一体式T型低辐射低干扰高频熔接机制造技术

本实用新型专利技术公开了一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，包括工作台，所述工作台上设置有熔接装置，所述熔接装置上设置有电脑箱，所述电脑箱呈倒“U”型，所述电脑箱内设置有高频输出电容组件，所述工作台两侧设置有低频电箱罩和高频率发生器电箱，所述低频电箱罩内设置有电压调节器，所述高频率发生器电箱内设置有高频发生器，所述电压调节器和高频发生器均与高频输出电容组件通过防辐射高压电线连接。本实用新型专利技术占地面积小，方便运输，节约了运输成本和场地成本，且高频回路短，机器在使用过程中很稳定，降低辐射对工作人员的影响，提高工作人员的健康状况，且具备节能省电的优点。且具备节能省电的优点。且具备节能省电的优点。

【技术实现步骤摘要】
一体式T型低辐射低干扰高频熔接机


[0001]本技术涉及焊接设备
，具体为一体式T型低辐射低干扰高频熔接机。

技术介绍

[0002]传统设备占地面积大，搬运设备难，对周边辐射大，机器能耗高，电箱和操作机器是分开设计，造成了安装必须要专业人员方可操作，并且高频途径很长，造成干扰变大，辐射变大，高频回路不好，并且低频电器、高频电器会造成相互干扰，导致机器不稳定，电器元件容易损坏，存在这些缺陷。
[0003]传统T型高频机为电箱和操作机器是分开设计，造成了安装必须要专业人员方可操作，并且高频途径很长，造成干扰变大，辐射变大，高频回路不好等缺点。
[0004]且现有的高频熔接机的不密闭并且没有做防辐射处理，所以对周边防辐射大，该辐射会对人体造成危害，为降低辐射对工作人员的影响，现研发一体式T型低辐射低干扰高频熔接机。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，包括工作台，所述工作台上设置有熔接装置，所述熔接装置上设置有电脑箱，所述电脑箱呈倒“U”型，所述电脑箱内设置有高频输出电容组件，所述工作台两侧设置有低频电箱罩和高频率发生器电箱，所述低频电箱罩内设置有电压调节器，所述高频率发生器电箱内设置有高频发生器，所述电压调节器和高频发生器均与高频输出电容组件通过防辐射高压电线连接。
[0007]优选的，所述电脑箱、低频电箱罩以及高频率发生器电箱内壁均设置有一层铅皮包覆层。
[0008]优选的，所述高频率发生器电箱顶部安装有盖板，所述高频率发生器电箱一侧活动连接有箱门，所述高频率发生器电箱另一侧呈圆弧设置。
[0009]优选的，所述高频率发生器电箱前侧端面设置有出风口，所述高频率发生器电箱内设置有与出风口相适配的风机。
[0010]优选的，所述防辐射高压电线包括铜片、硅胶管、铅皮以及热缩管，所述硅胶管包覆在铜片的圆周外侧，所述铅皮包覆在硅胶管的圆周外侧，所述热缩管包覆在铅皮的圆周外侧。
[0011]优选的，所述防辐射高压电线呈扁平状。
[0012]优选的，所述熔接装置至少包括升降模组以及设置在升降模组底部的熔接模组，所述熔接模组与高频输出电容组件电性连接。
[0013]优选的，所述电压调节器包括三个第一高压电容、三个电感线圈、三个第二高压电
容、三相滤波器和调节器，三个所述第一高压电容分别与三个电感线圈的一端连接，三个所述电感线圈的另一端分别与三个第二高压电容连接，三个所述第二高压电容与三相滤波器的一端连接，所述三相滤波器的另一端与调节器连接，三个所述第一高压电容与高频输出电容组件电性连接。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0015]1、本技术通过设置电脑箱、低频电箱罩和高频率发生器电箱，电脑箱、低频电箱罩和高频率发生器电箱内壁均设置有一层铅皮包覆层，可覆盖高频输出电容组件、电压调节器和高频发生器，降低运行时外界电磁对高频输出电容组件、电压调节器和高频发生器的影响，提升电压的稳定性，同时降低高频输出电容组件、电压调节器和高频发生器对向外扩散的辐射强度，减少辐射对周围工作人员以及周边设备的影响，以保障工作人员的身体健康状况以及周边设备的正常运作。
[0016]2、本技术通过设置防辐射高压电线，通过设置硅胶管，可有效降低铜片的温度，通过设置铅皮或铜网有效降低磁辐射，减少辐射对周围工作人员的影响，以保障工作人员的身体健康。
