基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法技术

本发明专利技术为一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，主要提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构的层迭。以一雷射照射半导体装置的一边缘区域，并分离位于边缘区域的基板与半导体磊晶结构。通过一压合装置压迫半导体装置的边缘区域，而后以雷射照射半导体装置的一内部区域，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中分离内部区域的基板及半导体磊晶结构时所产生的气体会由边缘区域排出，以防止在分离过程中对半导体磊晶结构造成损伤。过程中对半导体磊晶结构造成损伤。过程中对半导体磊晶结构造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法


[0001]本专利技术有关于一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其中分离基板及半导体磊晶结构时所产生的气体会由边缘区域排出，以防止在分离过程中对半导体磊晶结构造成损伤。

技术介绍

[0002]蓝宝石基板是半导体磊晶结构中经常使用的基板，具有化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟等优点。但蓝宝石基板仍存在高电阻、低导热等缺点，限制了设置在蓝宝石基板上的半导体磊晶结构的效能。
[0003]为了改善上述的缺点，目前会将连接半导体磊晶结构的蓝宝石基板置换为其他具有导热及导电特性的基板，例如金属基板或硅基板，以提高半导体磊晶结构的效能。具体而言，可将半导体磊晶结构连接一基板，而后通过雷射分离半导体磊晶结构及蓝宝石基板，以将蓝宝石基板置换为其他基板。
[0004]通过雷射虽然可以分离半导体磊晶结构及蓝宝石基板，但在分离的过程中，往往会在未分离的半导体磊晶结构及蓝宝石基板之间产生应力，而造成半导体磊晶结构及/或蓝宝石基板扭曲变形及翘曲，例如已分离的区域过分翘曲导致撕裂未分离的区域，而成半导体磊晶结构损坏。

