炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法技术方案

本发明专利技术公开了一种炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法，涉及陶瓷砖生产技术领域。其中，炻瓷质釉面砖生产系统包括依次连接的制粉单元、成型单元、干燥单元、釉料单元、烧成单元、水冷单元和深加工单元；所述的控制方法包括：取风急冷段出口、水冷单元出口的釉面砖，分别测试其中心弯曲度B

【技术实现步骤摘要】
炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷砖生产
，尤其涉及一种炻瓷质釉面砖生产系统的 控制方法。

技术介绍

[0002]随着能源压力的提升，以及环保形势的要求。陶瓷砖行业的产品分布出现 了较大的变化。其中一个主要的变化是原先的瓷质釉面砖(吸水率＜0.1％)逐 渐转变为炻瓷质的陶瓷砖(吸水率为0.1～2％)。然而在变更过程中，原有低吸水 率产线的控制出现了较多的问题：其中一个显著的问题是釉面砖的变形问题， 炻瓷质釉面砖在烧成出窑后变形较大，直接进入后续加工线(磨边、抛光)时， 容易出现破裂、抛光效果差等缺陷；成品炻瓷质釉面砖在储存一段时间后变形 值增大，导致合格率降低等。造成这种变形的原因是多样的，如坯釉适配性、 窑炉温度控制、冷却曲线控制等等。现有生产中，技术人员往往难以有效、快 速判别应调节何参数，如何调节。另外，经专利技术人试验，对于某些参数的调整， 瓷质釉面砖的调节与炻瓷质釉面砖的调节方向往往相反，这对炻瓷质釉面砖的 稳定生产提出了很大的挑战。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种炻瓷质釉面砖生产系统的控制 方法，其可有效提升对炻瓷质釉面砖变形的控制，提升成品率。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术公开了一种炻瓷质釉面砖生产系统的控制 方法，所述炻瓷质釉面砖生产系统包括依次连接的制粉单元、成型单元、干燥 单元、釉料单元、烧成单元、水冷单元和深加工单元；所述烧成单元包括烧成 窑炉，所述烧成窑炉包括氧化段、高温段、缓冷段和风急冷段；
[0005]所述控制方法包括：
[0006]取风急冷段出口的釉面砖，测试其中心弯曲度B
a
；
[0007]取水冷单元出口的釉面砖，测试其中心弯曲度B
w
；
[0008]若B
a
＜0且B
w
＜0，则对制粉单元进行调节；若B
a
＜0且B
w
≥0，则对制粉 单元和/或釉料单元进行调节；
[0009]若B
a
≥0且B
w
≥0，则对烧成单元进行调节或直接将釉面砖进入深加工单元；
[0010]若B
a
≥0且B
w
＜0，则对烧成单元进行调节。
[0011]作为上述技术方案的改进，测试釉面砖中心弯曲度时，先将釉面砖采用沸 水煮6～10h，然后测试。
[0012]作为上述技术方案的改进，若B
a
＜0且B
w
＜0，则降低粉料的烧成温度，其 降低量δ为：
[0013]δ＝k
×
|B
w
‑
B
a
|
[0014]其中，δ为粉料的烧成温度降低量，B
w
为水冷单元出口处釉面砖的中心弯 曲度，B
a
3810.3)。其中，中心弯曲度的测试方法可参见GB/T3810.2。优选的，在测试前，将釉面砖采用沸水煮6～10h，以充分释放积累应力， 提升测试准确性，为后期对生产系统的控制提供更加准确的数据。
[0028]作为本专利技术的第三个方面，本专利技术提供了一种上述的炻瓷质釉面砖生产系 统的控制方法，其包括：
[0029](1)取风急冷段出口的釉面砖，测试其中心弯曲度B
a
；取水冷单元出口的 釉面砖，测试其中心弯曲度B
w
；
[0030]具体的，中心弯曲度的测试方法参考GB/T 3810.2。优选的，在测试前，将 釉面砖水煮6～10h，然后测试。
[0031](2)根据测试结果对炻瓷质釉面砖生产系统进行调节；
[0032]具体的，若B
a
＜0且B
w
＜0，则对制粉单元进行调节；若B
a
＜0且B
w
≥0， 则对制粉单元和/或釉料单元进行调节；
[0033]其中，对制粉单元的调节是指对制粉单元中原料的配方进行调节；对釉料 单元的调节是指对釉料的配方进行调节。
