超高速串口接收机及其连续时间线性均衡器制造技术

本发明专利技术公开了一种超高速串口接收机及其连续时间线性均衡器，所述连续时间线性均衡器包括若干并行的有源电感模块，用于对超高速串口接收机接收的若干个相邻时刻的输入信号进行轮询采样，并将处理后的输入信号输出至超高速串口接收机的多通道时间交织模数转换器；有源电感模块的数量和多通道时间交织模数转换器的采样通道数量对应设置。本发明专利技术通过对连续时间线性均衡器的分布式设计，以及融合采样功能的相关电路和放大器功能的相关电路，能够在满足模数转换器型超高速串口接收机的多通道采样要求的同时，增强连续时间线性均衡器电路中对后级模数转换器的驱动能力；缓解了多通道模数转换器之间的通道间带宽失配问题；消除了采样前端的功耗。采样前端的功耗。采样前端的功耗。

【技术实现步骤摘要】
超高速串口接收机及其连续时间线性均衡器


[0001]本专利技术涉及超高速串口接收机
，尤其涉及一种超高速串口接收机及其连续时间线性均衡器。

技术介绍

[0002]超高速串口接收机为了补偿收发机之间的信道带来的高频衰减问题，通常采用连续时间线性均衡器（Continuous Time Linear Amplifier，CTLE），利用其在工作带宽内具有高频可配置高增益，低频可配置低增益的特性实现模拟均衡的效果。均衡后的信号被多路时间交织的模数转换器（Time
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Interleaved Analog
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Digital
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Converter，TI
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ADC）进行采样和量化，将连续的模拟信号转换为离散的数字信号，再通过数字信号处理进行数字均衡以及时钟恢复等处理。
[0003]现有技术通常采用交流源极退化（AC
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source degeneration）的结构实现连续时间线性均衡器的目标特性。通常采用有源或无源电感对电路的带宽进行拓展。其中对于有源电感，其缺点是额外功耗较大、引入额外高频噪声源、高阶补偿可能引起电路震荡以及电路线性度有所下降。并且在模数转换器型超高速串口接收机中，线性均衡器需要驱动多通道模数转换器，而现有的集中形式的连续时间线性均衡器中，由于有源电感到各通道模数转换器的路径不同，容易导致通道间的带宽失配。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中基于有源电感的超高速串口接收存在的上述缺陷，提供一种超高速串口接收机及其连续时间线性均衡器。
[0005]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：本专利技术提供了一种连续时间线性均衡器，包括若干并行的有源电感模块，用于对超高速串口接收机接收的若干个相邻时刻的输入信号进行轮询采样，并将处理后的所述输入信号输出至所述超高速串口接收机的多通道时间交织模数转换器；所述有源电感模块的数量和所述多通道时间交织模数转换器的采样通道数量对应设置。
[0006]较佳地，所述有源电感模块包括跨阻放大器；所述跨阻放大器的输出端以三态门形式连接；其中，处于导通状态的所述跨阻放大器对应的有源电感模块跟随所述输入信号，以对所述输入信号进行采样；处于高阻态的所述跨阻放大器对应的有源电感模块保持所述输入信号。
[0007]较佳地，所述有源电感模块还包括跨导级；所述跨导级与所述跨阻放大器电连接；所述跨导级用于接收所述输入信号，并将所述输入信号从电压信号转为中间电流信号；所述中间电流信号用于输出至所述跨阻放大器。
[0008]较佳地，所述跨导级包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；所述跨阻放大器包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；
所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第七MOS管、第八MOS管为PMOS管；所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第九MOS管、第十MOS管为NMOS管；所述第一MOS管的漏极分别与所述第二MOS管和所述第三MOS管的源极电连接；所述第六MOS管的漏极分别与所述第四MOS管和所述第五MOS管的源极电连接；所述第二MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极电连接；所述第二MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极电连接；所述第三MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极电连接；所述第三MOS管的漏极和所述第五MOS管的漏极电连接；所述第七MOS管的栅极和所述第九MOS管的栅极电连接；所述第七MOS管的漏极和所述第九MOS管的漏极电连接；所述第八MOS管的栅极和所述第十MOS管的栅极电连接；所述第八MOS管的漏极和所述第十MOS管的漏极电连接；所述第一电容分别和所述第七MOS管的漏极、所述第九MOS管的漏极、所述第八MOS管的栅极、所述第十MOS管的栅极、所述第一电阻、所述第二电阻电连接；所述第二电容分别和所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的栅极、所述第八MOS管的漏极、所述第十MOS管的漏极、所述第一电阻、所述第二电阻电连接；所述第一电阻设置于所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的栅极与所述第七MOS管的漏极、所述第九MOS管的漏极之间；所述第二电阻设置于所述第八MOS管的栅极、所述第十MOS管的栅极与所述第八MOS管的漏极、所述第十MOS管的漏极之间；所述第一MOS管的源极、所述第七MOS管的源极和所述第八MOS管的源极接电源端；所述第六MOS管的源极、所述第九MOS管的源极和所述第十MOS管的源极接地；所述跨导级用于接收所述输入信号，并将所述输入信号从所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管的栅极输入后，从所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管的漏极输出为所述中间电流信号；所述电流信号用于输出至所述跨阻放大器的所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管和所述第十MOS管的栅极，并从所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管和所述第十MOS管的漏极输出。
[0009]较佳地，所述跨导级的输入对管尺寸为15u/30n，所述跨阻放大器的输入对管尺寸为10u/30n，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管的尺寸为1u/30n。
[0010]较佳地，所述连续时间线性均衡器还包括可调衰减单元，用于对所述输入信号进行高频补偿，并将所述高频补偿后的输入信号输出至所述跨导级。
[0011]较佳地，所述有源电感模块的数量和所述多通道时间交织模数转换器的采样通道数量相同，或，所述多通道时间交织模数转换器的采样通道数量为所述有源电感模块的数量的整数倍。
[0012]本专利技术还提供了一种超高速串口接收机，包括多通道时间交织模数转换器和上述的连续时间线性均衡器；所述多通道时间交织模数转换器和所述连续时间线性均衡器电连接；
所述连续时间线性均衡器用于对输入信号进行均衡处理，并将所述均衡处理后的输入信号输出至所述多通道时间交织模数转换器；所述多通道时间交织模数转换器用于对所述均衡处理后的输入信号进行采样和量化处理，以将模拟信号转换为数字信号。
[0013]较佳地，所述多通道时间交织模数转换器包括四个采样单元，所述采样单元包括一组采样头和若干组模数转换器；所述采样头用于采样所述有源电感模块输出的所述处理后的输入信号，并将采样后的所述输入信号输出至所述采样单元中的每组模数转换器；所述模数转换器用于对所述采样后的输入信号进行离散化处理。
[0014]较佳地，所述采样单元包括八组所述模数转换器。
[0015]本专利技术的积极进步效果在于：通过对连续时间线性均衡器的分布式设计，以及融合采样功能的相关电路和放大器功能的相关电路，能够在满足模数转换器型超高速串口接收机的多通道采样要求的同时，增强超高速串本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连续时间线性均衡器，其特征在于，包括若干并行的有源电感模块，用于对超高速串口接收机接收的若干个相邻时刻的输入信号进行轮询采样，并将处理后的所述输入信号输出至所述超高速串口接收机的多通道时间交织模数转换器；所述有源电感模块的数量和所述多通道时间交织模数转换器的采样通道数量对应设置。2.如权利要求1所述的连续时间线性均衡器，其特征在于，所述有源电感模块包括跨阻放大器；所述跨阻放大器的输出端以三态门形式连接；其中，处于导通状态的所述跨阻放大器对应的有源电感模块跟随所述输入信号，以对所述输入信号进行采样；处于高阻态的所述跨阻放大器对应的有源电感模块保持所述输入信号。3.如权利要求2所述的连续时间线性均衡器，其特征在于，所述有源电感模块还包括跨导级；所述跨导级与所述跨阻放大器电连接；所述跨导级用于接收所述输入信号，并将所述输入信号从电压信号转为中间电流信号；所述中间电流信号用于输出至所述跨阻放大器。4.如权利要求3所述的连续时间线性均衡器，其特征在于，所述跨导级包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；所述跨阻放大器包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第七MOS管、第八MOS管为PMOS管；所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第九MOS管、第十MOS管为NMOS管；所述第一MOS管的漏极分别与所述第二MOS管和所述第三MOS管的源极电连接；所述第六MOS管的漏极分别与所述第四MOS管和所述第五MOS管的源极电连接；所述第二MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极电连接；所述第二MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极电连接；所述第三MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极电连接；所述第三MOS管的漏极和所述第五MOS管的漏极电连接；所述第七MOS管的栅极和所述第九MOS管的栅极电连接；所述第七MOS管的漏极和所述第九MOS管的漏极电连接；所述第八MOS管的栅极和所述第十MOS管的栅极电连接；所述第八MOS管的漏极和所述第十MOS管的漏极电连接；所述第一电容分别和所述第七MOS管的漏极、所述第九MOS管的漏极、所述第八MOS管的栅极、所述第十MOS管的栅极、所述第一电阻、所述第二电阻电连接；所述第二电容分别和所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的栅极、所述第八MOS管的漏极、所述第十MOS管的漏极、所述第一电阻、所述第二电阻电连接；所述第一电阻设置于所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的栅极与所述第七MOS管的漏极、所述第九MOS管的漏极之间；所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：池润泽，
申请(专利权)人：高澈科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：