一种光刻胶剥离液组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶剥离液组合物，涉及光刻胶剥离液技术领域。其成分组成包括：按重量计，1

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶剥离液组合物


[0001]本专利技术属于光刻胶剥离液领域，具体涉及一种光刻胶剥离液组合物。

技术介绍

[0002]在制造形成微电路过程中，通常要使用到光刻胶。光刻胶工艺要求在曝光显影形成电路后，接着将剩余的光刻胶剥离去除。光刻胶去除通常使用含有有机溶剂和添加剂的剥离液进行喷淋或浸泡使其溶胀和溶解，接着用水清洗干净。然而，由于聚合物的疏水性(主要为聚丙烯酸酯及其衍生物、酚醛树脂及其衍生物、环烯烃
‑
马来酸酐共聚物和聚酰亚胺及其衍生物等)，有些已脱离的聚合物容易重新附着在基板表面形成残留，进而影响后工序的良率。因此，减少剥离后的水清洗聚合物残留是光刻胶剥离液的一项关键性能。
[0003]公布号为CN110727181A的中国专利申请，公开了一种正型光刻胶剥离液组合物，按重量百分比计，包括非腐蚀性有机胺0.1
‑
25％、醇醚溶剂40
‑
99％、高纯水1
‑
40％，来降低缓蚀剂残留问题，但没有涉及解决聚合物的再残留问题。目前，光刻胶剥离液主要为有机体系和有机加水的体系，这些体系只重点强调了剥离能力，没有针对聚合物的再沉积残留问题进行解决。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于如何解决光刻胶剥离液剥离后聚合物的再沉积残留问题。
[0005]本专利技术通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：
[0006]一种光刻胶剥离液组合物，其成分组成包括：按重量计，1
‑
5％醇胺化合物、1
‑
5％含氮化合物、0.01
‑
2％金属保护剂和有机溶剂加至100％。
[0007]有益效果：该光刻胶剥离液组合物包括特定比例的醇胺化合物、含氮化合物、金属保护剂和有机溶剂，使用该组合物剥离后即使清洗较短时间的情况下基板表面无残留，解决了光刻胶剥离液剥离后聚合物的再沉积残留的问题。
[0008]优选的，所述有机溶剂选自醇醚溶剂、酰胺溶剂、N
‑
甲基吡咯烷酮、二甲亚砜中的一种或多种组合。
[0009]优选的，所述醇醚溶剂选自乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、乙二醇己醚、乙二醇苯醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇乙醚、二丙二醇乙醚、二丙二醇二乙醚、丙二醇丙醚、二丙二醇丙醚、二丙二醇二丙醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丁醚、三丙二醇甲醚、三丙二醇乙醚、三丙二醇丁醚、丙二醇苯醚、丙二醇正丙醚中的一种或多种组合。
[0010]优选的，所述酰胺溶剂选自N
‑
甲基甲酰胺、N
‑
甲基乙酰胺、N
‑
甲基丙酰胺、N,N
‑
二甲基甲酰胺、N,N
‑
二甲基乙酰胺、N,N
‑
二甲基丙酰胺中的一种或多种组合。
[0011]优选的，所述醇胺化合物选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N
‑
甲基乙醇胺、N
‑
乙基乙醇胺、N
‑
丙基乙醇胺、N，N
‑
二甲基乙醇胺、N，N
‑
二乙基乙醇胺、N
‑
甲基二乙醇胺，N
‑
乙基二
乙醇胺3
‑
丙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二甘醇胺、三甘醇胺中的一种或多种组合。
[0012]优选的，所述金属保护剂选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、2
‑
巯基苯并噻唑、甲基苯并三氮唑、氨基四氮唑、1
‑
羟基苯并三氮唑、甲巯咪唑、1
‑
苯基
‑5‑
巯基四氮唑中的一种或多种组合。
[0013]优选的，所述含氮化合物的分子式通式为：
[0014][0015]其中，m表示1
‑
5的整数，n表示≥1，n为整数，R1和R2均表示氢元素、甲基或者烷基链结构。
[0016]优选的，所述含氮化合物为乙二胺、聚乙烯亚胺(n＞1)、N,N
’‑
二甲基乙二胺或N,N,N
’
,N
’‑
