有机金属化合物、包括其的发光装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:34910449 阅读:13 留言:0更新日期:2022-09-15 06:58
本发明专利技术公开了有机金属化合物、包括其的发光装置和电子设备。有机金属化合物由式1表示。在式1中,取代基与详细描述中的描述相同。式1式1式1式1

【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物、包括其的发光装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年3月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10

2021

0030364号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。


[0003]一个或多个实施方式涉及有机金属化合物和包括有机金属化合物的发光装置。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置,其具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面适当的(例如,卓越的)特点。
[0005]发光装置可包括在基板上的第一电极,以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可朝着发射层移动穿过空穴传输区,并且从第二电极提供的电子可朝着发射层移动穿过电子传输区。载流子,比如空穴和电子,在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态,从而生成光。

技术实现思路

[0006]根据一个或多个实施方式的方面涉及有机金属化合物和包括有机金属化合物的发光装置。
[0007]另外的方面将部分在如下的描述中陈述,并且部分将从描述中是显而易见的,或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式,有机金属化合物可由式1表示。
[0009]式1
[0010][0011]在式1中,
[0012]M1可为铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm),
[0013]Y1至Y4可各自独立地为N或C,
[0014]A1至A5可各自独立地为C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团,
[0015]B1至B4可各自独立地为化学键、O或S,
[0016]L1至L3可各自独立地为单键、*

O

*

、*

S

*

、*

C(R6)(R7)

*

、*

C(R6)=*

、*=C(R7)

*

、*

C(R6)=C(R7)

*

、*

C(=O)

*

、*

C(=S)

*

、*

C≡C

*

、*

B(R6)

*

、*

N(R6)

*

、*

P(R6)

*

、*

Si(R6)(R7)

*

或*

Ge(R6)(R7)

*


[0017]a1至a3可各自独立地为选自1至3的整数,
[0018]V1可为单键、O、S、C(R
81
)(R
82
)或Si(R
81
)(R
82
),
[0019]R1至R7、R
81
和R
82
可各自独立地为氢、氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、

Si(Q1)(Q2)(Q3)、

N(Q1)(Q2)、

B(Q1)(Q2)、

C(=O)(Q1)、

S(=O)2(Q1)或

P(=O)(Q1)(Q2),
[0020]R1与L1的R6,R2与L1和/或L2的R6,R3与L2和/或L3的R6,以及R4与R5可任选地彼此键合以形成取代的或未取代的C3‑
C
60
碳环基团,或者取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团,
[0021]R3和R5可彼此分开而不彼此键合,
[0022]b1至b5可各自独立地为选自1至10的整数,并且
[0023]R
10a
可为:
[0024]氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基或硝基,
[0025]各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基:氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、

Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、

N(Q
11
)(Q
12
)、本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置,包括:第一电极;面向所述第一电极的第二电极;以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层,其中所述发光装置包括由式1表示的有机金属化合物:式1其中,在式1中,M1为铂、钯、铜、银、金、铑、铱、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥,Y1至Y4各自独立地为N或C,A1至A5各自独立地为C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团,B1至B4各自独立地为化学键、O或S,L1至L3各自独立地为单键、*

O

*

、*

S

*

、*

C(R6)(R7)

*

、*

C(R6)=*

、*=C(R7)

*

、*

C(R6)=C(R7)

*

、*

C(=O)

*

、*

C(=S)

*

、*

C≡C

*

、*

B(R6)

*

、*

N(R6)

*

、*

P(R6)

*

、*

Si(R6)(R7)

*

或*

Ge(R6)(R7)

*

,a1至a3各自独立地为选自1至3的整数,V1为单键、O、S、C(R
81
)(R
82
)或Si(R
81
)(R
82
),R1至R7、R
81
和R
82
各自独立地为氢、氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、

