显示装置和对显示装置沙粒Mura的检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了显示装置和对显示装置沙粒Mura的检测方法。该显示装置包括在非显示区包括多条沿第一方向延伸的栅信号线和多条沿第二方向延伸的数据信号线，在所述栅信号线和所述数据信号线相交处设置有放电块，所述放电块与栅信号线电连接。由此，放电块的设置可以将显示装置制作过程中以及点亮测试的过程中产生的静电释放，增加静电进入显示区之前的放电途径，减少电荷(charge)聚集，从而减少静电(ESD)对显示装置的沙粒Mura的不良现象，提高显示装置的显示质量；而且放电块与栅信号线电连接，相比与其他信号线电连接，可以更好的将静电释放。静电释放。静电释放。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和对显示装置沙粒Mura的检测方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体的涉及显示装置和对显示装置沙粒Mura的检测方法。

技术介绍

[0002]Oxide(金属氧化物材料)电子产品(显示装置中薄膜晶体管中的有源层为金属氧化物材料，比如为IGZO)因为电子迁移速率快，显示面板内部易出现电荷聚集残留，对静电的反应更为敏感，Oxide电子产品相比与A
‑
si电子产品，阵列基板(Array)多了Oxide膜层，比如IGZO膜层，在IGZO成膜后，因线体设备的静电释放(ESD)无法完全消除，在显示面板的切割(Panel cutting)及slimming生产过程，显示面板内部因设备生产过程中ESD也会导致电荷聚集等Charge(电荷)Mura现象(因TFT Oxide产品，在生产过程ESD及测试(Test)过程中内部电荷聚集，表现为垂直Block、水平Block、二三分屏等可见Mura不良，统称Charge Mura)，进而导致显示面板显示画面时会产生沙粒Mura(TFT开关异常导致的TFT均一性问题，在后段Test过程中出现显示亮点，且显示亮点数量随着Vgl(偏置电压)变更或信赖性时间增长恶化)。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种显示装置，该显示装置中静电的到有效的释放，可以有效的改善显示装置沙粒Mura的不良现象。
[0004]在本专利技术的一方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括在非显示区包括多条沿第一方向延伸的栅信号线和多条沿第二方向延伸的数据信号线，在所述栅信号线和所述数据信号线相交处设置有放电块，所述放电块与栅信号线电连接。由此，放电块的设置可以将显示装置制作过程中以及点亮测试的过程中产生的静电释放，增加静电进入显示区之前的放电途径，减少电荷(charge)聚集，从而减少静电(ESD)对显示装置的沙粒Mura的不良现象，提高显示装置的显示质量；而且放电块与栅信号线电连接，相比与其他信号线电连接，可以更好的将静电释放。
[0005]根据本专利技术的实施例，显示装置还包括位于非显示区的多个TFT，每个所述TFT对应设置一个所述放电块。
[0006]根据本专利技术的实施例，所述栅信号线具有突起部，所述突起部与所述放电块电连接。
[0007]根据本专利技术的实施例，所述放电块与所述数据信号线同层设置。
[0008]根据本专利技术的实施例，所述数据信号线与所述TFT之间的最小间距大于等于60微米，和/或所述栅信号线与所述TFT之间的最小间距大于等于60微米。
[0009]根据本专利技术的实施例，至少一条的所述栅信号线断开设置。
[0010]在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种对前面所述的显示装置沙粒Mura的检测
方法。根据本专利技术的实施例，所述显示装置的制作过程中包括：S100：提供显示面板，并对所述显示面板进行第一次点亮测试；S200：在所述显示面板的上表面和下表明分别设置偏光片；S300：在所述显示面板上绑定驱动芯片；S400：对绑定所述驱动芯片后的产品进行第二次点亮测试；S500：对进行了所述第二次点亮测试后的产品进行组装，之后并进行高温烘烤，所述检测方法包括：对步骤S100至S500的每一步骤后获得的产品进行偏置电压测试。由此，在上述S11至S500的显示装置的模组工艺(MDL)步骤中可以随时检测上述五个工艺步骤是否对显示装置内部产生的静电，以及该静电是否对显示装置造成了沙粒Mura的不良现象，以便可以及时的采取一定的措施将ESD释放，以保证显示装置的制作良率。
[0011]根据本专利技术的实施例，在进行所述偏置电压测试之前，预先对步骤S100至S500中的每一步骤获得的产品进行ESD测试。
[0012]根据本专利技术的实施例，当根据所述ESD测试检测到所述产品内具有静电，将所述产品与ESD消除中和风枪连接，以便消除或减弱静电。
