一种晶体振荡器制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种晶体振荡器，包括：双晶体振荡电路；低噪声放大电路，低噪声放大电路与双晶体振荡电路连接；低噪声放大电路用于接收双晶体振荡电路输出的频率信号，并对频率信号进行降噪；其中，低噪声放大电路包括多个并联连接的低噪声放大器。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案通过使用双晶体串联谐振后，通过低噪声放大器的多路并联放大，对频率信号进行降噪，提高了晶体振荡器的品质因素Q值，有效提高了振荡器的噪声系数，在较小的工作电压状态下，满足对相位噪声及输出幅度的使用要求。用要求。用要求。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体振荡器


[0001]本技术实施例涉及晶振
，尤其涉及一种晶体振荡器。

技术介绍

[0002]时钟信号是具有固定频率的信号，是时序逻辑的基础，可以决定逻辑单元中的状态何时更新，因此数字信号必须在时钟信号的控制下才能进行精确地运算。一般地，时钟信号由振荡器产生。振荡器按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器等。
[0003]晶体振荡器因为具有高精度和高稳定度的性能，被广泛应用于通信网络、无线数据传输、高速数字数据传输等
但是，随着对晶体振荡器的相位噪声及输出幅度的要求越来越高，目前现有低压恒温晶振的相位噪声和输出幅度在较小的工作电压状态下满足不了部分客户使用要求。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供了一种晶体振荡器，以降低相位噪声恶化，有效提高噪声系数，同时达到高幅度输出。
[0005]本技术实施例提供了一种晶体振荡器，包括：
[0006]双晶体振荡电路；
[0007]低噪声放大电路，所述低噪声放大电路与所述双晶体振荡电路连接；所述低噪声放大电路用于接收所述双晶体振荡电路输出的频率信号，并对所述频率信号进行降噪；其中，所述低噪声放大电路包括多个并联连接的低噪声放大器。
[0008]可选的，所述晶体振荡器还包括：频率输出接口；每个低噪声放大器包括信号输入端和信号输出端；每个低噪声放大器的信号输入端均与所述双晶体振荡电路连接；每个低噪声放大器的信号输出端均与所述频率输出接口连接。
[0009]可选的，所述双晶体振荡电路包括第一晶体和第二晶体；所述第一晶体和所述第二晶体串联连接。
[0010]可选的，所述低噪声放大电路中包括四个并联连接的低噪声放大器。
[0011]可选的，所述低噪声放大器包括：
[0012]第一放大单元和第二放单单元；所述信号输入端包括第一信号输入端和第二信号输入端；所述信号输出端包括第一信号输出端和第二信号输出端；
[0013]其中，所述第一信号输入端作为所述第一放大单元的信号输入端，所述第二信号输入端作为所述第二放大单元的信号输入端；所述第一信号输出端作为所述第一放大单元的信号输出端，所述第二信号输出端作为所述第二放大单元的信号输出端。
[0014]可选的，所述低噪声放大器还包括第一电源信号输入端和第二信号输入端，所述第一电源信号输入端输入工作电压，所述第二电源信号输入端接地；所述第一放大单元和所述第二放单单元均与所述第一电源信号输入端和所述第二信号输入端连接。
[0015]可选的，降噪后所述频率信号的相位噪声范围包括
‑
70dBc/Hz～
‑
190dBc/Hz，输出
幅度大于或等于20dBm。
[0016]可选的，所述晶体振荡器还包括：控温单元，所述控温单元用于为所述双晶体振荡电路提供预设的工作环境温度。
[0017]可选的，所述控温单元包括温控电路和恒温槽，所述双晶体振荡电路放置于所述恒温槽内，所述控温控制电路包括加热管以及由第一电阻、第二电阻、第三电阻和热敏电阻组成的热敏电阻电桥；当所述恒温槽内的温度加热到预设温度时，所述热敏电阻电桥用于输出平衡电压给所述加热管，以使所述加热管产生的热能弥补所述恒温槽损耗的热能。
[0018]可选的，所述晶体的等效电路包括静态电容、动态电容、动态电感和动态电阻；其中动态电容的第二端与所述动态电感的第一端连接，所述动态电感的第二端和所述动态电阻的第一端连接；所述静态电容的第一端与所述动态电容的第一端连接，所述静态电容的第二端与所述动态电阻的第二端连接。
[0019]本技术实施例提供了一种晶体振荡器，包括：双晶体振荡电路；低噪声放大电路，低噪声放大电路与双晶体振荡电路连接；低噪声放大电路用于接收双晶体振荡电路输出的频率信号，并对频率信号进行降噪；其中，低噪声放大电路包括多个并联连接的低噪声放大器。本技术实施例提供的技术方案通过使用双晶体串联谐振后，进行低噪声放大器的多路并联放大，对频率信号进行降噪，提高了晶体振荡器的品质因素Q值，有效提高了振荡器的噪声系数，在较小的工作电压状态下，满足对相位噪声及输出幅度的使用要求。
