半导体装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种能够进行高速的数据传送且电路面积减小了的半导体装置。本发明专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括具有彼此相对的两个面的层、半导体芯片以及外部端子。半导体芯片设置在层的一个面一侧，外部端子设置在层的另一个面一侧的至少不与半导体芯片重叠的区域中。半导体芯片包括含有第一晶体管的第一电路，层包括含有第二晶体管的第二电路。第一电路与第二电路电连接，第二电路与外部端子电连接。并且，第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。此外，第二电路也可以为CML电路。此外，层的一个面的上方及半导体芯片的侧面也可以设置有绝缘体。绝缘体。绝缘体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及电子设备。
[0002]本专利技术的一个方式不限定于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、工作方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、传感器、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。

技术介绍

[0003]近年来，个人计算机、显示装置等电子设备所处理的数据量越来越大。这估计为起因于：处理器等的处理能力提高；存储装置等的存储容量增大；显示装置的清晰度提高；等。
[0004]另外，随着处理器的处理能力的提高、存储装置的存储容量的增大，也有更高速地进行数据传送的需求。例如，即使处理器的处理能力提高，在数据的传送量小的情况下有时整体处理时间也增大。另外，例如，当存储装置的写入工作或者读出工作所处理的数据量较大时，输入输出到该存储装置的数据的传送有时需要较长时间。专利文献1及专利文献2公开了一种电路的结构，该电路使用CML(Current Mode Logic：电流型逻辑)电路而可以进行高速的数据传送。[先行技术文献][专利文献][0005][专利文献1]日本专利申请公开第2015
‑
2408号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2014
‑
50087号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0006]CML电路例如可以使用双极晶体管或MOS晶体管构成。但是，例如，难以将使用双极晶体管的CML电路与使用除双极晶体管外的晶体管的电路形成在同一衬底上。另外，例如，难以将使用MOS晶体管的CML电路与使用除MOS晶体管外的晶体管的电路形成在同一衬底上。
[0007]因此，在使用彼此不同的晶体管分别构成CML电路和其他电路的情况下，需要将CML电路和其他电路分别形成在不同的衬底上。例如，当将CML电路和其他电路安装到一个印刷电路板上时，由于印刷电路板的面积变大，包括CML电路和其他电路的半导体装置的制造成本也可能会变高。
[0008]另外，即使能够使用同一晶体管且在同一衬底(例如，半导体晶片等)上形成CML电路和其他电路，根据电路規模电路面积也有时变大。在此情况下，当电路面积变大时，由于在衬底上形成电路所需的面积增大，因此包括CML电路和其他电路的半导体装置的制造成
本也可能会变高。
[0009]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够进行高速的数据传送的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种电路面积减小了的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种制造成本降低了的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖半导体装置。
[0010]注意，本专利技术的一个方式的目的不局限于上述目的。上述列举的目的并不妨碍其他目的的存在。另外，其他目的是上面没有提到而将在下面的记载中进行说明的目的。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上面没有提到的目的。此外，本专利技术的一个方式实现上述目的及其他目的中的至少一个目的。此外，本专利技术的一个方式并不需要实现所有的上述目的及其他目的。解决技术问题的手段
[0011](1)本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括具有两个面的层、半导体芯片以及外部端子。半导体芯片设置在层的一个面一侧，外部端子设置在层的另一个面一侧的至少不与半导体芯片重叠的区域中。半导体芯片包括含有第一晶体管的第一电路，层包括含有第二晶体管的第二电路。第一电路与第二电路电连接，第二电路与外部端子电连接。并且，第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。
[0012](2)另外，根据上述(1)的半导体装置，本专利技术的一个方式也可以具有第二电路为CML电路的结构。
[0013](3)另外，根据上述(1)或(2)的半导体装置，本专利技术的一个方式也可以具有层的一个面的上方及半导体芯片的侧面设置有绝缘体的结构。
[0014](4)另外，根据上述(1)至(3)中任一项的半导体装置，本专利技术的一个方式也可以具有半导体芯片包括连接端子且第一电路与第二电路通过连接端子电连接的结构。并且，外部端子的间距宽度优选大于连接端子的间距宽度。
[0015](5)另外，根据上述(1)至(4)中任一项的半导体装置，本专利技术的一个方式也可以具有金属氧化物包含铟、元素M(M为选自铝、镓、钇、锡、钛中的一种或两种以上的元素)及锌的结构。
[0016](6)另外，本专利技术的一个方式是一种电子设备，包括上述(1)至(5)中的任一个半导体装置、以及外壳。
[0017]注意，在本说明书等中，半导体装置是指利用半导体特性的装置以及包括半导体元件(晶体管、二极管、光电二极管等)的电路及包括该电路的装置等。另外，半导体装置是指能够利用半导体特性而发挥作用的所有装置。例如，作为半导体装置的例子，有集成电路、具备集成电路的芯片、封装中容纳有芯片的电子构件等。另外，存储装置、显示装置、发光装置、照明装置以及电子设备等本身是半导体装置，或者有时包括半导体装置。
[0018]另外，在本说明书等中，当记载为“X与Y连接”时，表示在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况；X与Y在功能上连接的情况；以及X与Y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系，例如其他的连接关系也在附图或文中所记载的范围内记载。X和Y都是对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。
[0019]作为X和Y电连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够电连接X和Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示器件、发光器件、负载等)。此外，开关具有控制开启或关闭的功能。换言之，通过使开关处于导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)来控制是否使电流流过。
[0020]作为X与Y在功能上连接的情况的一个例子，例如可以在X与Y之间连接有一个以上的能够在功能上连接X与Y的电路(例如，逻辑电路(反相器、NAND电路、NOR电路等)、信号转换电路(数字模拟转换电路、模拟数字转换电路、伽马校正电路等)、电位电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转移电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。注意，例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，就可以说X与Y在功能上是连接着的。
[0021]此外，当明确地记载为“X与Y电连接”时，包括如下情况：X与Y电连接的情况(换言之，以中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：具有两个面的层；半导体芯片；以及外部端子，其中，所述半导体芯片设置在所述层的一个面一侧，所述外部端子设置在所述层的另一个面一侧的至少不与所述半导体芯片重叠的区域中，所述半导体芯片包括含有第一晶体管的第一电路，所述层包括含有第二晶体管的第二电路，所述第一电路与所述第二电路电连接，所述第二电路与所述外部端子电连接，并且，所述第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二电路为CML电路。3.根据权利要求1或2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：大嶋和晃，国武宽司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：