一种PAD加厚层双层正胶光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，固定基板；在基板的上表面均匀涂抹第一层正性光刻胶；在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并对透明石英掩模进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；在第一层正胶光刻胶的顶部均匀涂抹第二层正性光刻胶；在第二层正胶光刻胶的上方设置使用图形石英掩模，并进行曝光，曝光完成后，取下图形石英掩模，得到双层正胶的基板，对基板进行显影，此时PAD图形已转移到基板上；再对基板进行金属镀膜，本方法，工艺稳定，可以代替负胶功能，弥补负胶厚度不足因素，剥离后加厚层侧壁毛边少，去胶溶剂易进入光刻胶的底部，更利于光刻胶剥离。更利于光刻胶剥离。更利于光刻胶剥离。

【技术实现步骤摘要】
一种PAD加厚层双层正胶光刻方法


[0001]本专利技术涉及光刻
，具体为一种PAD加厚层双层正胶光刻方法。

技术介绍

[0002]光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
[0003]目前晶圆表面在光刻时，多数采用单层正胶和负胶的工艺，进行金属镀膜，而在后续去胶过程中，难以快速将胶进行剥离，致使金属镀膜出现毛边现象，影响芯片制作完成后的质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，S1、固定基板；S2、在基板的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶；S3、在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并通过透明石英掩模对基板进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；S4、在第一层正胶光刻胶的顶部均匀涂抹第二层正胶光刻胶；S5、在第二层正胶光刻胶的上方设置图形石英掩模，并通过图形石英掩模对基板再次进行曝光，对第二层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模，对基板进行显影，得到双层正胶的基板；S6、对S5中的基板进行金属镀膜。
[0006]优选的，所述基板采用LN晶体制成。
[0007]优选的，所述基板采用LT晶体制成。
[0008]优选的，所述基板采用Si晶体制成。
[0009]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本PAD加厚层双层正胶镀膜方法，工艺稳定，可以代替负胶功能，弥补负胶厚度不足因素，剥离后加厚层侧壁毛边少，去胶溶剂易进入光刻胶的底部，更利于光刻胶剥离。
附图说明
[0010]图1为本专利技术第一层正胶光刻胶曝光时的结构示意图；图2为本专利技术第二层正胶光刻胶曝光时的结构示意图；图3为本专利技术第一层正胶光刻胶和第二层正胶光刻胶曝光后整体的结构示意图；
图4为本专利技术第一层正胶光刻胶和第二层正胶光刻胶曝光后整体金属镀膜的结构示意图；图5为本专利技术第一层正胶光刻胶和第二层正胶光刻胶剥离后的结构示意图；图6为本专利技术对照组2负胶金属镀膜后的结构示意图；图7为本专利技术对照组1单层正胶剥离后金属镀膜显微镜下的放大图；图8为本专利技术第一层正胶光刻胶和第二层正胶光刻胶剥离后金属镀膜显微镜下的放大图；图9为本专利技术对照组2负胶剥离后金属镀膜显微镜下的放大图。
[0011]图中：1、基板；2、第一层正胶光刻胶；3
‑
1、透明石英掩模；3
‑
2、图形石英掩膜；4、第二层正胶光刻胶；5、金属镀膜。
具体实施方式
[0012]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0013]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0014]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0015]实施例1如图1至图3所示，本实施例PAD加厚层双层正胶光刻方法，一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、固定LN晶体制成的基板1；S2、在基板1的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶2；S3、在第一层正胶光刻胶2的上方设置透明石英掩模3
‑
1，并通过透明石英掩模3
‑
1对基板1进行曝光，对第一层正胶光刻胶2进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模3
‑
1；S4、在第一层正胶光刻胶2的顶部均匀涂抹第二层正胶光刻胶4；S5、在第二层正胶光刻胶4的上方设置图形透明石英掩膜3
‑
2，并通过图形石英掩模3
‑
2对基板1进行曝光，对第二层正胶光刻胶4进行光刻，光刻完成后，取下图形石英掩模3
‑
2；对基板1进行显影。
[0016]S6、对S5中的基板1进行金属镀膜5。
[0017]实施例2
如图1至图3所示，本实施例PAD加厚层双层正胶光刻方法，一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，S1、固定采用LT晶体制成的基板1；S2、在基板1的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶2；S3、在第一层正胶光刻胶2的上方设置透明石英掩模3
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1，并通过透明石英掩模3
‑
1对基板1进行曝光，对第一层正胶光刻胶2进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模3
‑
1；S4、在第一层正胶光刻胶2的顶部均匀涂抹第二层正胶光刻胶4；S5、在第二层正胶光刻胶4的上方设置图形石英掩模3
‑
2，并通过图形石英掩模3
‑
2对基板1进行曝光，对第二层正胶光刻胶4进行光刻，光刻完成后，取下图形石英掩模3
‑
2；对基板1进行显影。
[0018]S6、对S5中的基板1进行金属镀膜5。
[0019]实施例3如图1至图3所示，本实施例PAD加厚层双层正胶光刻方法，一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，S1、固定采用Si晶体制成的基板1；S2、在基板1的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶2；S3、在第一层正胶光刻胶2的上方设置透明石英掩模3
‑
1，并通过透明石英掩模3
‑
1对基板1进行曝光，对第一层正胶光刻胶2进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模3
‑
1；对基板1进行显影。
[0020]S4、在第一层正胶光刻胶2的顶部均匀涂抹第二层正胶光刻胶4；S5、在第二层正胶光刻胶4的上方设置图形石英掩模3，并通过图形石英掩模3
‑
2对基板1进行曝光，对第二层正胶光刻胶4进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模3
‑
2；对基板1进行显影S6、对S5中的基板1进行金属镀膜5。
[0021]钽酸锂(LiTaO3,简称LT)和铌酸锂(LiNbO3,简称LN)晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PAD加厚层双层正胶镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、固定基板（1）；S2、在基板（1）的上表面均匀涂抹第一层正胶光刻胶（2）；S3、在第一层正胶光刻胶（2）的上方设置透明石英掩模（3
‑
1），并通过透明石英掩模（3
‑
1）对基板进行曝光，对第一层正胶光刻胶（2）进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模（3
‑
1）；S4、在第一层正胶光刻胶（2）的顶部均匀涂抹第二层正胶光刻胶（4）；S5、在第二层正胶光刻胶（4）的上方设置图形石英掩模（3
‑
2），并通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩旭，
申请(专利权)人：王浩旭，
类型：发明
国别省市：