本揭露描述一种半导体处理中的气体控制方法及系统。此方法包含提供第一设定来配置气体供应装置，以供应第一气体混合物给固持第一基材的基材载体。此方法还包含在第一基材完成制程操作之后，接收在第一基材上量测到的关键尺寸(CD)数据。此方法还包含因应关键尺寸数据超出预定范围，提供第二设定来配置气体供应装置，以供应第二气体混合物给固持尚未经过制程操作的第二基材的基材载体。操作的第二基材的基材载体。操作的第二基材的基材载体。
【技术实现步骤摘要】
半导体处理中的气体控制方法及系统
[0001]本揭露的实施方式是有关于一种在半导体处理中的气体控制方法及一种进行此方法的系统。
技术介绍
[0002]在无尘室中及制程站上的半导体处理都可能需要环境控制。在某些操作之后，可将基材，例如晶圆，放置于受环境控制的等候站中。环境控制可包含温度、相对湿度(RH)、及惰性和制程气体的控制。当基材在基材载体，例如前开式晶圆传送盒(FOUP)中时，环境控制存在挑战，无论基材是在制程站之间转移或等候处理。
技术实现思路
[0003]本揭露提供一种控制气体供应的方法，包含提供第一设定来配置气体供应装置，以供应第一气体混合物给固持第一基材的基材载体。此方法还包含在第一基材完成制程操作之后，接收在第一基材上所量测到的关键尺寸(CD)数据。此方法还包含因应关键尺寸数据超出预定范围，提供第二设定来配置气体供应装置，以供应第二气体混合物给固持尚未进行制程操作的第二基材的基材载体。
[0004]本揭露提供一种控制气体供应的方法，包含接收气体供应设定，且基于气体供应设定来供应气体混合物给固持第一基材的基材载体。此方法还包含在第一基材完成制程操作之后，基于在第一基材上所量测到的关键尺寸数据，接收气体供应设定中的调整，其中经调整的气体供应设定是因应关键尺寸数据超出预定范围。此方法还包含基于经调整的气体供应设定，供应气体混合物给固持尚未进行制程操作的第二基材的基材载体。
[0005]本揭露提供一种控制气体供应的系统，包含配置以产生第一气体供应设定及第二气体供应设定的计算装置、配置以进行制程操作的制程站、及配置以固持第一基材及第二基材的基材载体。此系统还包含配置以从计算装置接收第一气体供应设定，且供应第一气体混合物给固持第一基材的基材载体的气体供应装置。此气体供应装置更配置以因应在第一基材上量测的关键尺寸数据超出预定范围，从计算装置接收第二气体供应设定，其中关键尺寸数据是在第一基材于制程站上完成制程操作之后量测。此气体供应装置更配置以在第二基材于制程站上进行制程操作之前，基于第二气体供应设定，供应第二气体混合物给固持第二基材的基材载体。
附图说明
[0006]从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。
[0007]图1绘示依照一些实施例的气体控制系统的示意图；
[0008]图2绘示依照一些实施例的气体控制装置的示意图；
[0009]图3是依照一些实施例的控制气体供应的方法的流程图；
[0010]图4A至图9C绘示依照一些实施例的气体控制方法的多个应用；
[0011]图10绘示依照一些实施例的计算装置的示意图。
[0012]【符号说明】
[0013]100:气体控制系统、系统
[0014]102:计算装置
[0015]104:气体供应装置
[0016]106:基材载体
[0017]108A:装载端口A
[0018]108B:装载端口B
[0019]110A:制程站A
[0020]110B:制程站B
[0021]112:量测装置
[0022]202:气体干管及/或储存装置
[0023]204:气体供应控制
[0024]206A:导管及/或管道
[0025]206B:导管及/或管道
[0026]206C:导管及/或管道
[0027]208A:阀门
[0028]208B:阀门
[0029]208C:阀门
[0030]300:气体控制方法、方法
[0031]302:操作
[0032]304:操作
[0033]306:操作
[0034]308:操作
[0035]402:元件、基材
[0036]404:元件、鳍状结构
[0037]406:元件、鳍状结构
[0038]408:元件、鳍状结构
[0039]410:元件、鳍状结构
[0040]412:元件、蚀刻副产品
[0041]414:元件、水蒸气
[0042]416:污染物
[0043]502:元件、覆盖层
[0044]504:元件、图案化层
[0045]506:元件、图案化层
[0046]508:元件、衬垫层
[0047]510:元件
[0048]602:元件、基材
[0049]604:元件、基材
[0050]606:元件、层
[0051]608:元件、氧化层
