一种存储器及其制备方法、存储系统技术方案

本发明专利技术公开了一种存储器及其制备方法、存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域。再在堆叠层上形成图案化硬掩模层，该图案化硬掩模层中形成有覆盖第一区域的第一停止层，该图案化硬掩模层包括位于第一停止层上的第一开口图案，以及位于堆叠层上对应第二区域的沟道孔图案。最后基于图案化硬掩模层对堆叠层进行刻蚀，以在第二区域形成沟道孔。第一停止层可以保证第一区域的堆叠层不被刻蚀。在刻蚀堆叠层时，在需要形成沟道孔的区域和不需要形成沟道孔的区域的交界处，可以减少残留物分子聚集在交界处对堆叠层的刻蚀造成影响，进而可以改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器及其制备方法、存储系统


[0001]本专利技术总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种存储器及其制备方法、存储系统。

技术介绍

[0002]在3D NAND中，沟道孔呈阵列排布，且被多条栅线缝隙划分为多个存储块或存储指。一般，在任意相邻的两条栅线缝隙之间可以排布多排沟道孔(例如9排)，且多排沟道孔之间的间距相等，与栅线缝隙相邻的沟道孔可以称为外排孔(可以包括一排或两排或更多排)。
[0003]外排孔在刻蚀工艺中，容易出现各种问题，沟道孔的刻蚀难度较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的在于提供一种存储器及其制备方法、存储系统，旨在改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种存储器的制备方法，包括：
[0006]提供衬底；
[0007]在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；
[0008]在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第一区域的第一停止层，所述图案化硬掩模层包括位于所述第一停止层上的第一开口图案，以及位于所述堆叠层上对应所述第二区域的沟道孔图案；
[0009]基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀，以在所述第二区域形成对应所述沟道孔图案的沟道孔。
[0010]进一步，所述第一停止层相对于所述图案化硬掩模层的刻蚀选择比小于1。
[0011]进一步，所述第一区域用于形成栅线缝隙。
[0012]进一步，所述堆叠层还包括位于所述第二区域外围的第三区域；所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第三区域的第二停止层；所述图案化硬掩模层还包括：
[0013]位于所述第二停止层上的第二开口图案。
[0014]进一步，所述第一开口图案和所述第二开口图案采用同一张掩模版形成。
[0015]进一步，所述第三区域围绕所述第二区域的四周。
[0016]进一步，所述在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层的步骤包括：
[0017]在所述堆叠层上形成硬掩模层，所述硬掩模层中形成有所述第一停止层；
[0018]对所述硬掩模层进行刻蚀，以形成所述第一开口图案和所述沟道孔图案。
[0019]进一步，所述第一停止层离所述硬掩模层的底面的距离，小于所述第一停止层离所述硬掩模层的顶面的距离。
[0020]进一步，所述在所述堆叠层上形成硬掩模层的步骤，包括：
[0021]在所述堆叠层上形成第一硬掩模层；
[0022]刻蚀所述第一硬掩模层，以形成对应所述第一区域的开口；
[0023]在所述开口中填充第一停止层；
[0024]形成覆盖所述第一硬掩模层和所述第一停止层的第二硬掩模层。
[0025]进一步，所述开口的深度小于所述第一硬掩模层的厚度。
[0026]进一步，所述开口的宽度大于所述第一区域的宽度。
[0027]进一步，所述基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀的步骤之后，所述存储器的制备方法还包括：
[0028]去除所述图案化硬掩模层。
[0029]进一步，所述第一开口图案包括位于所述第一停止层上的多个虚拟孔。
[0030]进一步，所述第一开口图案为沿所述第一方向延伸的沟槽。
[0031]进一步，所述第一停止层的材料包括钨、多晶硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝其中之一。
[0032]第二方面，本专利技术实施例提供一种存储器，包括：
[0033]衬底；
[0034]堆叠结构，位于所述衬底上，且包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；
[0035]多个沟道结构，贯穿所述第二区域的堆叠结构。
[0036]第三方面，本专利技术实施例提供一种存储系统，包括：
[0037]如第二方面所述的存储器；
[0038]控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用于控制所述存储器存储数据。
