【技术实现步骤摘要】
高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器
[0001]本申请涉及功率器件，尤其涉及一种高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器。
技术介绍
[0002]目前，多单管并联逆变器广泛应用于大功率电力电子变换器中。但是，多颗单管并联目前面临着很多挑战，包括如何保证各并联单管之间的均流性能，如何提高逆变器整体的功率密度等。
[0003]SiC MOSFET相比于硅基功率半导体器件具有更高的开关速度，器件均流难度大。如图1所示，相关技术方案多采取将并联单管1一字排开固定到一个散热器2上，这种方案应用于SiC MOSFET并联时，不仅均流度难以保证，更是使得整个逆变器体积很难做小。如图2所示，另外一种常用方案是每个单管1使用一个散热器2，各单管1并排摆放，但是这样占用较大空间。
技术实现思路
[0004]针对上述关键问题，本申请提供了一种高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，可以实现良好的均流性能，且能够减小整体占用空间。
[0005]本申请提供的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器的技术方案为：高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，包括位于PCB板上的偶数组单管组，所述单管组阵列设置，每组所述单管组由多个单管并联而成。
[0006]通过采用上述技术方案，通过上述技术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管在PCB板上的功率回路杂感保持一致，以实现良好的均流特性，且减小整体占用空间。
[0007]在一些实施方式中，逆变器的DC母线的薄膜电容、陶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，包括位于PCB板（10）上的偶数组单管组（11），所述单管组（11）阵列设置，每组所述单管组（11）由多个单管（1）并联而成。2.根据权利要求1所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，逆变器的DC母线的薄膜电容（3）、陶瓷电容（4）以及贴片电阻（5）位于相邻列单管组（11）之间。3.根据权利要求2所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，所述薄膜电容（3）与所述陶瓷电容（4）分别位于所述PCB板（10）两面同一区域，且相对设置，所述贴片电阻（5）位于所述陶瓷电容（4）同一面且位于陶瓷电容（4）两侧。4.根据权利要求3所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘耀，毛赛君，丁育杰，
申请(专利权)人：忱芯电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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