一种晶圆的切割方法技术

本申请属于晶圆切割加工技术领域，提出了一种晶圆的切割方法，能够有效解决传统晶圆切割方式易导致晶圆背面产生毛边和裂缝，对芯片的性能影响较大的问题。本申请提供的晶圆的切割方法中，该晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有多个芯片的电路结构，该方法包括在第一表面上，沿各个芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割晶圆；其中，预设切割厚度是根据芯片的目标厚度设置的；沿第二表面对所述晶圆进行减薄处理，直至晶圆的厚度与目标厚度一致，得到多个芯片。片。片。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的切割方法


[0001]本申请属于晶圆切割加工
，尤其涉及一种晶圆的切割方法。

技术介绍

[0002]晶圆也称作硅晶片，通过在晶圆表面设置芯片的电路结构(如晶体管等)，能够制造出芯片等电路元件。为了节约制造成本和提高制造效率，在大批量生产中往往在同一晶圆上设置多个(如500个)芯片的电路结构，然后再沿着各个相邻电路结构的间隙切割晶圆，即可基于同一个晶圆获得多个芯片。
[0003]目前，在切割晶圆的过程中，多采用水刀切割加工的方式进行切割分离。然而该种方法在切割处理时，通常是从晶圆上设置有芯片的电路结构的一面(即晶圆正面)切割至晶圆未设置有电路结构的一面(也即晶圆背面)，直至完全切断，从而分离基于该晶圆制造的各个芯片。然而，该种切割方式容易导致晶圆背面产生毛边和裂缝，对芯片的性能影响较大。也就是说，在该晶圆切割方式下，晶圆的切割品质不佳。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种晶圆的切割方法，以解决现有技术中传统晶圆切割方式易导致晶圆背面产生毛边和裂缝，对芯片的性能影响较大的问题。
[0005]本申请实施例提供了一种晶圆的切割方法，该晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有多个芯片的电路结构，该方法包括：在第一表面上，沿各个芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割晶圆；其中，预设切割厚度是根据芯片的目标厚度设置的；沿第二表面对晶圆进行减薄处理，直至晶圆的厚度与目标厚度一致，得到多个芯片。
[0006]在第一种可能实现方式中，在在第一表面上，沿各个芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割晶圆之后，在沿第二表面对晶圆进行减薄处理之前，该方法还包括：在第一表面上设置固定膜，固定膜用于固定第一表面上各个芯片的电路结构之间的相对位置关系。
[0007]在第二种可能实现方式中，固定膜包括保护胶膜。
[0008]在第三种可能实现方式中，在沿第二表面对晶圆进行减薄处理之后，该方法还包括：在第二表面上设置划片膜，划片膜用于固定多个芯片。
[0009]在第四种可能实现方式中，沿第二表面对晶圆进行减薄处理之后，该方法还包括：剥离第一表面上的固定膜。
[0010]在第五种可能实现方式中，剥离第一表面上的固定膜，包括：对第一表面上的保护胶膜进行解胶；解胶完成后，从第一表面上剥离保护胶膜。
[0011]在第六种可能实现方式中，沿第二表面对晶圆进行减薄处理，包括：沿第二表面，对晶圆进行研削；对研削完成后的第二表面进行抛光处理。
[0012]在第七种可能实现方式中，在沿第二表面对晶圆进行减薄处理，直至晶圆的厚度
与目标厚度一致，得到多个芯片之后，该方法还包括：对多个芯片进行质量检测。
[0013]在第八种可能实现方式中，预设切割厚度为0
‑
70微米。
[0014]在第九种可能实现方式中，预设切割厚度大于或等于多个芯片中每个芯片的厚度，且预设切割厚度小于晶圆厚度。
[0015]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本实施例中提供的晶圆的切割方法，通过首先对晶圆的第一表面按照预设切割厚度进行切割加工处理，然后对晶圆的第二表面进行减薄处理的方式，使晶圆上的电路结构分离，从而得到目标厚度的多个芯片。通过该种方法，可最大限度地抑制传统切割方法在从晶圆切割为芯片时产生的背面毛边、崩裂及晶圆破损的情况，能够在维持高抗折强度的同时，对晶圆实施超薄加工，从而能够生产出性能良好的目标芯片。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请实施例提供的待切割的晶圆的结构示意图；