附图说明
[0020]图1是本技术实施例提供的一种晶体振荡器的结构示意图；
[0021]图2是本技术实施例提供的一种晶体的等效电路图；
[0022]图3是现有技术中提供的一种噪声测试图；
[0023]图4是本技术实施例提供的一种噪声测试图；
[0024]图5是本技术实施例提供的一种低噪声放大电路的电路图；
[0025]图6是本技术实施例提供的一种恒温槽控温电路的电路图。
具体实施方式
[0026]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0027]本技术实施例提供了一种晶体振荡器，图1是本技术实施例提供的一种晶体振荡器的结构示意图，参考图1，晶体振荡器100包括：
[0028]双晶体振荡电路10；
[0029]低噪声放大电路20，低噪声放大电路20与双晶体振荡电路10连接；低噪声放大电路20用于接收双晶体振荡电路10输出的频率信号，并对频率信号进行降噪；其中，低噪声放大电路20包括多个并联连接的低噪声放大器21。
[0030]具体的，晶体振荡器100是一种能量转换装置。它的能量来源是振荡器的直流供电电源。经过振荡器转换后，此直流能量转换为一定频率、一定幅度和一定波形的交流能量输出，这种电能的“转换”过程被称作“振荡”。振荡器的作用是产生特定的输出信号，因此也常
常被称为信号发生器。
[0031]双晶体振荡电路10产生的频率信号是具有一定频率、一定幅度和一定波形的电信号。双晶体振荡电路10中包括两个晶体。晶体是晶体振荡器100的核心元器件，由石英晶体片、电极、支架及其他输助装置组成，是利用石英晶体的压电效应原理制成的电、机械振荡系统。它的噪声水平决定了晶振近端相位噪声能达到的最好水平，即直接影响晶体振荡器100的技术指标。把直流电能转变成具有一定频率、一定幅度的交流电能，在这种转换中最突出的问题就是频率的稳定性。
[0032]低噪声放大电路20与双晶体振荡电路10连接；低噪声放大电路20用于接收双晶体振荡电路10输出的频率信号，并对频率信号进行降噪；其中，低噪声放大电路20包括多个并联连接的低噪声放大器21。电噪声是引起振荡器频率(相位)随机抖动的根本原因。相位噪声通常是表征频率短期稳定度的重要指标，亦即信号频率变化的大小的表现。如果没有相位噪声，振荡器的整个功率都应集中在中心频率(主频率)处。但相位噪声的出现将振荡器的一部分功率扩展到相邻的频率中去，产生了边带(sideband)。相位噪声为在某一给定偏移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：双晶体振荡电路；低噪声放大电路，所述低噪声放大电路与所述双晶体振荡电路连接；所述低噪声放大电路用于接收所述双晶体振荡电路输出的频率信号，并对所述频率信号进行降噪；其中，所述低噪声放大电路包括多个并联连接的低噪声放大器。2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括频率输出接口；每个低噪声放大器包括信号输入端和信号输出端；每个低噪声放大器的信号输入端均与所述双晶体振荡电路连接；每个低噪声放大器的信号输出端均与所述频率输出接口连接。3.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述双晶体振荡电路包括第一晶体和第二晶体；所述第一晶体和所述第二晶体串联连接。4.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述低噪声放大电路中包括四个并联连接的低噪声放大器。5.根据权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述低噪声放大器包括：第一放大单元和第二放大单元；所述信号输入端包括第一信号输入端和第二信号输入端；所述信号输出端包括第一信号输出端和第二信号输出端；其中，所述第一信号输入端作为所述第一放大单元的信号输入端，所述第二信号输入端作为所述第二放大单元的信号输入端；所述第一信号输出端作为所述第一放大单元的信号输出端，所述第二信号输出端作为所述第二放大单元的信号输出端。6.根据权利要求5所述的晶体振荡器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵梓傧，薛代彬，林楠，杜炎凯，
申请(专利权)人：上海鸿晔电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：