[0034]若B
a
≥0且B
w
≥0，则对烧成单元进行调节或直接将釉面砖进入深加工单元；
[0035]若B
a
≥0且B
w
＜0，则对烧成单元进行调节。
[0036]其中，对烧成单元的调节是指对烧成窑炉中不同位置的温度进行调节。其 中，不同位置可为位于不同段的不同位置，也可为位于同一段的不同位置，还 可为位于同一平面上的不同高度的不同位置。
[0037]基于以上控制方法，可快速地确定对生产系统的哪个单元进行调节，进而 即使调控降低炻瓷质釉面砖的变形度，并保证其在后期具备合理的变形量，提 升炻瓷质釉面砖的成品率。
[0038]具体的，在本专利技术的一个实施例中，若B
a
＜0且B
w
＜0，则降低制粉单元中 粉料(即坯体配方)的烧成温度，其降低量δ为：
[0039]δ＝k
×
|B
w
‑
B
a
|
[0040]其中，δ为粉料的烧成温度降低量，B
w
为水冷单元出口处釉面砖的中心弯 曲度，B
a
为风急冷段出口处釉面砖的中心弯曲度；k为常数，其取值为10～15。
[0041]具体的，在本专利技术的一个实施例之中，若B
a
＜0且B
w
≥0，则对(B
a
‑
B
w
)/B
a
进行判断，当(B
a
‑
B
w
)/B
a
≥1.5，则对釉料单元进行调节；具体的，提升釉料的 烧成温度，以使粉料的烧成温度
‑
釉料的烧成温度≤25℃。优选的，将粉料的烧成 温度
‑
釉料的烧成温度维持为15～20℃。需要说明的是，粉料的烧成温度是采用 TG
‑
DSC法测试得到，其测试气氛为空气，升温速率为2℃/min。
[0042]当(B
a
‑
B
w
)/B
a
＜1.5，则对釉料单元或制粉单元进行调节。具体的为降低釉 料的烧成温度和/或提升粉料的烧成温度，以使粉料的烧成温度
‑
釉料的烧成温度 为20～40℃。
[0043]具体的，在本专利技术的一个实施例之中，若B
a
≥0，0＜B
w
≤5％，则釉面砖直接 进入深加工单元进行深加工。此时釉面砖的变形度不会影响其后续的深加工工 艺。若B
a
≥0，B
w
＞5％，则烧成单元进行调节。具体的，可调节烧成窑炉中的风 急冷段，更具体的降低风急冷段的流量，降低风急冷段的冷风流量后，应使得 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法，其特征在于，所述炻瓷质釉面砖生产系统包括依次连接的制粉单元、成型单元、干燥单元、釉料单元、烧成单元、水冷单元和深加工单元；所述烧成单元包括烧成窑炉，所述烧成窑炉包括氧化段、高温段、缓冷段和风急冷段；所述控制方法包括：取风急冷段出口的釉面砖，测试其中心弯曲度B
a
；取水冷单元出口的釉面砖，测试其中心弯曲度B
w
；若B
a
＜0且B
w
＜0，则对制粉单元进行调节；若B
a
＜0且B
w
≥0，则对制粉单元和/或釉料单元进行调节；若B
a
≥0且B
w
≥0，则对烧成单元进行调节或直接将釉面砖进入深加工单元；若B
a
≥0且B
w
＜0，则对烧成单元进行调节。2.如权利要求1所述的炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法，其特征在于，测试釉面砖中心弯曲度时，先将釉面砖采用沸水煮6～10h，然后测试。3.如权利要求2所述的炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法，其特征在于，若B
a
＜0且B
w
＜0，则降低粉料的烧成温度，其降低量δ为：δ＝k
×
|B
w
‑
B
a
|其中，δ为粉料的烧成温度降低量，B
w
为水冷单元出口处釉面砖的中心弯曲度，B
a
为风急冷段出口处釉面砖的中心弯曲度；k为常数，其取值为1000～1500。4.如权利要求2所述的炻瓷质釉面砖生产系统的控制方法，其特征在于，若B
a
＜0、B
w
≥0且(B
a
‑
B
w
)/B
a
≥1.5，则对釉料单元进行调节；若B
a
＜0、B
w
≥0且(B
a
‑
B
w
)/B
a
＜1.5，则对釉料单元或制粉单元进行调...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢岳荣，霍振辉，倪烈和，
申请(专利权)人：肇庆乐华陶瓷洁具有限公司，
类型：发明
国别省市：