本发明专利技术提供了一种半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统，其中，半导体器件至少包括第一半导体结构和第二半导体结构，其中，第一半导体结构和第二半导体结构之间具有键合界面，半导体器件还包括多条链结构，多条链结构至少包括第一链结构和第二链结构，第一链结构和第二链结构各独立设置于第一半导体结构和第二半导体结构内，且各穿过键合界面，本发明专利技术通过在半导体器件中设置穿过键合界面且相互独立的第一链结构和第二链结构，可以检测出半导体器件的键合界面是否有断路以及是否有短路的情况，提高了对半导体器件进行电学测量的全面性。测量的全面性。测量的全面性。
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统
[0001]本专利技术总体上涉及半导体
，具体的，涉及一种半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统。
技术介绍
[0002]通常，在将3D NAND闪存存储器(3D NAND Flash)出厂前，会先对其进行一系列的电学测量，以保证存储器工作时的可靠性，基于此，如何提高对存储器进行电学测量的全面性，是目前需要解决的问题。
技术实现思路
[0003]为了解决上述问题或其他问题，本专利技术提供了以下技术方案。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种半导体器件，所述半导体器件至少包括第一半导体结构和第二半导体结构，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间具有键合界面，所述半导体器件还包括：
[0005]多条链结构，所述多条链结构至少包括第一链结构和第二链结构，所述第一链结构和所述第二链结构各独立设置于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构内，且各穿过所述键合界面。
[0006]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述第一链结构和所述第二链结构各具有第一端和第二端，其中：
[0007]各所述第一端与对应的第一焊盘耦接，各所述第二端与对应的第二焊盘耦接，所述第一端和所述第二端的其中之一被配置为通过所述第一焊盘或所述第二焊盘而被施加测试电压，所述第一端和所述第二端的其中另一被配置为通过所述第一焊盘或所述第二焊盘而供检测所述测试电压。
[0008]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述半导体器件具有边缘，所述第一链结构和所述第二链结构靠近所述边缘设置。
[0009]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述第一链结构环绕所述第二链结构设置。
[0010]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述第一链结构和所述第二链结构各包括：
[0011]间隔设置于所述第一半导体结构中的多个第一连接结构和多个第一键合结构，其中，所述第一连接结构连接相邻的所述第一键合结构；以及，
[0012]间隔设置于所述第二半导体结构中的多个第二连接结构和多个第二键合结构，其中，所述第二连接结构连接相邻的所述第二键合结构，且所述多个第一键合结构和所述多个第二键合结构在所述键合界面键合连接。
[0013]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述半导体器件具有边缘，所述边缘包括多个侧边，邻近同一所述侧边的所述第一连接结构和所述第二连接结构分别具有第一延伸方向和第二延伸方向，所述第一延伸方向与所述第二延伸方向之间具有夹角。
[0014]根据本专利技术一实施例的半导体器件，相邻两个所述第一连接结构交替位于所述第
一链结构和所述第二链结构中，相邻两个所述第二连接结构交替位于所述第一链结构和所述第二链结构中，且所述第一链结构与所述第二链结构在所述半导体器件的厚度方向上交互错位地位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中，而使所述第一链结构在平行于所述键合界面的方向上与所述第二链结构交错延伸。
[0015]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述半导体器件具有边缘，所述边缘包括多个侧边，邻近同一所述侧边的所述第一连接结构和所述第二连接结构沿同一方向延伸。
[0016]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述第一半导体结构包括第一键合层，所述第二半导体结构包括与所述第一键合层在所述键合界面键合连接的第二键合层，所述多个第一连接结构和所述多个第一键合结构位于所述第一键合层中，和/或，所述多个第二连接结构和所述多个第二键合结构位于所述第二键合层中。
[0017]根据本专利技术一实施例的半导体器件，所述第一半导体结构包括第一键合层，所述第二半导体结构包括与所述第一键合层在所述键合界面键合连接的第二键合层，所述多个第一键合结构位于所述第一键合层中，所述多个第一连接结构位于与所述第一键合层相邻近的膜层中，所述多个第二键合结构位于所述第二键合层中，所述多个第二连接结构位于与所述第二键合层相邻近的膜层中。
[0018]第二方面，本专利技术提供了一种半导体器件的测试方法，所述测试方法包括：
[0019]提供如上述任一项所述的半导体器件，所述第一链结构和所述第二链结构各具有第一端和第二端；
[0020]向所述第一链结构的所述第一端或所述第二端施加所述测试电压，并在所述第二链结构的所述第一端或所述第二端检测所述测试电压。
[0021]根据本专利技术一实施例的测试方法，在所述向所述第一链结构的所述第一端或所述第二端施加所述测试电压，并在所述第二链结构的所述第一端或所述第二端检测所述测试电压的步骤之后，还包括：
