场效应管动态阈值电压测量方法及测试设备技术

本申请涉及一种场效应管动态阈值电压测量方法及测试设备。用于根据测量电路测量场效应管的阈值电压动态变化特性，所述测量电路包括第一路四线开尔文测试通道、第二路四线开尔文测试通道、第三路四线开尔文测试通道、第四路四线开尔文测试通道、第五路四线开尔文测试通道、运算放大器、电流采样电阻以及被测场效应管，所述方法包括：当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第一电压；对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压；根据所述第一电压及所述第二电压获取阈值电压动态变化特性。采用本方法能够实现了场效应管器件动态阀值电压测量，通过该测试方法可以测试出器件阀值的偏移特性。试方法可以测试出器件阀值的偏移特性。试方法可以测试出器件阀值的偏移特性。

【技术实现步骤摘要】
场效应管动态阈值电压测量方法及测试设备


[0001]本申请涉及电子电路
，特别是涉及一种场效应管动态阈值电压测量方法及测试设备。

技术介绍

[0002]场效应管(Field Effect Transistor，FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。氮化镓场效应晶体管(Gallium Nitride Field
‑
effect Transistor，)是一类以氮化镓以及铝氮化镓为基础材料的场效应晶体管。作为新一代的功率器件的重要材料，它具有禁带宽度大、导热率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，一直备受关注，被誉为第三代半导体材料。
[0003]氮化镓比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力；这意味着在许多电源管理产品中，氮化镓是更强的存在。氮化镓主要应用于高频中小功率场合，广泛运用到消费类电子等领域。
[0004]对于氮化镓在电源管理产品需求增加，对于氮化镓的电器动态特性测试越来越重要。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够场效应管动态阈值电压测量方法及测试设备，以便于实现场效应管动态阈值电压测量以及测试出场效应管的偏移特性。
[0006]第一方面，本申请提供了一种场效应管动态阈值电压测量方法。用于根据测量电路测量场效应管的阈值电压动态变化特性，所述测量电路包括第一路四线开尔文测试通道、第二路四线开尔文测试通道、第三路四线开尔文测试通道、第四路四线开尔文测试通道、第五路四线开尔文测试通道、运算放大器、电流采样电阻以及被测场效应管，所述方法包括：
[0007]当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第一电压；
[0008]对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压；
[0009]根据所述第一电压及所述第二电压获取阈值电压动态变化特性。
[0010]于上述场效应管动态阈值电压测量方法中，首先在电路稳定之后对被测场效应管的电压进行第一次测量，再通过对场效应管施加高电压，保持一定时间后，关闭高电压，对所述被测场效应管进行第二次或多次电压的测量，支持多脉冲功能测试，以便于实现了场效应管的动态阀值电压测量以及实时测试阀值电压前后动态变化。
[0011]在其中一个实施例中，所述当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第一电压包括：
[0012]当所述运算放大器的反相输入端的电压与同相输入端的电压相同时，所述测量电路稳定；
[0013]所述第二路四线开尔文测试通道测量所述被测场效应管的栅极与源极间的第一
电压。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二路四线开尔文测试通道包括电压表。以便于实时监测被测场效应管栅极和源极两端的电压。
[0015]在其中一个实施例中，所述对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压包括：
[0016]断开所述第四路四线开尔文测试通道及所述第五路四线开尔文测试通道；
[0017]所述第二路四线开尔文测试通道对所述被测场效应管施加预设时间的预设高电压；
[0018]连接所述第四路四线开尔文测试通道及所述第五路四线开尔文测试通道；
[0019]当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第二电压。
[0020]在其中一个实施例中，所述对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压还包括：
[0021]所述第三路四线开尔文测试通道施加负电压，使所述被测场效应管完全截止；
[0022]断开所述第一路四线开尔文测试通道提供给所述被测场效应管的电压；
[0023]断开所述第三路四线开尔文测试通道施加的电压。
[0024]在其中一个实施例中，所述第三路四线开尔文测试通道、所述第四路四线开尔文测试通道及所述第五路四线开尔文测试通道均为恒压源电路。以便于采用高精度运算放大器实现高精度测试。
[0025]在其中一个实施例中，所述场效应管包括氮化镓场效应管。
[0026]第二方面，本申请还提供了一种测试设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
[0027]第三方面，一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
附图说明
[0028]图1为本申请一实施例中提供的场效应管动态阈值电压测量方法的应用环境图；
[0029]图2为本申请一实施例中提供的场效应管动态阈值电压测量方法的流程示意图；
[0030]图3为本申请一实施例中提供的测量电路的结构示意图；
[0031]图4为本申请另一实施例中提供的场效应管动态阈值电压测量方法的流程示意图；
[0032]图5为本申请又一实施例中提供的场效应管动态阈值电压测量方法的流程示意图；
[0033]图6为本申请一实施例中提供的测试设备的内部结构图；
[0034]图7为本申请一实施例中提供的测试设备时序图；
[0035]图8为本申请一实施例中提供的测试设备的实测数据。
[0036]附图标记说明：
[0037]11、第一路四线开尔文测试通道；12、第二路四线开尔文测试通道；13、第三路四线开尔文测试通道；14、第四路四线开尔文测试通道；15、第五路四线开尔文测试通道；20、运
算放大器；30、电流采样电阻；40、被测场效应管；51、第一电阻；52、第二电阻；53、第三电阻。
具体实施方式
[0038]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0039]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0040]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。
[0041]需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
[0042]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应管动态阈值电压测量方法，其特征在于，用于根据测量电路测量场效应管的阈值电压动态变化特性，所述测量电路包括第一路四线开尔文测试通道、第二路四线开尔文测试通道、第三路四线开尔文测试通道、第四路四线开尔文测试通道、第五路四线开尔文测试通道、运算放大器、电流采样电阻以及被测场效应管，所述方法包括：当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第一电压；对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压；根据所述第一电压及所述第二电压获取阈值电压动态变化特性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第一电压包括：当所述运算放大器的反相输入端的电压与同相输入端的电压相同时，所述测量电路稳定；所述第二路四线开尔文测试通道测量所述被测场效应管的栅极与源极间的第一电压。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二路四线开尔文测试通道包括电压表。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压包括：断开所述第四路四线开尔文测试通道及所述第五路四线开尔文测试通道；所述第二路四线开尔文测试通道对所述被测场效应管施加预设时间的预设高电压；连接所述第四路四线开尔文测试通道及所述第五路四线开尔文测试通道；当所述测量电路稳定后，获取所述被测场效应管的第二电压。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述被测场效应管施加预设高电压后，获取所述被测效应管的第二电压还包括：所述第三路四线开尔文测试通...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋利鹏，
申请(专利权)人：北京华峰测控技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：