阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、第一保护层、有源层、栅极绝缘层以及栅极，第一保护层设置在衬底上，有源层设置在第一保护层远离衬底的一侧，栅极设置在栅极绝缘层远离衬底的一侧，第二保护层设置在栅极远离衬底的一侧，第一保护层与第二保护层接触，使得第一保护层以及第二保护层共同包裹有源层、栅极绝缘层以及栅极，以阻挡氢元素进入有源层、栅极绝缘层或者栅极。该阵列基板的第一保护层以及第二保护层能够阻止氢元素向有源层等结构注入，使得应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。阵列基板的显示面板能够稳定运作。阵列基板的显示面板能够稳定运作。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]非晶氧化物薄膜晶体管因其高的迁移率，良好的均匀性，对可见光良好的透过性以及低温的制作过程，被广泛应用于阵列基板中。其中，非晶氧化物半导体具有较高的载流子浓度，具备较强的电荷传输能力，作为有源层可以有效地驱动薄膜晶体管器件。
[0003]但是非晶氧化物半导体对氢元素敏感，该氢元素注入至有源层会使得该非晶氧化物薄膜晶体管的阈值电压显著负偏，导致装配有该阵列基板的显示面板通过的电流增大，造成显示面板损坏。所以，如何阻止氢元素向有源层注入，对显示面板的良好运作起到十分关键的作用。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板的第一保护层以及第二保护层能够阻止氢元素向有源层等结构注入，使得应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。
[0005]本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一保护层，所述第一保护层设置在所述衬底上；
[0008]有源层，所述有源层设置在所述第一保护层远离所述衬底的一侧；
[0009]栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；
[0010]栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧；
[0011]第二保护层，所述第二保护层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第二保护层延伸至所述第一保护层，使得所述第一保护层以及所述第二保护层共同包裹所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极，以阻挡氢元素进入所述有源层、所述栅极绝缘层或者所述栅极。
[0012]在一些实施例中，所述第一保护层或者所述第二保护层的材料至少包括致密的金属氧化物。
[0013]在一些实施例中，所述第一保护层或者所述第二保护层的厚度为至
[0014]在一些实施例中，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述第一保护层在所述衬底上的正投影内。
[0015]本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括：
[0016]提供一衬底；
[0017]在所述衬底上形成第一保护层；
[0018]在所述第一保护层远离所述衬底的一侧形成有源层；
[0019]在所述有源层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层；
[0020]在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅极；
[0021]在所述栅极远离所述衬底的一侧设置第二保护层，并将所述第二保护层延伸至所述第一保护层，使得所述第一保护层以及所述第二保护层共同包裹所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极，以阻挡氢元素进入所述有源层、所述栅极绝缘层或者所述栅极。
[0022]在一些实施例中，在所述第一保护层远离所述衬底的一侧形成有源层之后，还包括采用刻蚀酸对所述第一保护层以及所述有源层进行刻蚀。
[0023]在一些实施例中，所述刻蚀酸为铝酸、醋酸乙二酸以及草酸中的至少一种。
[0024]在一些实施例中，在所述衬底上形成第一保护层，包括：
[0025]提供一第一靶材，所述第一靶材的材料为铝；
[0026]在所述衬底上沉积从所述第一靶材中溅射出的铝原子，以形成第一铝层；
[0027]将所述第一铝层氧化，以形成第一保护层。
[0028]在一些实施例中，在所述栅极远离所述衬底的一侧设置第二保护层，包括提供一第二靶材，所述第二靶材的材料为铝；
[0029]在所述栅极远离所述衬底的一侧沉积从所述第二靶材中溅射出的铝原子，以形成第二铝层；
[0030]将所述第二铝层氧化，以形成第二保护层。
[0031]本申请实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板以及设置在所述阵列基板上的发光层，所述阵列基板为上述阵列基板或者上述阵列基板的制备方法制备的阵列基板。
[0032]本申请实施例提供的阵列基板，该阵列基板包括衬底、第一保护层、有源层、栅极绝缘层、栅极以及第二保护层，第一保护层以及第二保护层连接，以共同包裹有源层、栅极绝缘层以及栅极，从而阻挡氢元素进入有源层、栅极绝缘层以及栅极。所以，正是由于在阵列基板中设置共同包裹有源层、栅极绝缘层以及栅极的第一保护层以及第二保护层，该第一保护层以及第二保护层能够阻止氢元素向有源层等结构注入，使得应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为本申请实施例提供的相关技术的显示面板的第一种结构示意图。
[0035]图2为本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。
[0036]图3为本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。
[0037]图4为本申请实施例提供的阵列基板的工艺流程图。
[0038]图5为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
[0039]图6为本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0041]随着有机发光显示(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)面板以及液晶显示(Light
‑
Emitting Diode，LED)面板的技术发展，将铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)作为有源层应用于显示面板非常流行。
[0042]其中，铟镓锌氧化物具有较低的漏电流和比a
‑
Si(非晶硅)更加好的迁移率，可做顶栅(Top Gate)器件中的有源层驱动显示面板。但是目前利用铟镓锌氧化物作为有源层的大尺寸显示面板这一技术并不成熟，是因为柔性的显示面板的可靠性较差。请参阅图1，图1为本申请实施例提供的相关技术的显示面板的第一种结构示意图。
[0043]显示面板10包括依次层叠设置的衬底101、阵列基板100、发光层200以及封装层300。该阵列基板100包括至少一层缓冲层。显示面板10的制作中，衬底101和缓冲层，需要使用激光剥离技术(Laser Lift
‑
off，LLO)这一工艺，会产生氢元素；封装层300为氮化硅(SiN
x
)、氧化硅(SiO
x
)或者SiNO等材料制成的薄膜，也会产生氢元素。然而阵列基板100中的IGZO对氢元素较为敏感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一保护层，所述第一保护层设置在所述衬底上；有源层，所述有源层设置在所述第一保护层远离所述衬底的一侧；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧；第二保护层，所述第二保护层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第二保护层延伸至所述第一保护层，使得所述第一保护层以及所述第二保护层共同包裹所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极，以阻挡氢元素进入所述有源层、所述栅极绝缘层或者所述栅极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一保护层或者所述第二保护层的材料至少包括致密的金属氧化物。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一保护层或者所述第二保护层的厚度为至4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述第一保护层在所述衬底上的正投影内。5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一保护层；在所述第一保护层远离所述衬底的一侧形成有源层；在所述有源层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅极；在所述栅极远离所述衬底的一侧设置第二保护层，并将所述第二保护层延伸至所述第一保护层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑帅，宋志伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：