[0022]获取所述第一链结构和所述第二链结构之间的第一电阻值。
[0023]根据本专利技术一实施例的测试方法，所述测试方法还包括：
[0024]向所述第一链结构或所述第二链结构的所述第一端施加所述测试电压，并在所述第一链结构或所述第二链结构的所述第二端检测所述测试电压；
[0025]获取所述第一链结构或所述第二链结构的所述第一端和所述第二端之间的第二电阻值。
[0026]第三方面，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，所述制备方法包括：
[0027]在第一半导体结构中间隔形成多个第一连接结构和多个第一键合结构，所述第一连接结构连接相邻的所述第一键合结构；
[0028]在第二半导体结构中间隔形成多个第二连接结构和多个第二键合结构，所述第二连接结构连接相邻的所述第二键合结构；
[0029]通过所述多个第一键合结构和所述多个第二键合结构，使所述第一半导体结构和所述第二半导体结构键合连接，并形成键合界面；
[0030]其中，所述多个第一连接结构、所述多个第一键合结构、所述多个第二连接结构和所述多个第二键合结构构成多条链结构，所述多条链结构各独立设置于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构内，且各穿过所述键合界面。
[0031]第四方面，本专利技术提供了一种存储系统，包括：
[0032]存储器，包括如上述任一项所述的半导体器件；以及，
[0033]控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用以控制所述存储器。
[0034]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统，其中，半导体器件至少包括第一半导体结构和第二半导体结构，其中，第一半导体结构和第二半导体结构之间具有键合界面，半导体器件还包括多条链结构，多条链结构至少包括第一链结构和第二链结构，第一链结构和第二链结构各独立设置于第一半导体结构和第二半导体结构内，且各穿过键合界面，本专利技术通过在半导体器件中设置穿过键合界面且相互独立的第一链结构和第二链结构，可以检测出半导体器件的键合界面是否有断路以及是否有短路的情况，提高了对半导体器件进行电学测量的全面性。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对根据本专利技术而成的各实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件至少包括第一半导体结构和第二半导体结构，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间具有键合界面，所述半导体器件还包括：多条链结构，所述多条链结构至少包括第一链结构和第二链结构，所述第一链结构和所述第二链结构各独立设置于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构内，且各穿过所述键合界面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一链结构和所述第二链结构各具有第一端和第二端，其中：各所述第一端与对应的第一焊盘耦接，各所述第二端与对应的第二焊盘耦接，所述第一端和所述第二端的其中之一被配置为通过所述第一焊盘或所述第二焊盘而被施加测试电压，所述第一端和所述第二端的其中另一被配置为通过所述第一焊盘或所述第二焊盘而供检测所述测试电压。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有边缘，所述第一链结构和所述第二链结构靠近所述边缘设置。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一链结构环绕所述第二链结构设置。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一链结构和所述第二链结构各包括：间隔设置于所述第一半导体结构中的多个第一连接结构和多个第一键合结构，其中，所述第一连接结构连接相邻的所述第一键合结构；以及，间隔设置于所述第二半导体结构中的多个第二连接结构和多个第二键合结构，其中，所述第二连接结构连接相邻的所述第二键合结构，且所述多个第一键合结构和所述多个第二键合结构在所述键合界面键合连接。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有边缘，所述边缘包括多个侧边，邻近同一所述侧边的所述第一连接结构和所述第二连接结构分别具有第一延伸方向和第二延伸方向，所述第一延伸方向与所述第二延伸方向之间具有夹角。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述第一连接结构交替位于所述第一链结构和所述第二链结构中，相邻两个所述第二连接结构交替位于所述第一链结构和所述第二链结构中，且所述第一链结构与所述第二链结构在所述半导体器件的厚度方向上交互错位地位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中，而使所述第一链结构在平行于所述键合界面的方向上与所述第二链结构交错延伸。8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有边缘，所述边缘包括多个侧边，邻近同一所述侧边的所述第一连接结构和所述第二连接结构沿同一方向延伸。9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构包括第一键...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄开谨，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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