一种多平面吸嘴制造技术

本发明专利技术公开了一种多平面吸嘴，涉及半导体器件封装技术领域。用以解决现有堆叠式芯片在吸取过程中，因吸嘴存在无法与堆叠式芯片中的其他平面接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致无法正常拾取的问题。包括：多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排至少设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成第一台阶。接触处形成第一台阶。接触处形成第一台阶。

【技术实现步骤摘要】
一种多平面吸嘴


[0001]本专利技术涉及半导体器件封装
，更具体的涉及一种多平面吸嘴。

技术介绍

[0002]一般的功率半导体封装是将来自前道工艺的晶圆通过划片工艺之后，会切割为小的芯片(Die)，然后将单独的芯片通过焊料、焊膏、高导热银浆等粘片材料，在粘片设备上将芯片使用焊头粘接在框架载体上，再利用金属导线将芯片焊盘与相应的框架引脚进行相连，构成符合要求的电路，然后对其使用塑料外壳或陶瓷外壳进行封装保护，再经过固化、锡化、切筋等工艺完成封装。
[0003]现有技术中，如图1、图2和图3所示，普通的粘片工艺是通过粘片设备包括的带有吸嘴气流通孔102的普通吸嘴101将单颗芯片30拾取成功。其中，粘片设备和普通吸嘴101之间还包括有焊头、吸嘴气流通孔102和钢嘴，具体地，焊头上设置有吸嘴气流通孔102，普通吸嘴101设置在钢嘴上。随着封装技术的不断扩展，堆叠式芯片应运而生，由于堆叠式芯片可能会处于不同的平面，而普通吸嘴只包括一个平面，在吸取芯片时，其吸嘴只能与堆叠式芯片中的一个面接触，从而存在普通吸嘴与堆叠式芯片中的其他平面不能接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致无法正常拾取的问题。
[0004]综上所述，现有堆叠式芯片在吸取过程中，因吸嘴存在无法与堆叠式芯片中的其他平面接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致无法正常拾取的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种多平面吸嘴置，用以解决现有堆叠式芯片在吸取过程中，因吸嘴存在无法与堆叠式芯片中的其他平面接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致无法正常拾取的问题。
[0006]本专利技术实施例提供一种多平面吸嘴，包括：
[0007]多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排至少设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；
[0008]所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；
[0009]所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成第一台阶。
[0010]优选地，所述第一气流通孔和所述第二气流通孔的横截面均为圆形；
[0011]第一气流通孔的直径大于第二气流通孔的直径；或者
[0012]第一气流通孔的直径小于等于第二气流通孔的直径。
[0013]优选地，所述第一气流通孔和所述第二气流通孔的横截面形状一致，且均为矩形。
[0014]优选地，所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成的第一台阶的角度为90度。
[0015]优选地，所述第一吸附平面和所述第二吸附平面的面积与待吸附堆叠式芯片的面积相匹配；
[0016]所述第一吸附平面的面积大于所述第二吸附平面的面积；或者
[0017]所述第一吸附平面的面积小于等于所述第二吸附平面的面积；或者
[0018]所述第一吸附平面的面积等于所述第二吸附平面的面积。
[0019]优选地，所述第一台阶的高度与待吸附堆叠式芯片的高度差相匹配。
[0020]优选地，还包括第三气流通孔，所述多面安装孔向所述第三气流通孔通入气体；
[0021]所述第三气流通孔延伸至第三吸附平面，所述第三吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；或者小于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；或者大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距且小于第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；
[0022]所述第三吸附平面和所述第一吸附平面相接触处形成第二台阶，或者第三吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成第二台阶。
[0023]本专利技术实施例提供一种多平面吸嘴，包括：多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成台阶。本专利技术实施例提供的多平面吸嘴，其与待吸附的堆叠式芯片包括的多个平面，都可以相接触，且每个吸附平面都对应设置一个气流通孔，即每个吸附平面都可以与待吸附的堆叠式芯片相接触，且不存在漏气或者接触面积较小的问题，从而解决了现有普通吸嘴针对具有不同平面的堆叠式芯片在吸附过程中，存在因漏气或者接触面积比较小而无法正常拾取的问题。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术提供的普通吸嘴结构示意图；
[0026]图2为现有技术提供的普通吸嘴仰视结构示意图；
[0027]图3为现有技术提供的普通吸嘴使用状态示意图；
[0028]图4为本专利技术实施例提供的一种多用平面吸嘴结构示意图；
[0029]图5为本专利技术实施例提供的一种多用平面吸嘴仰视结构示意图；
[0030]图6为本专利技术实施例提供的一直多用平面吸嘴使用状态示意图。
[0031]其中，101～普通吸嘴，102～吸嘴气流通孔，30～单颗芯片，201～第一吸附平面，202～第二吸附平面，203～第一气流通孔，204～第二气流通孔，205～多面安装孔，206～第一台阶，401～堆叠式芯片第一平面，402～堆叠式芯片第二平面。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]图4为本专利技术实施例提供的一种多用平面吸嘴结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种多用平面吸嘴仰视结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种用平面吸嘴使用状态示意图。以下结合图4～图6为例，详细介绍本专利技术实施例提供的多平面吸嘴。
[0034]本专利技术实施例提供的多平面吸嘴主要包括多面安装孔205，第一气流通孔203，第二气流通孔204，第一吸附平面201，第二吸附平面202和第一台阶206。具体地，多面安装孔205，其上端固定在粘片设备上，用于和粘片设备进行固定；其下端并排至少设置有两个气流通孔，分布为第一气流通孔203和第二气流通孔204。在本专利技术实施例中，多面安装孔205有两个作用，其一，用于与粘片设备进行固定，其二，用于向气流通孔通入气体。
[0035]进一步地，第一气流通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多平面吸嘴，其特征在于，包括：多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排至少设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成第一台阶。2.如权利要求1所述的多平面吸嘴，其特征在于，所述第一气流通孔和所述第二气流通孔的横截面均为圆形；第一气流通孔的直径大于第二气流通孔的直径；或者第一气流通孔的直径小于等于第二气流通孔的直径。3.如权利要求1所述的多平面吸嘴，其特征在于，所述第一气流通孔和所述第二气流通孔的横截面形状一致，且均为矩形。4.如权利要求1所述的多平面吸嘴，其特征在于，所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成的第一台阶的角度为90度。5.如权利要求1所述的多平面吸嘴，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏明，闵卫涛，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：