四甲基乙二胺中的一种或多种的组合。
[0017]优选的，其成分组成包括：按重量计，60％二乙二醇单丁醚、35％N,N二甲基丙酰胺、2％二乙醇胺、1％N
‑
乙基乙醇胺、1.2％N,N'
‑
二甲基乙二胺和0.8％2
‑
巯基苯并噻唑。
[0018]优选的，其成分组成包括：按重量计，94.5％N
‑
甲基吡咯烷酮、3％三甘醇胺、2％N,N,N',N'
‑
四甲基乙二胺和0.5％1
‑
羟基苯并三氮唑。
[0019]本专利技术的优点在于：本专利技术通过特定比例的醇胺化合物、含氮化合物、金属保护剂和有机溶剂形成的组合物，解决了光刻胶剥离液剥离后聚合物的再沉积残留问题，即使在清洗较短情况下也无聚合物残留，使用该剥离液能提高了生产效率。
附图说明
[0020]图1为未被光刻胶剥离液组合物剥离的基板的SEM表面形貌图；
[0021]图2为采用实施例1的组合物对基板剥离后用水清洗10s后的SEM表面形貌图；
[0022]图3为采用对比例3的组合物对基板剥离后用水清洗30s后的SEM表面形貌图；
[0023]图4为采用对比例1的组合物对基板剥离后用水清洗10s后的SEM表面形貌图。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]实施例1
[0026]一种光刻胶剥离液组合物，其成分组成包括：按重量计，60％二乙二醇单丁醚、35％N,N
‑
二甲基丙酰胺、2％二乙醇胺、1％N
‑
乙基乙醇胺、1.2％N,N
’‑
二甲基乙二胺和0.8％2
‑
巯基苯并噻唑。
[0027]使用该实施例中的光刻胶剥离液对光刻胶剥离后清洗基板，观察基板表面的残留情况。
[0028]实施例2
[0029]一种光刻胶剥离液组合物，其成分组成包括：按重量计，60％二乙二醇单丁醚、35％N,N二甲基丙酰胺、2％二乙醇胺、1％N
‑
乙基乙醇胺、1.2％N,N'
‑
二甲基乙二胺和0.8％1
‑
苯基
‑5‑
巯基四氮唑。
[0030]使用该实施例中的光刻胶剥离液对光刻胶剥离后清洗基板，观察基板表面的残留情况。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶剥离液组合物，其特征在于，其成分组成包括：按重量计，1
‑
5％醇胺化合物、1
‑
5％含氮化合物、0.01
‑
2％金属保护剂和有机溶剂加至100％。2.根据权利要求1所述的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，所述有机溶剂选自醇醚溶剂、酰胺溶剂、N
‑
甲基吡咯烷酮、二甲亚砜中的一种或多种组合。3.根据权利要求2所述的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，所述醇醚溶剂选自乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、乙二醇己醚、乙二醇苯醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇乙醚、二丙二醇乙醚、二丙二醇二乙醚、丙二醇丙醚、二丙二醇丙醚、二丙二醇二丙醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丁醚、三丙二醇甲醚、三丙二醇乙醚、三丙二醇丁醚、丙二醇苯醚、丙二醇正丙醚中的一种或多种组合。4.根据权利要求2所述的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，所述酰胺溶剂选自N
‑
甲基甲酰胺、N
‑
甲基乙酰胺、N
‑
甲基丙酰胺、N,N
‑
二甲基甲酰胺、N,N
‑
二甲基乙酰胺、N,N
‑
二甲基丙酰胺中的一种或多种组合。5.根据权利要求1或2所述的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，所述醇胺化合物选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N
‑
甲基乙醇胺、N
‑
乙基乙醇胺、N
‑
丙基乙醇胺、N，N
‑
二甲基乙醇胺、N，N
‑
二乙基乙醇胺、N
‑
甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维康，黄德新，赵建国，
申请(专利权)人：合肥中聚和成电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：