用于物理气相沉积腔室的加热屏蔽制造技术

本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。述外唇部的下表面包括多个沟槽。述外唇部的下表面包括多个沟槽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于物理气相沉积腔室的加热屏蔽


[0001]本公开案的实施例一般相关于基板处理设施。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(PVD)是可用于将薄膜沉积到基板上的处理。PVD处理一般包括使用来自等离子体的离子轰击包括源材料的靶，从而使源材料从靶上溅射。然后，将所溅射的源材料加速朝向待处理的基板，从而导致在与其他反应物反应或不反应的情况下沉积源材料。在PVD腔室中沉积源材料，伴随着涂覆PVD腔室的内表面。
[0003]可提供可包括多个部件的处理套件以减低或防止在PVD腔室的内表面上的不希望的沉积。然而，在处理套件上堆积的沉积可能需要清洁或更换。处理套件的维护通常包括从PVD腔室移除处理套件、化学蚀刻处理套件、及将处理套件重新安装进入PVD腔室。专利技术人建议原位执行化学蚀刻处理。然而，对于某些原位清洁处理，可能需要高的腔室温度。
[0004]据此，专利技术人在此提供用于高腔室温度处理的改善的处理套件。

技术实现思路

[0005]本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。
[0006]在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理套件包括：处理屏蔽，所述处理屏蔽具有圆柱主体，所述圆柱主体具有上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中多个对准插槽从所述外唇部的外表面径向向内延伸；及加热器环，所述加热器环经由所述外唇部中的多个开口耦合至所述处理屏蔽的所述上部分，其中所述加热器环包括嵌入所述加热器环中的电阻加热元件，且其中所述加热器环包括与所述处理屏蔽的所述多个对准插槽的位置对应的多个插销插槽。
[0007]在一些实施例中，处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体界定所述腔室主体中的内部容积；靶，所述靶设置于所述内部容积中接近所述腔室主体的顶部；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述内部容积中相对于所述靶；屏蔽，所述屏蔽具有圆柱主体，所述圆柱主体从所述靶延伸至所述基板支撑件，所述屏蔽具有外唇部；适配器，所述适配器环绕所述屏蔽，所述适配器具有设置于所述适配器中的冷却通道；及加热器环，所述加热器环经由所述外唇部中的多个开口紧固至所述屏蔽的所述外唇部，以将所述适配器夹在所述外唇部及所述加热器环之间。
[0008]下方描述本公开案的其他及进一步的实施例。
附图说明
[0009]通过参考在附图中描绘的本公开案的说明性实施例，可理解上面简要概述且在下面更详细讨论的本公开案的实施例。然而，附图仅图示了本公开案的典型实施例，因此不应视为对本专利技术范围的限制，因为本公开案可允许其他等效实施例。
[0010]图1是根据本公开案的一些实施例的处理腔室的示意性侧视图。
[0011]图2是根据本公开案的一些实施例的处理腔室的部分横截面等距视图。
[0012]图3是根据本公开案的一些实施例的处理腔室的部分横截面等距视图。
[0013]图4是根据本公开案的一些实施例的处理腔室的部分横截面等距视图。
[0014]图5是根据本公开案的一些实施例的加热器环的顶部等距顶部视图。
[0015]图6是根据本公开案的一些实施例的处理屏蔽的部分顶部视图。
[0016]图7是根据本公开案的一些实施例的处理屏蔽的部分顶部视图。
[0017]图8是根据本公开案的一些实施例的处理屏蔽的部分底部视图。
[0018]图9是根据本公开案的一些实施例的处理屏蔽的横截面侧视图。
[0019]为了便于理解，尽可能地使用相同的参考数字来标示图中共有的相同元件。图未按比例绘制，且为清楚起见可简化。一个实施例的元件和特征可有益地并入其他实施例中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0020]本文提供了用于PVD腔室的处理套件的实施例。如本文所述，处理套件可包括多个部件，包括处理屏蔽。在一些实施例中，处理屏蔽有利地与处理腔室的相邻冷却部件(例如水冷适配器或处理腔室的水冷侧壁)热分离，使得可将处理屏蔽加热至高温(例如摄氏250度或更高的温度)。在一些实施例中，处理屏蔽有利地电耦合至处理腔室的冷却适配器或冷却侧壁，以将处理屏蔽电接地。