技术实现思路

[0005]如先前技术所述，以雷射分离基板及半导体磊晶结构的过程中，产生的气体有可能窜入未分离的基板与半导体磊晶结构之间，进而导致半导体磊晶结构的损坏。为此本专利技术提出一种新颖的基板及半导体磊晶结构的分离方法，先分离半导体装置的边缘区域，而后再分离半导体装置的内部区域，其中分离过程中产生的气体会由边缘区域排出，以避免在分离过程中造成半导体磊晶结构的损坏。
[0006]本专利技术的一目的，在于提出一种基板及半导体磊晶结构的分离方法，主要用以分离半导体装置的一基板及至少一半导体磊晶结构。在分离的过程中，先通过雷射照射半导体装置的一边缘区域，使得位于边缘区域的半导体磊晶结构及基板分离，并于两者之间产生一排气空间。
[0007]而后通过雷射照射半导体装置的一内部区域，以分离内部区域的半导体磊晶结构及基板，其中内部区域位于边缘区域的内侧。在分离半导体磊晶结构及基板的过程中，靠近基板的半导体磊晶结构会吸收雷射的能量而产生热分解。热分解时产生的气体会经由边缘区域输送到半导体装置的外部，可有效避免气体窜入未分解的半导体磊晶结构及基板之间，而造成未分解区域的基板及半导体磊晶结构产生应力崩裂。
[0008]本专利技术的一目的，在于提出一种基板及半导体磊晶结构的分离方法，主要通过雷射照射半导体装置的边缘区域，以分离边缘区域的半导体磊晶结构及基板。而后通过一压合装置压迫半导体装置部分的边缘区域，并通过雷射照射半导体装置的内部区域，以分离
内部区域的半导体磊晶结构及基板。通过压合装置压合已分离区域的半导体磊晶结构及/或基板，可避免已分离区域的半导体磊晶结构及/或基板过分翘曲，而撕裂未分离区域的半导体磊晶结构，进而导致半导体磊晶结构的损坏。
[0009]本专利技术的一目的，在于提出一种基板及半导体磊晶结构的分离方法，主要通过雷射照射半导体装置的最靠侧边的边缘区域，以分离边缘区域的半导体磊晶结构及基板。而后雷射沿着半导体装置的径向内侧位移，并以雷射照射邻近边缘区域内侧的半导体装置，以分离该区域的半导体磊晶结构及基板。
[0010]当靠近半导体装置侧边的已分离区域的宽度大于或等于一特定宽度时，例如大于或等于1.5mm，可以压合装置压迫或固定半导体装置侧边的已分离区域，而后再通过雷射照射已分离区域内侧的半导体装置，直到所有的半导体磊晶结构与基板分离。通过本专利技术所述的基板及半导体磊晶结构的分离方法，不仅有利于导出分离过程中产生的气体，更可避免已分离的基板与半导体磊晶结构过度翘曲，而拉扯未分离的基板及半导体磊晶结构，进而损坏半导体磊晶结构。
[0011]为了达到上述的目的，本专利技术提出一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，包括：提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构，半导体磊晶结构连接基板；以一雷射照射半导体装置的一边缘区域，其中雷射投射在靠近基板的半导体磊晶结构上，并分离位于边缘区域的基板与半导体磊晶结构；通过一压合装置压迫半导体装置的边缘区域；及以雷射照射半导体装置的一内部区域，雷射投射在靠近基板的半导体磊晶结构上，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中边缘区域位于内部区域的周围。
[0012]本专利技术提供另一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，包括：提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构，半导体磊晶结构连接基板；以一雷射沿着半导体装置的一侧边位移，以分离位于侧边的基板及半导体磊晶结构，并在半导体装置的侧边形成一第一分离区；雷射朝第一分离区的径向内侧的方向位移；雷射在第一分离区内侧位移，以形成至少一第二分离区，其中第二分离区与第一分离区相邻，并位于第一分离区的内侧；通过一压合装置压迫半导体装置的第一分离区及第二分离区；及以雷射照射半导体装置的一内部区域，雷射投射在靠近基板的半导体磊晶结构上，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中第二分离区位于内部区域的周围。
[0013]所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，包括：将半导体装置放置在一吸附平台上，以吸附平台产生的一负压吸附及固定半导体装置；及雷射经由基板进入半导体装置，照射在半导体装置的边缘区域，并投射在靠近基板的半导体磊晶结构上，使得靠近基板的半导体磊晶结构吸收雷射的能量而产生热分解。
[0014]所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其中边缘区域的宽度或第一分离区及第二分离区的宽度总和大于或等于1.5mm。
[0015]所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其中压合装置包括复数个压合单元用以压迫半导体装置的边缘区域、第一分离区及第二分离区，并于相邻的压合单元之间存在一间隙。
[0016]所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其中半导体磊晶结构为一氮化镓化合物磊晶结构或一氮化镓磊晶结构。
[0017]所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其中雷射投射在第一分离区的一光斑大于投射在第二分离区。
[0018]本专利技术的有益效果是：通过雷射照射层迭的基板及半导体磊晶结构的边缘区域，以分离边缘区域的基板及半导体磊晶结构，而后再通过雷射照射基板及半导体磊晶结构的内部区域，以分离内部区域的基板及半导体磊晶结构，使得分离过程中产生的气体由已分离的边缘区域排出，避免气体窜入未分离的基板及半导体磊晶结构，而损害半导体磊晶结构。
附图说明
[0019]图1为本专利技术基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法用以分离边缘区域一实施例的剖面示意图。
[0020]图2为本专利技术基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法分离边缘区域一实施例的俯视图。
[0021]图3及图4为本专利技术基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法分离边缘区域又一实施例的俯视图。
[0022]图5为本专利技术基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法用以分离内部区域一实施例的剖面示意图。
[0023]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，包括：提供至少一半导体装置，其中该半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构，该半导体磊晶结构连接该基板；以一雷射照射该半导体装置的一边缘区域，其中该雷射投射在靠近该基板的该半导体磊晶结构上，并分离位于该边缘区域的该基板与该半导体磊晶结构；通过一压合装置压迫该半导体装置的该边缘区域；及以该雷射照射该半导体装置的一内部区域，该雷射投射在靠近该基板的该半导体磊晶结构上，并分离位于该内部区域的该基板与该半导体磊晶结构，其中该边缘区域位于该内部区域的周围。2.根据权利要求1所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，包括：将该半导体装置放置在一吸附平台上，以该吸附平台产生的一负压吸附及固定该半导体装置；及该雷射经由该基板进入该半导体装置，照射在该半导体装置的该边缘区域，并投射在靠近该基板的该半导体磊晶结构上，使得靠近该基板的该半导体磊晶结构吸收该雷射的能量而产生热分解。3.根据权利要求1所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，其中该边缘区域的宽度大于或等于1.5mm。4.根据权利要求1所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，其中该压合装置包括复数个压合单元用以压迫该半导体装置的该边缘区域，并于相邻的该压合单元之间存在一间隙。5.根据权利要求1所述的基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，其中该半导体磊晶结构为一氮化镓化合物磊晶结构或一氮化镓磊晶结构。6.一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，其特征在于，包括：提供至少一半导体装置，其中该半导体装置包括一基板及至少一半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，谢宗桦，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：