【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件靠在焊线机上的支撑结构上的夹持的优化方法及相关方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年3月29日提交的美国临时申请号63/001,415的权益,所述美国临时申请的内容以引用的方式并入本文中。
[0003]本专利技术涉及焊线操作,且更具体地涉及用于将半导体元件夹持(clamp)在焊线机上的技术。
技术介绍
[0004]在半导体器件的制程和封装中,焊线一直是在封装内的两个位置之间(例如,在半导体管芯的管芯焊盘与引线框的引线之间)提供电互连的主要方法。更具体地,利用焊线器(也称为焊线机),线弧(wire loop)在要电互连的相应位置之间被形成。形成线弧的主要方法是球形焊接和楔形焊接。在形成(a)线弧的端部与(b)焊接部位(例如,管芯焊盘、引线等)之间的焊接部中,各种相异类型的焊接能量可被使用,包括例如超声波能量、热超声波能量、热压能量等。焊线机(例如,柱形凸块机)也用于由线材的部分形成传导性凸块。
[0005]这样的焊线机通常包括器件夹持系统(有时也称为“器件夹持器”、“夹持插入件”、“窗口式夹持器”等)(下文中称为“器件夹持器”)。器件夹持器使半导体元件(例如,包括多个半导体管芯的引线框)靠在焊线机的支撑结构上固定在位。以这样的方式,半导体元件准备好进行焊线操作。
[0006]然而,有时候半导体元件靠在支撑结构上的夹持不良。例如,半导体元件的一部分会被宽松地夹持、紧紧地夹持或两者皆有。焊线机的操作员常利用反复试验来使半导体元件靠在支撑结构上夹持。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种调整半导体元件靠在焊线机上的支撑结构上的夹持的方法,方法包括以下步骤:(a)检测在半导体元件的多个位置处的半导体元件相对于支撑结构的悬浮指标;以及(b)基于步骤(a)的结果,调整所述半导体元件靠在支撑结构上的夹持。2.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(a)和步骤(b)作为焊线操作的设置的一部分来实施。3.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(a)和步骤(b)以与焊线操作相关的预定间隔被重复。4.如权利要求1所述的方法,其中,所述半导体元件靠在支撑结构上的夹持通过一器件夹持器提供,并且其中,步骤(b)包括调整由所述器件夹持器实现的夹持。5.如权利要求4所述的方法,其中,所述器件夹持器包括多个夹持臂,并且其中,步骤(b)包括通过调整所述夹持臂中的至少一者来调整由所述器件夹持器实现的夹持。6.如权利要求5所述的方法,其中,调整所述夹持臂中的至少一者包括调整(i)由所述夹持臂中的至少一者提供的夹持力和(ii)所述夹持臂中的至少一者的位置中的至少一项。7.如权利要求1所述的方法,其中,步骤(b)包括更换焊线机的器件夹持器。8.如权利要求1所述的方法,其中,所述半导体元件相对于支撑结构的悬浮指标是悬浮高度测定,并且其中,步骤(a)包括:(a1)利用焊线机的焊线工具施加的按压力,按压半导体元件的相应部分靠在支撑结构上;以及(a2)释放所述按压力的至少一部分,以检测所述半导体元件的多个位置中的相应一个处的悬浮高度测定。9.如权利要求8所述的方法,其中,在步骤(a2)处,在检测所述半导体元件的多个位置中的相应一个处的悬浮高度测定时,施加减小的按压力到所述半导体元件的相应部分,所述减小的按压力小于所述按压力。10.如权利要求1所述的方法,其中,所述半导体元件相对于支撑结构的悬浮指标是悬浮高度测定,并且其中,步骤(a)包括:(a1)在焊线机的焊线工具降低期间,检测半导体元件的相应部分与焊线工具之间的接触;(a2)继续降低焊线工具,同时检测所述半导体元件的相应部分靠在支撑结构上的按压;以及(a3)利用在步骤(a1)和步骤(a2)期间找回的位置信息,检测所述半导体元件的相应部分处的悬浮高度测定。11.如权利要求1所述的方法,其中,所述悬浮指标与(i)所述半导体元件的多个位置中的每个处的半导体元件的相应部分同(ii)支撑结构之间的距离相关。12.一种确定将半导体元件夹持在焊线机上的所需夹持力分布的方法,方法包括以下步骤:(a)利用焊线机的器件夹持器,以多种夹持力分布使半导体元件靠在焊线机的支撑结构上夹持;(b)检测在所述多种夹持力分布中的每种下的半导体元件的多个位置的悬浮值;以及(c)利用从步骤(b)获取的数据,确定将半导体元件夹持在焊线机上的所需夹持力分布。13.如权利要求12所述的方法,其中,所述半导体元件包括多个半导体管芯,并且所述器件夹持器限定用于在焊线操作期间触用所述多个半导体管芯的多个孔口。14.如权利要求12所述的方法,其中,步骤(b)包括:(b1)利用焊线机的焊线工具施加的
按压力,按压半导体元件的相应部分靠在支撑结构上;以及(b2)释放所述按压力的至少一部分,以检测所述半导体元件的多个位置中的相应一个处的悬浮值。15.如权利要求14所述的方法,其中,在步骤(b2)处,在检测所述半导体元件的多个位置中的相应一个处的悬浮值时,施加减小的按压力到所述半导体元件的相应部分,所述减小的按压力小于所述按压力。16.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐慧,J,
申请(专利权)人:库利克和索夫工业公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。