附图说明
[0017]图1为本技术的结构分解示意图；
[0018]图2为本技术防辐射高压电线的剖视图；
[0019]图3为本技术高压电压调节组件的结构示意图；
[0020]图4为本技术的结构示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“水平”、“竖直”、“顶”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0023]请参阅图1至图4，本技术提供的一种实施例：一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，包括工作台1，所述工作台1上设置有熔接装置2，所述熔接装置2上设置有电脑箱3，所述电脑箱3呈倒“U”型，所述电脑箱3内设置有高频输出电容组件4，电脑箱3上设置有人机控制界面，所述工作台1两侧设置有低频电箱罩6和高频率发生器电箱7，所述低频电箱罩6内设置有电压调节器8，所述高频率发生器电箱7内设置有高频发生器9，所述电压调节器8和高频发生器9均与高频输出电容组件4通过防辐射高压电线连接，低频电箱罩6和高频率发生器电箱7分别位于工作台1两侧下方，将电压调节器8和高频发生器9分离，并做为两个独
立的空间，相互频闭，互不干扰，并加装电感滤波，把高频机干扰降到正常范围。
[0024]在本技术中，所述电脑箱3、低频电箱罩3以及高频率发生器电箱7内壁均设置有一层铅皮包覆层，该设置可覆盖高频输出电容组件4、电压调节器8和高频发生器9，降低运行时外界电磁对高频输出电容组件4、电压调节器8和高频发生器9的影响，提升电压的稳定性，同时降低高频输出电容组件4、电压调节器8和高频发生器9对向外扩散的辐射强度，减少辐射对周围工作人员的影响，以保障工作人员的身体健康状况。
[0025]在本技术中，所述高频率发生器电箱7顶部安装有盖板71，所述高频率发生器电箱7一侧活动连接有箱门72，所述高频率发生器电箱7另一侧呈圆弧设置，可节省空间，方便设备下端操作、传动。
[0026]进一步的，盖板71呈拱桥形状，该设置可节省空间占比，优化设备结构，所述盖板71内侧设置有一层铅皮包覆层。
[0027]本技术中，所述高频率发生器电箱7与盖板71通过螺丝可拆卸安装，可根据不同规格的高频发生器9，而置换不同的盖板71以及高频率发生器电箱7，提高空间利用率。
[0028]本技术中，所述高频率发生器电箱7一侧设置有开口，所述箱门72一侧与开口一侧可转动连接，所述箱门72另一侧与开口另一侧通过锁扣结构连接，高频发生器9可通过开口放入，放入后可通过锁扣结构锁紧箱门72。
[0029]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，包括工作台，其特征在于：所述工作台上设置有熔接装置，所述熔接装置上设置有电脑箱，所述电脑箱呈倒“U”型，所述电脑箱内设置有高频输出电容组件，所述工作台两侧设置有低频电箱罩和高频率发生器电箱，所述低频电箱罩内设置有电压调节器，所述高频率发生器电箱内设置有高频发生器，所述电压调节器和高频发生器均与高频输出电容组件通过防辐射高压电线连接。2.根据权利要求1所述的一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，其特征在于：所述电脑箱、低频电箱罩以及高频率发生器电箱内壁均设置有一层铅皮包覆层。3.根据权利要求1或2任一项所述的一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，其特征在于：所述高频率发生器电箱顶部安装有盖板，所述高频率发生器电箱一侧活动连接有箱门，所述高频率发生器电箱另一侧呈圆弧设置。4.根据权利要求1或2任一项所述的一体式T型低辐射低干扰高频熔接机，其特征在于：所述高频率发生器电箱前侧端面设置有出风口，所述高频率发生器电箱内设置有与出风口相适配的风机。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶玉清，
申请(专利权)人：骋展广东智能制造有限公司，
类型：新型
国别省市：