存储器区段内经由区段独立的并行存取技术制造技术

本申请案针对于存储器区段内经由区段独立的并行存取技术。一种具有例如铁电存储器单元(混合式RAM HRAM单元)等存储器单元的多个区段的存储器装置可提供对所述存储器装置的独立区段内的存储器单元的同时存取。可激活第一存储器单元，且可确定第二存储器单元独立于所述第一存储器单元。如果所述第二存储器单元独立于所述第一存储器单元，那么所述第二存储器单元可在所述第一存储器单元处的操作结束之前被激活。存储器区段处的锁存硬件可锁存所述存储器区段处的地址以便允许将新地址提供到不同区段以存取所述第二存储器单元。到不同区段以存取所述第二存储器单元。到不同区段以存取所述第二存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
存储器区段内经由区段独立的并行存取技术
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2017年03月07日、申请号为201780025554.9、专利技术名称为“存储器区段内经由区段独立的并行存取技术”的专利技术专利申请案。
[0003]交叉参考
[0004]本专利申请案主张2017年3月7日提出申请的标题为“存储器区段内经由区段独立的并行存取技术(Parallel Access Techniques Within Memory Sections Through Section Independence)”的第PCT/US2017/021199号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张2016年3月10日提出申请的标题为“存储器区段内经由区段独立的并行存取技术”的法克恩森(Fackenthal)的第15/066,573号美国专利申请案的优先权，所述PCT申请案及所述美国专利申请案中的每一者受让于本专利技术的受让人且明确地以其全文引用的方式并入本文中。


[0005]
涉及存储器区段内经由区段独立的并行存取技术。

技术介绍

[0006]以下内容一般来说涉及存储器装置，且更具体来说涉及用于同时存取存储器阵列的独立区段内的存储器单元的技术。
[0007]存储器装置广泛地用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过编程存储器装置的不同状态而存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两种状态。为存取所存储信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电子装置可写入或编程存储器装置中的状态。
[0008]存在多种类型的存储器装置，所述存储器装置包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器及其它存储器装置。存储器装置可是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，快闪存储器)甚至在缺少外部电源的情况下也可存储数据达延长的时间周期。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间失去其所存储状态，除非所述易失性存储器装置通过外部电源而周期性地刷新。举例来说，二进制存储器装置可包含经充电或经放电电容器。经充电电容器可随时间经由泄漏电流而放电，从而导致所存储信息的损失。易失性存储器的某些方面可提供性能优点，例如较快读取或写入速度，而非易失性存储器的方面(例如，在不需要周期性刷新的情况下存储数据的能力)可是有利的。
[0009]FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但可具有非易失性性质，此归因于使用铁电电容器作为存储装置。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有经改善性能。在FeRAM装置中，与在易失性RAM存储器单元(例如，具有电介质电容
器的DRAM单元)中将施加的电压相比，可施加较高电压以使存储器单元极化，此归因于铁电电容器具有相对高电压来极化。此类较高电压可导致使存储器单元极化的时间相对较长，此归因于为充电达此较高电压(例如，经由电荷抽运)而增加的时间。为减轻此类相对高电压，一些设计可沿相反方向移动与存储器单元相关联的极板电压作为存储器单元的数字线处的电压，从而产生可用于操作单元的极化偏置。然而，极板电压的此移动导致1或0到单元的双叉式写回，在极板电压为高时，写入逻辑“0”，且在极板电压为低时，写入逻辑“1”。相对于易失性RAM来说，此双叉式写回也可增加用于写入到存储器的时间，从而增加存储器的平均存取时间。相应地，用于减小存取时间的技术可提高非易失性FeRAM装置的性能。