[0021]图1描绘了根据本公开案的一些实施例的处理腔室100的示意性侧视图。在一些实施例中，处理腔室100是物理气相沉积(PVD)腔室。适用于本公开案的PVD腔室的范例包括APPLIED ENDURA IMPULSE
TM
和可从加州圣克拉拉的应用材料公司商购的其他PVD处理腔室。来自应用材料公司或其他制造商的其他处理腔室也可从本文公开的专利技术设备中受益。
[0022]处理腔室100包括腔室壁106，腔室壁106封闭具有处理容积108和非处理容积109的内容积。腔室壁106包括侧壁116、底部壁126、和天花板124。天花板124可为腔室盖或类似的盖子以密封内容积。处理腔室100可为独立腔室或多腔室平台(未展示)的一部分，例如具有通过基板传送机构连接的内部连接腔室的群集的处理系统的任何或线，所述基板传送机构在各个腔室之间传送基板104(例如，基板传送机器人)。处理腔室100可为能够将材料溅射沉积到基板104上的PVD腔室。用于溅射沉积的合适材料的非限制性范例包括以下一个或多个：铝、铜、钽、氮化钽、钛、氮化钛、钨、氮化钨和类似物。
[0023]处理腔室100包括基板支撑件130，基板支撑件130包括支撑基板104的基座134。基座134具有基板支撑表面138，基板支撑表面138具有实质平行于设置在处理腔室100的上区段中的靶140的溅射表面139的平面。靶140可包括将被溅射到基板104和背板上的材料。基座134的基板支撑表面138经配置以在处理期间接收并支撑基板104。基座134可包括具有电
极118或加热器(例如电阻加热器、热交换器、或其他合适的加热装置)的静电夹具。电极118可耦合到电极功率源170b。电极功率源170b可为DC功率源或RF功率源。在操作中，基板104经由处理腔室100的侧壁116中的狭缝阀142被引导进入处理腔室100的非处理容积109，且在装载基板104期间，基板104被放置在处于非处理位置中的基板支撑件130上。可通过支撑升降机构来升高或降低基板支撑件130，且在将基板104通过机器手放置在基板支撑件130上期间，可使用升降指部组件将基板104升高和降低到基板支撑件130上。基座134可在等离子体操作期间保持在电浮动电位或接地。
[0024]处理腔室100也含有处理套件150，处理套件150包括可从处理腔室100轻易移除的各种部件，例如，以清洁掉部件表面的溅射沉积、更换或修复腐蚀的部件、或适应处理腔室100以用于其他处理。处理套件15本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在处理腔室中使用的处理屏蔽，包括：主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分和下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。2.如权利要求1所述的处理屏蔽，其中所述处理屏蔽的所述外唇部包括径向气体分配通道，所述径向气体分配通道从所述外唇部中的所述多个开口延伸至所述外唇部的所述外表面。3.如权利要求1所述的处理屏蔽，其中所述外唇部的上表面包括多个沟槽以容纳弹簧构件。4.如权利要求1所述的处理屏蔽，其中所述多个孔包括沉孔。5.如权利要求1所述的处理屏蔽，其中所述下部分的外表面包括垂直向下延伸的部分。6.如权利要求1至5任一项所述的处理屏蔽，其中所述外唇部包括凹口上周边边缘。7.如权利要求1至5任一项所述的处理屏蔽，其中所述下部分包括内唇部及腿部，所述内唇部径向向内延伸，所述腿部从所述内唇部的最内部分垂直向下延伸。8.一种在处理腔室中使用的处理套件，包括：如权利要求1
‑
5任一项所述的处理屏蔽；及加热器环，所述加热器环经由所述外唇部中的多个开口耦合至所述处理屏蔽的所述上部分，其中所述加热器环包括嵌入所述加热器环中的电阻加热元件，且其中所述加热器环包括与所述处理屏蔽的所述多个对准插槽的位置对应的多个插销插槽。9.如权利要求8所述的处理套件，所述处理套件进一步包括沉积环，所述沉积环设置于所述处理屏蔽和基板支撑件之间。10.如权利要求8所述的处理套件，其中所述加热器环包括嵌入所述加热器环中的加热元件。11.如权利要求8所述的处理套件，所述处理套件进一步包括适配器，所述适配器环绕所述处理屏蔽，所述适配器具有设置于所述适配器中的冷却通道，其中所述适配器被夹在所述处理屏蔽及所述加热器环之间。12.如权利要求11所述的处理套件，其中所述适配器包括从所述适配器的外表面延伸至所述适配器的内表面的气体输送通道。13.如权利要求11所述的处理套件，其中一个或多个弹簧构件设置于所述处理屏蔽和所述适配器之间以电耦合所述处...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊利亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：