充孔上形成填充结构，包括：
[0012]于所述第一填充孔内形成牺牲层，并去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层；
[0013]于所述牺牲层的部分区域和暴露的绝缘结构上形成填充结构；
[0014]去除所述牺牲层。
[0015]在其中一个实施例中，于所述第一填充孔内形成牺牲层，并去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，包括：
[0016]于所述阻挡层上形成牺牲层；
[0017]回刻所述牺牲层和所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，以使所述牺牲层的顶表面低于所述第一填充孔的开口。
[0018]在其中一个实施例中，所述牺牲层的顶表面与所述第一填充孔的开口之间的距离为10nm～30nm。
[0019]在其中一个实施例中，所述牺牲层的材料为旋涂介质层或者硼磷硅玻璃。
[0020]在其中一个实施例中，于所述牺牲层的部分区域和暴露的绝缘结构上形成填充结构，包括：
[0021]于所述绝缘结构和所述牺牲层上形成填充层；
[0022]通过掩膜刻蚀所述填充层形成所述填充结构，所述掩膜在所述衬底上的正投影与所述第一填充孔在所述衬底上的正投影部分重合。
[0023]在其中一个实施例中，所述填充层与所述绝缘结构的刻蚀选择比大于3:1。
[0024]在其中一个实施例中，所述绝缘结构的材料为SiN，所述填充层的材料为SiBN或者SiCN。
[0025]在其中一个实施例中，于所述绝缘结构和所述牺牲层上形成填充层，包括：
[0026]采用炉管工艺于所述绝缘结构和所述牺牲层上沉积SiBN，形成所述填充层；或者，
[0027]采用薄膜制程工艺于所述绝缘结构和所述牺牲层上沉积SiCN，形成所述填充层。
[0028]在其中一个实施例中，通过掩膜刻蚀所述填充层形成所述填充结构，包括：
[0029]于所述填充层上形成掩膜；
[0030]向反应腔内通入刻蚀气体，以刻蚀所述填充层形成填充结构；
[0031]去除所述掩膜。
[0032]在其中一个实施例中，所述刻蚀气体包括C4F8气体和C4F6气体。
[0033]在其中一个实施例中，C4F8气体的流量为10sccm～50sccm，C4F6气体的流量为15sccm～60sccm。
[0034]在其中一个实施例中，所述反应腔的压力为10mtorr～30mtorr。
[0035]在其中一个实施例中，于所述第一填充孔和所述第二填充内形成电容接触结构，包括：
[0036]于所述填充结构上、以及所述第一填充孔和所述第二填充内形成接触层；
[0037]采用平坦化工艺去除所述填充结构上的接触层，所述第一填充孔和所述第二填充内的接触层形成所述电容接触结构。
[0038]在其中一个实施例中，还包括：
[0039]于所述衬底上形成彼此间隔的多条位线；
[0040]采用光刻工艺在所述多条位线上一一对应形成绝缘结构，相邻所述绝缘结构之间形成第一填充孔；
[0041]于所述第一填充孔内和所述绝缘结构上形成阻挡层。
[0042]本专利技术还提供了一种半导体结构，采用上述实施例提供的制作方法制备而成。
[0043]本专利技术的半导体结构的制作方法及半导体结构具有如下有益效果：
[0044]衬底上形成有彼此间隔的多条位线、一一对应覆盖多条位线的多个绝缘结构、以及阻挡层，相邻绝缘结构之间形成有第一填充孔，阻挡层覆盖在第一填充孔内和绝缘结构
上，先去除绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和第一填充孔内形成填充结构，相邻填充结构之间形成与第一填充孔连通的第二填充孔，再于第一填充孔和第二填充孔内形成电容接触结构，电容接触结构之间通过绝缘结构和填充结构隔开，可以有效避免电容接触结构之间短路，提高半导体结构的良率。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0046]图1为相关技术中提供的半导体结构的制作方法中第一步所得结构的剖面示意；
[0047]图2为相关技术中提供的半导体结构的制作方法中第二步所得结构的剖面示意；
[0048]图3为相关技术中提供的半导体结构的制作方法中第三步所得结构的剖面示意；
[0049]图4为相关技术中提供的半导体结构的制作方法中第四步所得结构的剖面示意；
[0050]图5为一实施例中提供的半导体结构的制作方法的流程图；
[0051]图6为一实施例中提供的半导体结构的制作方法中步骤S502所得结构的截面结构示意图；
[0052]图7为一实施例中提供的半导体结构的制作方法中步骤S504所得结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成彼此间隔的多条位线、一一对应覆盖所述多条位线的多个绝缘结构、以及阻挡层，相邻所述绝缘结构之间形成第一填充孔，所述阻挡层覆盖在所述第一填充孔内和所述绝缘结构上；去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和所述第一填充孔上形成填充结构，相邻所述填充结构之间形成与所述第一填充孔连通的第二填充孔；于所述第一填充孔和所述第二填充内形成电容接触结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一填充孔在所述衬底上的正投影与所述第二填充孔在所述衬底上的正投影部分重合；去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和所述第一填充孔上形成填充结构，包括：于所述第一填充孔内形成牺牲层，并去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层；于所述牺牲层的部分区域和暴露的绝缘结构上形成填充结构；去除所述牺牲层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，于所述第一填充孔内形成牺牲层，并去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，包括：于所述阻挡层上形成牺牲层；回刻所述牺牲层和所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，以使所述牺牲层的顶表面低于所述第一填充孔的开口。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的顶表面与所述第一填充孔的开口之间的距离为10nm～30nm。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为旋涂介质层或者硼磷硅玻璃。6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，于所述牺牲层的部分区域和暴露的绝缘结构上形成填充结构，包括：于所述绝缘结构和所述牺牲层上形成填充层；通过掩膜刻蚀所述填充层形成所述填充结构，所述掩膜在所述衬底上的正投影与所述第一填充孔在所述衬底上的正投影部分重合。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱小锋，曹硕，郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：