一种介质滤波器及通信设备制造技术

本发明专利技术涉及通信技术领域，特别涉及一种介质滤波器及通信设备。包括陶瓷基体，至少两个介质谐振器，每一介质谐振器设置有导通孔。与导通孔连接并相互垂直设置的侧壁通孔。通过侧壁通孔的引入使得滤波器结构更加灵活，侧壁通孔对谐振器有控制频率的效果，同时可以通过控制两个谐振器之间的磁耦合强度来控制非线性耦合的零点位置，同时其还可以作为一种实现用来实现交叉耦合的结构。此新型滤波器在不增加孔数和产品体积的基础上，能够实现滤波器的灵活设计与提高滤波器的带外抑制度，并且简化电路面的设计，且由于底部没有增加额外结构，不影响滤波器调试过程。用以解决介质滤波器中电路面设计复杂，非线性零点难以控制的问题。非线性零点难以控制的问题。非线性零点难以控制的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种介质滤波器及通信设备


[0001]本专利技术涉及通信
，特别涉及一种介质滤波器及通信设备。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术进入5G时代，大规模MIMO技术的发展，加上基站集成化、小型化、轻量化等要求的不断提高，通信系统对微波射频器件提出了更高的要求，常用金属腔体射频器件体积越小，性能指标越差，在高频段不具竞争力。
[0003]介质滤波器在满足核心性能要求的前提下，具有重量轻、抗温漂特性好、小型化等综合优点，在下一代滤波器领域引起了极大的关注。
[0004]现有的介质谐振器，由一个贯穿上下表面的导通孔，及顶部金属贴片组成。腔体的频率由几个参数共同调节，如导通孔的半径大小，腔体的高度，金属贴片的尺寸。而介质滤波器由介质谐振器耦合级联而成，其中的耦合主要通过控制谐振器之间金属贴片的间距以及形状来完成。
[0005]在传统介质谐振器设计中，金属顶盘负责谐振腔之间的耦合，并调节每个谐振腔的频率。在设计中，当改变贴片形状以改变谐振器之间的耦合时，频率也会常常改变，这为介质滤波器的设计与优化带来了困难。
[0006]同时，介质谐振器中的两个腔体，经常存在较为明显的非线性耦合，对于介质滤波器中的非线性耦合的控制，常用的方法如改变贴片形状，但这种方法增加了电路面的设计难度。或改变同轴间的距离以及连接两个谐振器，这种方法连接了两个导通孔底部，增大了两个谐振器之间的磁耦合，产生了一个高端的传输零点，但导通孔底部一般为滤波器的调试端，这种结构为介质滤波器的调试带来难度。
[0007]介质滤波器的交叉耦合以导通孔错位的方法来实现交叉耦合零点，但错位会使得滤波器的Q值降低。而利用介质滤波器上的微带线来实现交叉耦合，但这会增加滤波器谐振器之间的泄露，以及提高电路面设计的复杂度，同时交叉耦合的调节范围有限。