[0018]图2是本申请实施例提供的一种晶圆切割方法流程示意图；
[0019]图3是本申请实施例提供的晶圆第一表面的俯视结构示意图；
[0020]图4是本申请实施例提供的对晶圆的第一表面进行切割加工的场景示意图；
[0021]图5是本申请实施例提供的对晶圆的第一表面粘贴保护胶膜的场景示意图；
[0022]图6是本申请实施例提供的对晶圆的第二表面进行减薄处理的场景示意图；
[0023]图7是本申请实施例提供的对晶圆的第二表面减薄处理的部分结构示意图；
[0024]图8是本申请实施例提供的减薄处理完成后晶圆结构的示意图；
[0025]图9是本申请实施例提供的粘贴划片膜后晶圆结构的示意图；
[0026]图10是本申请实施例提供的剥离保护胶膜后晶圆结构的示意图。
具体实施方式
[0027]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0028]以下结合具体的实施例对本申请提供的技术方案进行详细的解释说明。
[0029]晶圆的表面设置有多个(如500个)芯片的电路结构，在实际应用时，需要沿着晶圆表面各个相邻电路结构的间隙切割晶圆，从而获得多个芯片。
[0030]图1是本申请实施例提供的待切割的晶圆的结构示意图。参见图1所示，该晶圆包括相对设置的第一表面(也可称为正面)和第二表面(也可称为背面)。其中，第一表面上设置有多个芯片的电路结构(如晶体管等)，第二表面上沉积有衬底层，该衬底层包括低电介质(Low
‑
k)层、SiO2层、有机层等。
[0031]在晶圆的第二表面上，随着衬底层的不断增加，使得晶圆的厚度不断加大。然而集成电路芯片不断向高密度、轻薄的方向发展，因此，为了得到薄型化芯片，不仅需要对晶圆进行切割处理，还需要对晶圆进行减薄，其中薄型化芯片是指厚度小于70微米或厚度小于100微米的芯片。
[0032]传统技术中，为了得到薄型化的芯片，晶圆切割通常采用的方法是通过水刀切割加工对晶圆实行先减薄再切割的方式。具体包括：首先在平行于晶圆第二表面的方向上对晶圆做磨削处理，使得晶圆第二表面的衬底层减薄。然后在垂直于晶圆第一表面的方向上做切割处理，得到若干目标芯片。
[0033]然而上述切割方法中，在切割刀片从垂直于晶圆第一表面的方向上进行切割时，会延伸至晶圆的另一面，也就是第二表面，直至完全切断。然而，该种切割方式在刀片从第一表面切割延伸至第二表面时，容易造成晶圆第二表面的毛边和裂缝，该毛边和裂缝的产生会损伤晶圆第一表面上的电路结构，对切割成品目标芯片的性能影响较大，从而影响晶圆的切割品质。例如，毛边和裂缝会直接影响芯片的强度以及芯片的属性性能，比如若目标芯片为存储芯片，则可能导致芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的切割方法，所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有多个芯片的电路结构，其特征在于，所述方法包括：在所述第一表面上，沿各个所述芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割所述晶圆；其中，所述预设切割厚度是根据芯片的目标厚度设置的；沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理，直至所述晶圆的厚度与所述目标厚度一致，得到所述多个芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在所述第一表面上，沿各个所述芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割所述晶圆之后，在所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理之前，所述方法还包括：在所述第一表面上设置固定膜，所述固定膜用于固定所述第一表面上各个所述芯片的电路结构之间的相对位置关系。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述固定膜包括保护胶膜。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理之后，所述方法还包括：在所述第二表面上设置划片膜，所述划片膜用于固定所述多个芯片。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖辰辰，李天文，栗伟斌，王英广，李安平，
申请(专利权)人：深圳米飞泰克科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：