技术实现思路

[0010]描述一种操作具有多个存储器单元区段的铁电存储器单元组的方法。所述方法可包含：激活第一存储器单元；感测所述第一存储器单元的状态；识别将要激活的第二存储器单元；确定所述第二存储器单元独立于所述第一存储器单元；对所述第一存储器单元进行预充电；及在对所述第一存储器单元进行预充电的同时激活所述第二存储器单元。
[0011]描述操作具有多个存储器单元区段的存储器单元组的另一方法。所述方法可包含：识别将要激活的第一存储器单元及第二存储器单元；确定所述第一存储器单元及所述第二存储器单元在所述存储器单元组内的区段位置；及至少部分地基于所述第一存储器单元及所述第二存储器单元的所述区段位置而识别相对于激活所述第一存储器单元来说用于激活所述第二存储器单元的时序。
[0012]描述一种电子存储器设备。所述电子存储器设备可包含：存储器组，其包括与区段选择电路进行电子通信的多个存储器单元区段；多个感测放大器，其与所述存储器单元区段中的一或多者及所述区段选择电路进行电子通信；及控制器，其与所述区段选择电路及所述感测放大器进行电子通信，其中所述控制器可操作以：识别将要存取的第一存储器单元；经由所述区段选择电路而激活所述第一存储器单元；识别所述多个存储器单元区段中含有将要存取的第二存储器单元的区段；及至少部分地基于所述第一存储器单元及所述第二存储器单元的区段位置而识别相对于所述第一存储器单元的所述激活来说用于激活所述第二存储器单元的时间。
[0013]描述另一设备。所述设备可包含：用于识别将要存取的第一存储器单元的构件；用于经由区段选择电路而激活所述第一存储器单元的构件，所述区段选择电路与包括多个存储器单元区段的存储器组进行电子通信；用于识别所述多个存储器单元区段中含有将要存取的第二存储器单元的区段的构件；及用于至少部分地基于所述第一存储器单元及所述第二存储器单元的区段位置而识别相对于所述第一存储器单元的所述激活来说用于激活所述第二存储器单元的时间的构件。
附图说明
[0014]参考以下各图描述本专利技术的实施例：
[0015]图1图解说明根据本专利技术的各种实施例的支持对存储器阵列的独立区段内的存储器单元的同时存取的实例性存储器阵列；
[0016]图2图解说明根据本专利技术的各种实施例的支持对存储器阵列的独立区段内的存储
器单元的同时存取的存储器单元的实例性电路；
[0017]图3图解说明根据本专利技术的各种实施例的用于操作铁电存储器单元的实例性滞后曲线；
[0018]图4A图解说明根据本专利技术的各种实施例的具有用于存储器单元操作的固定极板电压的存储器单元中的存储器单元电压的实例的时序图；
[0019]图4B图解说明根据本专利技术的各种实施例的具有用于存储器单元操作的移动极板电压的存储器单元中的存储器单元电压的实例的时序图；
[0020]图5A及5B图解说明根据本专利技术的各种实施例的可存取以用于连续读取操作的存储器区段的实例；
[0021]图6图解说明根据本专利技术的各种实施例的存储器区段及相关组件的实例，其中具有用于操作存储器区段以进行同时存取的时序图；
[0022]图7图解说明根据本专利技术的各种实施例的对连续存储器地址本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作具有多个存储器单元区段的存储器单元组的方法，其包括：识别将要激活的第一存储器单元及第二存储器单元；确定所述第一存储器单元及所述第二存储器单元在所述存储器单元组内的区段位置；及至少部分地基于所述第一存储器单元及所述第二存储器单元的所确定区段位置而识别相对于激活所述第一存储器单元来说用于激活所述第二存储器单元的时序。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定区段位置包括：确定所述第一存储器单元位于第一存储器单元区段中；确定所述第二存储器单元位于独立于所述第一存储器单元区段的第二存储器单元区段中，且其中用于激活所述第二存储器单元的所述时序经识别以在所述第一存储器单元的预充电操作期间激活所述第二存储器单元。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元是铁电存储器单元且其中所述预充电操作构成所述铁电存储器单元的写回操作的一部分。4.根据权利要求1所述的方法，其中识别用于激活所述第二存储器单元的所述时序包括：响应于确定所述第一存储器单元及所述第二存储器单元位于相同存储器单元区段中而识别用于激活所述第二存储器单元的第一延迟时间；及响应于确定所述第一存储器单元及所述第二存储器单元位于多个存储器单元区段中的不同区段中而识别用于激活所述第二存储器单元的第二延迟时间，其中所述第一延迟时间比所述第二延迟时间长。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一延迟时间是至少部分地基于用于所述第一存储器单元处的预充电操作的时间而选择，或其中所述第二延迟时间经选择以在所述第一存储器单元处的所述预充电操作期间开始所述第二存储器单元处的激活操作，或以上两者均满足。6.根据权利要求4所述的方法，其中多个存储器单元区段中的所述不同区段包含选择组件或感测放大器组件中彼此独立的一或多者。7.根据权利要求1所述的方法，其中识别用于激活所述第二存储器单元的所述时序包括：识别将在所述第一存储器单元的存取过程期间执行激活所述第二存储器单元，且其中所述方法进一步包括：在含有所述第一存储器单元的第一存储器单元区段的预充电操作期间锁存所述第一存储器单元区段的区段地址；及在所述第一存储器单元区段的所述预充电操作期间激活含有所述第二存储器单元的第二存储器单元区段。8.根据权利要求1所述的方法，其中识别用于激活所述第二存储器单元的所述时序包括：识别将在所述第一存储器单元的存取过程期间执行激活所述第二存储器单元，且其中所述方法进一步包括：将含有所述第一存储器单元的第一存储器单元区段的第一区段地址及含有所述第二存储器单元的第二存储器单元区段的第二区段地址提供到与每一存储器单元区段相关联
的地址解码器；在与所述第一存储器单元区段相关联的所述地址解码器处在所述第一区段地址与后面的所述第二区段地址之间多路复用，且在与所述第二存储器单元区段相关联的所述地址解码器处在所述第二区段地址与后面的所述第一区段地址之间多路复用；及在所述第一存储器单元区段的预充电操作期间至少部分地基于所述多路复用而激活含有所述第二存储器单元的所述第二存储器单元区段。9.根据权利要求1所述的方法，其中识别将要激活的所述第一存储器单元及所述第二存储器单元包括：至少部分地基于所述第一存储器单元的第一地址而选择所述第二存储器单元的第二地址以提供所述第二存储器单元的位置，所述第二存储器单元独立于除所述第一存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：