[0052]702:元件
[0053]704:元件、层
[0054]706:元件、光阻图案
[0055]708:元件、氧化层
[0056]802:元件、层
[0057]902:元件、基材结构
[0058]904:元件、图案化层
[0059]908:氧化层
[0060]910:结构
[0061]1002:输入/输出接口、使用者输入/输出接口
[0062]1003:输入/输出装置、使用者输入/输出装置
[0063]1004:处理器
[0064]1006:通讯基础建设、总线
[0065]1008:主记忆体、初级记忆体
[0066]1010:次级储存装置、次级记忆体
[0067]1012:硬盘驱动器
[0068]1014:卸除式储存装置、卸除式储存驱动器
[0069]1018:卸除式储存单元
[0070]1020:接口
[0071]1022:卸除式储存单元
[0072]1024:通讯接口、网络接口
[0073]1026:通讯路径
[0074]1028:元件，远端装置、网络、实体
[0075]A
‑
A:线
具体实施方式
[0076]以下揭露提供许多不同的实施方式或例子，以实施所提供的标的的不同特征。以下所描述的构件及配置的特定例子是用以简化本揭露。当然，这些仅为例子而非旨在限制。例如，在描述中，将第一特征形成于第二特征上方的制程，可包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施方式，也可包含额外特征可能形成于第一特征与第二特征之间，使第一特征与第二特征可能未直接接触的实施方式。如本文所使用，形成第一特征于第二特征上，意味着形成第一特征直接接触第二特征。此外，本揭露可在多个例子中重复参考数字及/或文字。此重复以其本身而言并非用以指定本文所讨论的各实施方式及/或架构间的关系。
[0077]本文可能使用空间关系用语，例如“在
…
下方(beneath)”、“之下(below)”、“较低的(lower)”、“之上(above)”、“较高的(upper)”、及类似用语，来简明描述，以描述附图中所绘示的一部件或一特征与另一(另一些)部件或特征的关系。除了附图中所描绘的方向外，
空间关系用语意欲本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种控制气体供应的方法，其特征在于，该方法包含：提供一第一设定来配置一气体供应装置，以供应一第一气体混合物给固持一第一基材的一基材载体；在该第一基材完成一制程操作之后，接收在该第一基材上所量测到的多个关键尺寸数据；以及因应该些关键尺寸数据超出一预定范围，提供一第二设定来配置该气体供应装置，以供应一第二气体混合物给固持尚未进行该制程操作的一第二基材的该基材载体。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一设定及该第二设定包含一或多个气体的种类、该或该些气体中的每一个的量、该或该些气体中的每一个的流率、该或该些气体中的每一个的供应持续时间、以及该或该些气体之间的比例。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该些关键尺寸数据包含多个光学量测数据、多个光学检测数据、多个轮廓仪数据、多个扫描电子显微镜数据、以及多个穿透式电子显微镜数据中的一或多个。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一气体混合物及该第二气体混合物包含超洁净干空气，以调整该基材载体中的相对湿度。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一气体混合物及该第二气体混合物包含一惰性气体，该惰性气体包含氮气或氩气以保护该第一基材及该第二基材免于氧化。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一气体混合物及该第二气体混合物包含氧气，以氧化该第一基材及该第二基材上的一结构。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一气体混合物及该第二气体混合物包含氧气，以调整该第一基材及该...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晏霖，方步宽，颜永达，林木沧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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