技术实现思路

[0008]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种介质滤波器及通信设备，用以解决现有技术中的介质滤波器耦合与频率设计中影响较大，非线性耦合难以控制，交叉耦合不易实现的问题。
[0009]为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0010]一种介质滤波器，包括：
[0011]陶瓷基体，其包含有至少两个介质谐振器，且每一所述介质谐振器有一垂直设置的导通孔；
[0012]设于所述陶瓷基体内且与一所述导通孔连接并相互垂直设置用于调节频率的侧壁通孔。
[0013]作为本专利技术的一种优选方案，所述陶瓷基体上设有一电极面，位于所述电极面上
包含有输入接口和输出接口，且所述电极面与PCB板焊接。
[0014]作为本专利技术的一种优选方案，所述陶瓷基体的一端面设有位于所述导通孔开口端一侧的金属贴片。
[0015]作为本专利技术的一种优选方案，每一所述导通孔处于同一水平中心线上。
[0016]作为本专利技术的一种优选方案，所述陶瓷基体上包含有三个介质谐振器，第一和第二的所述介质谐振器上设有两不同朝向的侧壁通孔，第三的所述介质谐振器上设有与两不同朝向的侧壁通孔中任一相同方向的侧壁通孔。
[0017]作为本专利技术的一种优选方案，所述陶瓷基体上包含有三个介质谐振器，第一至三的所述介质谐振器上均设有朝向相同且处于同一水平中心线上的侧壁通孔，其中，两相互间隔设置的所述介质谐振器上设有位于一侧壁通孔下方对应位置且与小于一侧壁通孔直径的另一侧壁通孔。
[0018]作为本专利技术的一种优选方案，所述陶瓷基体上包含有九个介质谐振器，第一至八的所述介质谐振器处于同一水平中心线上，第九所述介质谐振器与第一至八的所述介质谐振器相错位；
[0019]第一所述介质谐振器的上端部设有位于陶瓷基体一端面的侧壁通孔，第二所述介质谐振器的下端部设有两不同朝向且相错位的侧壁通孔，第三所述介质谐振器的中端部设有位于陶瓷基体另一端面的侧壁通孔，第四和第五所述介质谐振器的中端部设有两不同朝向的侧壁通孔，第六所述介质谐振器的下端部设有位于陶瓷基体一端面的侧壁通孔，第七和第八所述介质谐振器的中端部设有两不同朝向且相错位的侧壁通孔，第九所述介质谐振器的上端部设有位于陶瓷基体侧端面的侧壁通孔；
[0020]第一和第九所述介质谐振器的侧壁通孔直径相同，第二至第八所述介质谐振器的侧壁通孔直径相同。
[0021]作为本专利技术的一种优选方案，所述陶瓷基体上包含有五个介质谐振器，第一至四的介质谐振器上的侧壁通孔朝向相同，而与第五介质谐振器上的侧壁通孔朝向不相同；
[0022]第一、第三和第四的介质谐振器上的侧壁通孔处于同一水平中心线上且直径相同，第二和第五的介质谐振器上的侧壁通孔与第一、第三和第四的介质谐振器上的侧壁通孔相错位且直径不同。
[0023]作为本专利技术的一种优选方案，一种通信设备，包括权利要求1
‑
8任一项所述的介质滤波器。
[0024]综上所述，本专利技术具有如下有益效果：
[0025]1、通过侧壁通孔的引入，会改变原谐振器中磁场的方向，增加额外控制耦合的途径，可用来控制滤波器中的主耦合及交叉耦合等。
[0026]2、通过调节侧壁通孔的尺寸可以调节两个腔体之间的非线性耦合，从而实现对滤波器的零点控制，降低电路面设计难度。
[0027]3、在双腔耦合中，通过控制侧壁通孔的尺寸、位置、与其他腔孔的错位情况以及方向等能够有效控制两腔体之间的磁耦合情况，从而实现对非线性耦合的控制，同时，还可以产生交叉耦合的零点，提高滤波器带外抑制度。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术的介质滤波器结构示意图。
[0030]图2为本专利技术的三阶两零点非线性耦合滤波器结构示意图。
[0031]图3为本专利技术的图2滤波器的响应，腔体间M12和M23的提取曲线结构示意图。
[0032]图4为本专利技术的三阶triplet交叉耦合滤波器及响应曲线结构示意图。
[0033]图5为本专利技术的Sub
‑
6G超宽带陡峭滤波器结构及响应曲线结构示意图。
[0034]图6为本专利技术的3.5G五阶三零点滤波器及响应曲线结构示意图。
[0035]图7为本专利技术的含有耦合脊的滤波器及响应曲线结构示意图。
[0036]图8为本专利技术的侧壁通孔半径与谐振器频率对应关系(上方位置)、侧壁通孔距离金属贴片与谐振器频率关系曲线(下方位置)示意图。
[0037]图中数字和字母所表示的相应部件名称：
[0038]1、陶瓷基体；2、介质谐振器；3、侧壁通孔；4、金属贴片；5、输入接口；6、输出接口；7、耦合脊。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质滤波器，其特征在于，包括：陶瓷基体，其包含有至少两个介质谐振器，且每一所述介质谐振器有一垂直设置的导通孔；设于所述陶瓷基体内且与一所述导通孔连接并相互垂直设置用于调节频率的侧壁通孔。2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体上设有一电极面，位于所述电极面上包含有输入接口和输出接口，且所述电极面与PCB板焊接。3.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体的一端面设有位于所述导通孔开口端一侧的金属贴片。4.根据权利要求3所述的介质滤波器，其特征在于，每一所述导通孔处于同一水平中心线上。5.根据权利要求4所述的介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体上包含有三个介质谐振器，第一和第二的所述介质谐振器上设有两不同朝向的侧壁通孔，第三的所述介质谐振器上设有与两不同朝向的侧壁通孔中任一相同方向的侧壁通孔。6.根据权利要求4所述的介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体上包含有三个介质谐振器，第一至三的所述介质谐振器上均设有朝向相同且处于同一水平中心线上的侧壁通孔，其中，两相互间隔设置的所述介质谐振器上设有位于一侧壁通孔下方对应位置且与小于一侧壁通孔直径的另一侧壁通孔。7.根据权利要求3所述的介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体上包含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱宝琪，周涛，于明，黄振新，薛文彬，
申请(专利权)人：苏州威洁通讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：