本发明专利技术的课题在于提供一种能够形成具有优异的α射线屏蔽性能的膜的α射线屏蔽膜形成用组合物。并且，本发明专利技术的另一课题在于提供一种使用上述α射线屏蔽膜形成用组合物而形成的α射线屏蔽膜、以及包含上述α射线屏蔽膜的层叠体及半导体装置。本发明专利技术的α射线屏蔽膜形成用组合物包含氧原子的含量为25质量％以上的树脂及溶剂。上的树脂及溶剂。上的树脂及溶剂。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】α
射线屏蔽膜形成用组合物、
α
射线屏蔽膜、层叠体、半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种α射线屏蔽膜形成用组合物、α射线屏蔽膜、层叠体及半导体装置。
技术介绍
[0002]包含电子电路的装置适用于各种用途。例如，作为装置的一例，可以举出包含固体摄像元件(相当于电子电路)的固体摄像装置。
[0003]另一方面，在包含电子电路的装置中，有时受从装置中的α射线源释放的α射线的影响而发生软错误。例如，在固体摄像装置中，有时盖玻璃包括α射线释放性原子，并且有时成为电子电路的固体摄像元件引起暂时性故障。
[0004]例如，在专利文献1中，公开了一种固体摄像装置，其依次配置有玻璃基板(相当于α射线源)、包含α射线屏蔽性能在规定数值范围的α射线屏蔽剂的有机层、包含光电转换部的固体摄像元件。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2019/093245号
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]近来，本专利技术人等参考专利文献1中所记载的有机层形成用组合物而制备α射线屏蔽膜形成用组合物，并进行研究的结果，明确了所获得的α射线屏蔽膜的α射线屏蔽性能存在进一步改善的空间。
[0010]因此，本专利技术的课题在于提供一种能够形成具有优异的α射线屏蔽性能的膜的α射线屏蔽膜形成用组合物。
[0011]并且，本专利技术的课题在于提供一种使用上述α射线屏蔽膜形成用组合物而形成的α射线屏蔽膜、以及包含上述α射线屏蔽膜的层叠体及半导体装置。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，其结果，发现了通过以下结构能够解决上述课题。
[0014]〔1〕一种α射线屏蔽膜形成用组合物，其包含氧原子的含量为25质量％以上的树脂及溶剂。
[0015]〔2〕根据〔1〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述树脂中的氧原子的含量为30质量％以上。
[0016]〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述树脂中的氧原子的含量为36质量％以上。
[0017]〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中组合物中的固
体成分中所包含的氧原子的含量相对于组合物的总固体成分为30质量％以上。
[0018]〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述树脂的含量相对于组合物的总固体成分为70质量％以上。
[0019]〔6〕根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述树脂具有固化性基团。
[0020]〔7〕根据〔6〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述固化性基团为热固性基团。
[0021]〔8〕根据〔6〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述固化性基团选自环氧乙烷基、氧杂环丁基、羧酸基及酸酐基。
[0022]〔9〕根据〔1〕至〔8〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述树脂的主链结构为选自聚(甲基)丙烯酸酯结构、聚酯结构、聚醚结构、聚酰胺结构、聚酰亚胺结构、聚乙烯醇结构、聚乙烯醚结构、聚丙烯腈结构、聚苯乙烯结构、聚氨酯结构及聚脲结构中的结构。
[0023]〔10〕根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述树脂的主链结构为聚(甲基)丙烯酸酯结构。
[0024]〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其进一步包含固化剂。
[0025]〔12〕根据〔11〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述固化剂为酸酐。
[0026]〔13〕根据〔1〕至〔12〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其进一步包含交联性化合物。
[0027]〔14〕根据〔13〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述交联性化合物为包括环氧乙烷基的高分子化合物。
[0028]〔15〕根据〔13〕所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中上述交联性化合物为包括环氧乙烷基的低分子化合物。
[0029]〔16〕根据〔1〕至〔15〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中固体成分的含量相对于组合物的总质量为10质量％以上且小于70质量％。