Si(Q1)(Q2)(Q3)、

N(Q1)(Q2)、

B(Q1)(Q2)、

C(=O)(Q1)、

S(=O)2(Q1)或

P(=O)(Q1)(Q2),R1与L1的R6,R2与L1和/或L2的R6,R3与L2和/或L3的R6,以及R4与R5任选地彼此键合以形成取代的或未取代的C3‑
C
60
碳环基团,或者取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团,R3和R5彼此分开而不彼此键合,
b1至b5各自独立地为选自1至10的整数,并且R
10a
为:氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基或硝基;各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基:氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、

Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、

N(Q
11
)(Q
12
)、

B(Q
11
)(Q
12
)、

C(=O)(Q
11
)、

S(=O)2(Q
11
)、

P(=O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合;各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基:氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、

Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、

N(Q
21
)(Q
22
)、

B(Q
21
)(Q
22
)、

C(=O)(Q
21
)、

S(=O)2(Q
21
)、

P(=O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合;或

Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、

N(Q
31
)(Q
32
)、

B(Q
31
)(Q
32
)、

C(=O)(Q
31
)、

S(=O)2(Q
31
)或

P(=O)(Q
31
)(Q
32
),并且其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为:氢;氘;

F;

Cl;

Br;

I;羟基;氰基;硝基;C1‑
C
60
烷基;C2‑
C
60
烯基;C2‑
C
60
炔基;C1‑
C
60
烷氧基;各自未取代的或被氘、

F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团;C7‑
C
60
芳烷基;或C2‑
C
60
杂芳烷基。2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区,所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合,并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述夹层包括有机金属化合物。4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述发射层包括有机金属化合物。5.根据权利要求4所述的发光装置,其中所述发射层进一步包括主体,并且基于100重量份的所述发射层,所述有机金属化合物的含量在0.01重量份至49.99重量份的范围内。6.根据权利要求4所述的发光装置,其中所述发射层发射具有430nm至490nm的范围内的最大发射波长的蓝光。7.根据权利要求2所述的发光装置,其中所述电子传输区包括含氧化膦化合物。8.一种电子设备,包括根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置。9.根据权利要求8所述的电子设备,进一步包括:滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。10.一种由式1表示的有机金属化合物:式1
其中,在式1中,M1为铂、钯、铜、银、金、铑、铱、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥,Y1至Y4各自独立地为N或C,A1至A5各自独立地为C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团,B1至B4各自独立地为化学键、O或S,L1至L3各自独立地为单键、*

O

*

、*

S

*

、*

C(R6)(R7)

*

、*

C(R6)=*

、*=C(R7)

*

、*

C(R6)=C(R7)

*

、*

C(=O)

*

、*

C(=S)

*

、*

C≡C

*

、*

B(R6)

*

、*

N(R6)

*

、*

P(R6)

*

、*

Si(R6)(R7)

*

或*

Ge(R6)(R7)

*

,a1至a3各自独立地为选自1至3的整数,V1为单键、O、S、C(R
81
)(R
82
)或Si(R
81
)(R
82
),R1至R7、R
81
和R
82
各自独立地为氢、氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、

Si(Q1)(Q2)(Q3)、

N(Q1)(Q2)、

B(Q1)(Q2)、

C(=O)(Q1)、

S(=O)2(Q1)或

P(=O)(Q1)(Q2),R1与L1的R6,R2与L1和/或L2的R6,R3与L2和/或L3的R6,以及R4与R5任选地彼此键合以形成取代的或未取代的C3‑
C
60
碳环基团,或者取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团,R3和R5彼此分开而不彼此键合,b1至b5各自独立地为选自1至10的整数,并且R
10a
为:氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基或硝基;各自未取代的或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基:氘、

F、

Cl、

Br、

I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、

Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、

N(Q
11
)(Q
12
)、

B(Q
11
)(Q
12
)、

C(=O)(Q
11
)、

S(=O)2(Q
11
)、

P(=O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合;
各自未取代的或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫...

【专利技术属性】
技术研发人员:金性范高秀秉申秀珍李炫汀韩定勳
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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