[0039]本专利技术实施例的有益效果是：提供一种存储器及其制备方法、存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括沿第一方向延伸的第一区域和与第一区域相邻的第二区域。再在堆叠层上形成图案化硬掩模层，该图案化硬掩模层中形成有覆盖第一区域的第一停止层，该图案化硬掩模层包括位于第一停止层上的第一开口图案，以及位于堆叠层上对应第二区域的沟道孔图案。最后基于图案化硬掩模层对堆叠层进行刻蚀，以在第二区域形成对应沟道孔图案的沟道孔。覆盖第一区域的第一停止层可以保证第一区域的堆叠层不被刻蚀，而只在第二区域刻蚀形成沟道孔。由于在图案化硬掩模层的形成工艺中，在对应第二区域的位置刻蚀形成有沟道孔图案，同时在对应第一区域的位置刻蚀形成有第一开口图案，因此可以避免图案化硬掩模层在不需要形成沟道孔的第一区域和需要形成沟道孔的第二区域的交界处形成高度差。进而在刻蚀堆叠层时，可以减少残留物分子聚集在该交界处对堆叠层的刻蚀造成影响，进而可以改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。
附图说明
[0040]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0041]图1是本专利技术实施例提供的存储器的制备方法的流程示意图；
[0042]图2a
‑
2l是本专利技术实施例提供的存储器在制备过程中的结构示意图；
[0043]图3a
‑
3d是本专利技术另一实施例提供的存储器在制备过程中的结构示意图；
[0044]图4是本专利技术实施例提供的存储器的结构示意图；
[0045]图5是本专利技术实施例提供的存储系统的结构示意图。
具体实施方式
[0046]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0047]应当理解，虽然这里可使用术语第一、第二等描述各种组件，但这些组件不应受限于这些术语。这些术语用于使一个组件区别于另一个组件。例如，第一组件可以称为第二组件，类似地，第二组件可以称为第一组件，而不背离本专利技术的范围。
[0048]应当理解，当称一个组件在另一个组件“上”、“连接”另一个组件时，它可以直接在另一个组件上或者连接另一个组件，或者还可以存在插入的组件。其他的用于描述组件之间关系的词语应当以类似的方式解释。
[0049]如本文所使用的，术语“层”是指包括具有厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构范围的范围。此外，层可以是厚度小于连续结构的厚度的均匀或不均匀连续结构的区域。例如，层可以位于连续结构的顶面和底面之间或在顶面和底面处的任何一组水平平面之间。层可以水平、垂直和/或沿着锥形表面延伸。衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第一区域的第一停止层，所述图案化硬掩模层包括位于所述第一停止层上的第一开口图案，以及位于所述堆叠层上对应所述第二区域的沟道孔图案；基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀，以在所述第二区域形成对应所述沟道孔图案的沟道孔。2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一停止层相对于所述图案化硬掩模层的刻蚀选择比小于1。3.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一区域用于形成栅线缝隙。4.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述堆叠层还包括位于所述第二区域外围的第三区域；所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第三区域的第二停止层；所述图案化硬掩模层还包括：位于所述第二停止层上的第二开口图案。5.根据权利要求4所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一开口图案和所述第二开口图案采用同一张掩模版形成。6.根据权利要求4所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第三区域围绕所述第二区域的四周。7.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层的步骤包括：在所述堆叠层上形成硬掩模层，所述硬掩模层中形成有所述第一停止层；对所述硬掩模层进行刻蚀，以形成所述第一开口图案和所述沟道孔图案。8.根据权利要求7所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一停止层离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘沙沙，高晶，张浩，黄文龙，张文耀，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：