[0030]〔17〕根据〔1〕至〔16〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其粘度为10mPa
·
s以上且小于5000mPa
·
s。
[0031]〔18〕根据〔1〕至〔17〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中在形成固化膜时，每10μm膜厚的α射线屏蔽率成为60％以上且100％以下。
[0032]〔19〕一种α射线屏蔽膜，其是使用〔1〕至〔18〕中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物形成的。
[0033]〔20〕根据〔19〕所述的α射线屏蔽膜，其为固化膜。
[0034]〔21〕根据〔19〕或〔20〕所述的α射线屏蔽膜，其每10μm膜厚的α射线屏蔽率为60％以上且100％以下。
[0035]〔22〕根据〔19〕至〔21〕中任一项所述的α射线屏蔽膜，其膜厚小于30μm。
[0036]〔23〕根据〔19〕至〔22〕中任一项所述的α射线屏蔽膜，其在可见光区域中的最低透射率为70％以上。
[0037]〔24〕根据〔19〕至〔23〕中任一项所述的α射线屏蔽膜，其通过电子探针微分析器求
出的氧原子的含量为25质量％以上。
[0038]〔25〕一种层叠体，其具有对可见光为透明的基材及配置于上述基材上的〔19〕至〔24〕中任一项所述的α射线屏蔽膜。
[0039]〔26〕一种层叠体，其具有成为α射线源的基材及配置于上述基材上的〔19〕至〔24〕中任一项所述的α射线屏蔽膜。
[0040]〔27〕根据〔26〕所述的层叠体，其中上述基材为玻璃基材或树脂基材。
[0041]〔28〕根据〔25〕或〔26〕所述的层叠体，其中上述基材包含色材。
[0042]〔29〕一种半导体装置，其包含〔19〕至〔24〕中任一项所述的α射线屏蔽膜或〔25〕至〔28〕中任一项所述的层叠体。
[0043]〔30〕一种半导体装置，其具有α射线源、〔19〕至〔24〕中任一项所述的α射线屏蔽膜及固体摄像元件，
[0044]上述α射线源与上述固体摄像元件之间配置有上述α射线屏蔽膜。
[0045]专利技术效果
[0046]根据本专利技术，能够提供一种能够形成具有优异的α射线屏蔽性能的膜的α射线屏蔽膜形成用组合物。
[0047]并且，根据本专利技术，能够提供一种使用上述α射线屏蔽膜形成用组合物而形成的α射线屏蔽膜、以及包括上述α射线屏蔽膜的层叠体及半导体装置。
附图说明
[0048]图1是表示半导体装置的一例(第2
‑
1实施方式的半导体装置)的剖面示意图。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种α射线屏蔽膜形成用组合物，其包含氧原子的含量为25质量％以上的树脂及溶剂。2.根据权利要求1所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述树脂中的氧原子的含量为30质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述树脂中的氧原子的含量为36质量％以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，组合物中的固体成分中所包含的氧原子的含量相对于组合物的总固体成分为30质量％以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述树脂的含量相对于组合物的总固体成分为70质量％以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述树脂具有固化性基团。7.根据权利要求6所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述固化性基团为热固性基团。8.根据权利要求6所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述固化性基团选自环氧乙烷基、氧杂环丁基、羧酸基及酸酐基。9.根据权利要求1至8中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述树脂的主链结构为选自聚(甲基)丙烯酸酯结构、聚酯结构、聚醚结构、聚酰胺结构、聚酰亚胺结构、聚乙烯醇结构、聚乙烯醚结构、聚丙烯腈结构、聚苯乙烯结构、聚氨酯结构及聚脲结构中的结构。10.根据权利要求1至9中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述树脂的主链结构为聚(甲基)丙烯酸酯结构。11.根据权利要求1至10中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其进一步包含固化剂。12.根据权利要求11所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述固化剂为酸酐。13.根据权利要求1至12中任一项所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其进一步包含交联性化合物。14.根据权利要求13所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述交联性化合物为包括环氧乙烷基的高分子化合物。15.根据权利要求13所述的α射线屏蔽膜形成用组合物，其中，所述交联性化合物为包括环氧乙烷基的低...
【专利技术属性】
技术研发人员：横山宪文，荒山恭平，宫田哲志，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
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