[0013]根据本专利技术的实施例，根据所述ESD测试，当进行所述第一次点亮测试和/或所述第二次点亮测试后的产品内具有静电，将所述产品与放电板电连接，以便消除或减弱静电。
[0014]根据本专利技术的实施例，所述高温烘烤的时间为1～2h。
[0015]根据本专利技术的实施例，对S100至S500每一步骤后得到的产品采用偏置电压测试的方法进行拦截。
[0016]根据本专利技术的实施例，在所述高温烘烤的过程中打开所述显示装置中的背光源。
附图说明
[0017]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0018]图1是本专利技术一个实施例中显示装置的结构示意图；
[0019]图2是本专利技术另一个实施例中显示装置的结构示意图；
[0020]图3是本专利技术又一个实施例中显示装置的结构示意图；
[0021]图4是本专利技术又一个实施例中显示装置的结构示意图；
[0022]图5是本专利技术又一个实施例中ESD对Vth曲线图的影响；
[0023]图6是本专利技术又一个实施例中ESD对Vth曲线图的影响；
[0024]图7是本专利技术又一个实施例中ESD对Ids的影响示意图；
[0025]图8是本专利技术又一个实施例中放电板的作用原理图；
[0026]图9是本专利技术又一个实施例中加放电板与未加放电板对CLK、STV、SW、VCOM、VDDE、VDDO以及Vgl等各种信号线的对比示意图；
[0027]图10是本专利技术又一个实施例中改善措施对Vth曲线的影响；
[0028]图11是本专利技术又一个实施例中施加不同Vgl对拦截效果的对比图；
[0029]图12是本专利技术又一个实施例中高温烘烤的时间对Vth曲线的影响；
[0030]图13是本专利技术又一个实施例中施加外灌电压对漏电的影响；
[0031]图14是本专利技术又一个实施例中施加外灌电压对漏电的影响。
具体实施方式
[0032]下面将结合实施例对本专利技术的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限定本专利技术的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
[0033]下面参考具体实施例，对本专利技术进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本专利技术。
[0034]在本专利技术的一方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，参照图1和图2(图2为图1中椭圆形框中的放大图)，该显示装置包括在非显示区包括多条沿第一方向X延伸的栅信号线200和多条沿第二方向Y延伸的数据信号线300，在栅信号线200和数据信号线300相交处设置有放电块100，放电块100与栅信号线200电连接。由此，放电块的设置可以将显示装置制作过程中以及点亮测试的过程中产生的静电释放，增加静电进入显示区之前的放电途径，减少电荷(char本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，在非显示区包括多条沿第一方向延伸的栅信号线和多条沿第二方向延伸的数据信号线，在所述栅信号线和所述数据信号线相交处设置有放电块，所述放电块与栅信号线电连接。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括位于非显示区的多个TFT，每个所述TFT对应设置一个所述放电块。3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述栅信号线具有突起部，所述突起部与所述放电块电连接。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述放电块与所述数据信号线同层设置。5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述数据信号线与所述TFT之间的最小间距大于等于60微米，和/或所述栅信号线与所述TFT之间的最小间距大于等于60微米。6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，至少一条的所述栅信号线断开设置。7.一种对权利要求1～6中任一项所述的显示装置沙粒Mura的检测方法，其特征在于，所述显示装置的制作过程中包括：S100：提供显示面板，并对所述显示面板进行第一次点亮测试；S200：在所述显示面板的上表面和下表明分别设置偏光片；S300：在所述显示面板上绑定驱动芯片；S40...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成，雷振华，黄正峰，陈建军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：